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公开(公告)号：CN114296325B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202210097317.6
申请日：2022-01-27
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/66 , H01L23/544
摘要： 本发明公开了一种表征套刻精度量测方法准确性的方法中，包括：步骤一、对具有前层套刻精度标识的晶圆并进行第一次曝光，进行第一次测量收集整片晶圆的套刻精度数据，得到最佳补值并将晶圆返工。步骤二、选择性地在N个shot上添加固定偏移量并上传到光刻机。步骤三、结合最佳补值和固定偏移量对晶圆进行第二次曝光；进行第二次测量收集整片晶圆的套刻精度数据。步骤四、利用各未选定shot的套刻精度量测值进行模拟计算得到各选定shot的套刻精度模拟值。步骤五、将各选定shot的套刻精度量测值减去套刻精度模拟值得到各选定shot的偏差值，通过各选定shot的固定偏移量和偏差值进行点对点比较判断套刻精度量测方法的准确性。本发明能简化工艺方法并提高测试速度。
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公开(公告)号：CN116705611A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202210185332.6
申请日：2022-02-28
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 本发明提供一种鳍式场效应晶体管中扩散中断结构的形成方法，在衬底上进行光刻工艺，形成单扩散中断结构的光刻图形；刻蚀衬底，形成刻蚀后的单扩散中断结构；进行外延生长工艺，在衬底表面、刻蚀后的单扩散中断结构表面形成外延层，从而形成外延后的单扩散中断结构；在单扩散中断结构处刻蚀外延层和衬底，形成多个间隔排布的鳍片；在鳍片之间形成隔离层，且鳍片的顶部高于隔离层的顶部；在单扩散中断结构处的隔离层的顶部以及鳍片的侧壁和顶部分别形成相互间隔的栅极。提高光刻工艺窗口，从而避免使用更昂贵的极紫外光刻工艺；二是减小单扩散中断结构光刻图形的桥接缺陷，从而解决传统工艺中鳍片无法完全切断的问题，进而提高产品良率。
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公开(公告)号：CN114695121A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210170172.8
申请日：2022-02-24
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/66
摘要： 本发明提供一种自对准成像工艺剪切层刻蚀偏差的测量方法，设计测试图形，主版图包括在X方向等间距分布、在Y方向以相差固定偏移量依次分布的牺牲层图形和多行沿着X，Y方向等间距分布的剪切层图形。每一列相邻的两个牺牲层图形在Y方向的周期与剪切层图形的周期一致。将该测试图形转移至光罩上，经过一系列光刻和刻蚀等工艺后，利用大场检测工具进行检测，通过正好被完全剪切掉的fin结构和刚刚被剪切到的fin结构的位置来确定刻蚀后图形的边界。本发明准确地确定剪切层AEI CD的边界，从而确定刻蚀偏差，为光学临近效应校正/光刻/刻蚀工艺的调整提供参考，提高工艺修正和调整的准确性，减少缺陷的产生。
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公开(公告)号：CN110187611A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910529996.8
申请日：2019-06-19
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
发明人： 赖璐璐
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
摘要： 本发明提供一种晶圆上曝光区域的排布方法，包括：提供曝光区域信息以及影响曝光区域排布的光刻机曝光信息；根据曝光区域信息以及光刻机曝光信息设定曝光区域规则，使有效Die最大化；利用曝光区域信息、光刻机曝光信息以及曝光区域规则，计算得到最优的网格移位和晶圆边缘非聚焦区域的值，使晶圆边缘的有效Die被覆盖。本发明提供的智能化设定晶圆上曝光区域排布的方法，可以综合考虑到激光标记的尺寸、有效die最大化、平整度传感器的排布这三种情况，提前计算得到最优的曝光区域排布，在保证有效die最大化的同时，提前避免晶圆边缘离焦问题，适用于先进技术节点光刻的发展趋势。
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公开(公告)号：CN113534614B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202110718865.1
申请日：2021-06-28
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明提供一种基于扫描式曝光机的动态照明方法，提供用于曝光的光罩以及与光罩对应的GDS文件；根据GDS文件中的数据将光罩上的图形信息沿曝光时光罩移动的方向分为宽度相同的n个区域，对n个区域内的图形信息进行SMO计算，生成与n个区域分别对应的n个SMO文件；将n个SMO文件进行组合优化得到DSMO文件；根据DSMO文件、关照及晶圆的移动速度生成光源反射镜阵列的驱动程序，通过调用光源反射镜阵列的驱动程序控制曝光机反射镜阵列实现照明。本发明的DSMO方式精确到每个曝光狭缝区域内，使针对图形的照明优化进一步提高，可增大光刻工艺窗口，降低光刻成本。DSMO通过提升光刻工艺窗口的方式甚至有可能会降低光罩数量。
