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公开(公告)号：CN101255603A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200710171806.7
申请日：2007-12-06
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种在多孔阳极氧化铝模板上电沉积法制备II－VI族半导体材料纳米线的方法。本发明方法具体步骤为：首先将S粉、Se粉或Te粉溶于HNO3溶液中，搅拌，以形成SO32－、HSeO2+或HTeO2+溶液；配制可溶性镉盐或锌盐溶液，并加入钠盐作为辅助电解质；将上述配制的两种溶液混合，搅拌均匀，形成混合电解液，调节该混合电解液的PH值为1－2.5，搅拌10分钟，形成稳定的电解液溶液；以上述制备的溶液为电解液，在三电极电化学工作站上，以多孔阳极氧化铝模板粘贴的导电玻璃接触为工作电极，钛电极作对电极，以饱和甘汞电极作参比电极，作循环伏安特性，扫描方向从－1V到0V，扫描步长为0.1V/S，建立电沉积时用电流－电压曲线以确定电沉积电位；搅拌下，以上述步骤确定的电沉积电压进行电沉积，直至整个多孔阳极氧化铝模板变成黑色，即得到CdS、CdSe、CdTe或ZnSe半导体材料纳米线。
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公开(公告)号：CN101215467A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810032389.2
申请日：2008-01-08
Applicant: 上海大学
IPC: C09K11/02
Abstract: 本发明涉及一种硅烷包裹II－VI族半导体量子点的方法。该方法包括II－IV族半导体量子点的制备、无机包裹以及硅烷包裹。II－IV族半导体量子点的硅烷包裹的具有步骤为：将壬基酚聚氧乙烯醚溶于环己烷中形成稳定的反相胶束溶液，再将经过无机包裹的II－IV族半导体量子点的氯仿溶液，加入到步骤a的反相胶束溶液中，然后加入γ－巯丙基三甲氧基硅烷；调节pH值范围为8.0－10.0，加入正硅酸乙酯，然后进行功能化，最后得到经功能化的硅烷包裹的II－IV族半导体量子点；本发明方法通过控制量子点硅烷层的厚度来增加量子点在缓冲液中的稳定性，很好的保持其荧光特性，减少量子点的光漂白及其光猝灭效应，还可以通过选用不同的功能化基团来实现量子点的表面功能化修饰，提供量子点水溶后的生物应用基础，通过硅烷处理后的量子点可以使其成为生物荧光标记领域应用的首选。
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公开(公告)号：CN1554608A
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN200310122761.6
申请日：2003-12-23
Applicant: 上海大学
CPC classification number: C03C10/0045 , C03C8/02 , C03C10/0036 , C03C17/02
Abstract: 本发明涉及一种磁记录存储器介质用的玻璃基片材料及其制造方法，特别是一种双层结构的磁记录存储器介质用纳米相微晶玻璃基片材料及制备方法。本发明的一种磁记录存储器介质用纳米相微晶玻璃基片材料，由基体及其表面涂层构成，其特征在于基体为微晶玻璃；涂层为玻璃釉料，其厚度为60μm－100μm。本发明的微晶玻璃基片材料的制备方法包括三个步骤：玻璃釉料的制备、微晶玻璃基体材料的制备，将玻璃釉料涂覆于基体上形成双层结构的微晶玻璃基片材料。玻璃釉料的涂覆于微晶玻璃表面，舍去了网纹加工成膜工艺，有利于网纹加工；又因压应力提高了整体基板的机械强度；因表面的涂层少含或基本不含若干轻元素，大大提高防污染记忆膜的能力；由于涂层硬度较低，故易研磨。在进行表面处理抛光后，其表面粗糙度一般可达3左右。
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公开(公告)号：CN101728487B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200910198606.X
申请日：2009-11-11
Applicant: 上海大学
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种锰酞菁双酚A环氧衍生物有机太阳能电池的制备方法，属于太阳能电池制备工艺领域。本发明方法主要包括如下步骤：锰酞菁双酚A环氧衍生物的合成，然后通过旋涂将上述衍生物与四胺基锰酞菁(质量比1∶8)的N，N-二甲基甲酰胺(DMF)溶液旋涂于ITO导电玻璃称底上，得到一定厚度的锰酞菁薄膜，然后通过真空沉积法将C60和Al按不同要求蒸镀在上述锰酞菁薄膜上，最终获得肖特基型和PN结型有机太阳能电池。经测试，肖特基型的开路电压为0.6V，短路电流密度为4.7nA/cm2，PN结型的开路电压为0.14V，短路电流密度0.45μA/cm2。
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公开(公告)号：CN101728487A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910198606.X
申请日：2009-11-11
Applicant: 上海大学
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种锰酞菁双酚A环氧衍生物有机太阳能电池的制备方法，属于太阳能电池制备工艺领域。本发明方法主要包括如下步骤：锰酞菁双酚A环氧衍生物的合成，然后通过旋涂将上述衍生物与四胺基锰酞菁(质量比1∶8)的N，N-二甲基甲酰胺(DMF)溶液旋涂于ITO导电玻璃称底上，得到一定厚度的锰酞菁薄膜，然后通过真空沉积法将C60和Al按不同要求蒸镀在上述锰酞菁薄膜上，最终获得肖特基型和PN结型有机太阳能电池。经测试，肖特基型的开路电压为0.6V，短路电流密度为4.7nA/cm2，PN结型的开路电压为0.14V，短路电流密度0.45μA/cm2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100344802C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200510028231.4
申请日：2005-07-28
Applicant: 上海大学
IPC: C30B29/46
Abstract: 本发明涉及一种铅的硫族化合物半导体单晶的生长和制备方法，属于半导体单晶制备工艺技术领域。本发明采用高纯度的金属铅粉和硫族元素S、Se或Te粉按一定摩尔比称取重量，将两者放置于石英管内，石英管内抽真空，真空度达10-4Pa或10-5Pa，放于立式加热炉内加热熔化反应生成铅的硫族化合物PbS、PbSe、或PbTe，然后将其加热至熔点以上20℃，保持熔化状态，再下降至熔点温度，然后开动马达，提拉石英管，以5～7mm/天的速率提拉，达7～10天后，取出直径为25～30mm的半导体单晶。本发明