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公开(公告)号：CN110187615B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201910529975.6
申请日：2019-06-19
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
摘要： 本发明提供一种提高套刻精度的对准标识设计方法，包括：前一层光刻层的对准标识放置于第一位置；当层曝光时，将对准标识放置于第二位置，同时将第一位置曝开，之后将曝开的第一位置填充金属；第三层曝光时，将对准标识放回所述第一位置，同时将第二位置曝开，之后将曝开的第二位置填充金属；后续层曝光时的对准标识位置设计依次类推。本发明的对准标识的位置摆放及前后层堆叠的设计可以有效减少对准标识的摆放空间，同时使对准标识底层薄膜更加稳定，因此可以提高套刻精度的稳定性，有利于日常跑货的维护及套刻精度的提高。此外，本发明的对准标识设计还有利于对套刻精度进行预测，节省新产品试跑时间，提高生产能力。
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公开(公告)号：CN113517259A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110723560.X
申请日：2021-06-29
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： H01L23/544
摘要： 本发明公开了一种对准标识结构，包括：多个光栅图形，各光栅图形沿对准标识结构的长度方向上排列且具有光栅图形间隔区。在光栅图形间隔区中设置有填充图形。填充图形保证不影响各光栅图形产生的对准信号且用于设置光栅图形间隔区的负载，使光刻图形的形成区域和光刻图形间隔区的负载差异缩小以保证光栅图形不产生失真形变。本发明能改善对准标识结构在化学机械研磨和刻蚀中负载效应，使得对准标识结构的形貌不产生失真变形，从而能提高对准信号的准确度，改善套刻精度的稳定性和精确度，还能减少由于负载效应差产生的缺陷。
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公开(公告)号：CN110187615A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910529975.6
申请日：2019-06-19
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
摘要： 本发明提供一种提高套刻精度的对准标识设计方法，包括：前一层光刻层的对准标识放置于第一位置；当层曝光时，将对准标识放置于第二位置，同时将第一位置曝开，之后将曝开的第一位置填充金属；第三层曝光时，将对准标识放回所述第一位置，同时将第二位置曝开，之后将曝开的第二位置填充金属；后续层曝光时的对准标识位置设计依次类推。本发明的对准标识的位置摆放及前后层堆叠的设计可以有效减少对准标识的摆放空间，同时使对准标识底层薄膜更加稳定，因此可以提高套刻精度的稳定性，有利于日常跑货的维护及套刻精度的提高。此外，本发明的对准标识设计还有利于对套刻精度进行预测，节省新产品试跑时间，提高生产能力。
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公开(公告)号：CN114859670A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210395940.X
申请日：2022-04-14
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/027 , H01L23/544
摘要： 本发明提供一种表征自对准成像工艺套刻误差量测准确性的testkey及应用方法，横向以及与横向垂直的纵向；切割层图形和心轴图形组成的两层数据；其中心轴图形由中心图形和两侧图形组成；中心图形由多个沿横向间隔分布的多边形组成；切割层图形由多个沿纵向间隔分布的多边形组成，并且切割层图形叠放在中心图形上；两侧图形位于中心图形的两侧；中心图形由多个沿横向X间隔分布的多边形组成。本发明通过testkey的设计使SADP切割层刻蚀后产生印记，同时保持testkey的刻蚀行为与中心图形一致；通过testkey的量测直接对切割层的套刻误差进行量测；可以通过testkey的量测结果对套刻误差间接量测方法的准确性进行表征。
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公开(公告)号：CN110187611B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201910529996.8
申请日：2019-06-19
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
发明人： 赖璐璐
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
摘要： 本发明提供一种晶圆上曝光区域的排布方法，包括：提供曝光区域信息以及影响曝光区域排布的光刻机曝光信息；根据曝光区域信息以及光刻机曝光信息设定曝光区域规则，使有效Die最大化；利用曝光区域信息、光刻机曝光信息以及曝光区域规则，计算得到最优的网格移位和晶圆边缘非聚焦区域的值，使晶圆边缘的有效Die被覆盖。本发明提供的智能化设定晶圆上曝光区域排布的方法，可以综合考虑到激光标记的尺寸、有效die最大化、平整度传感器的排布这三种情况，提前计算得到最优的曝光区域排布，在保证有效die最大化的同时，提前避免晶圆边缘离焦问题，适用于先进技术节点光刻的发展趋势。
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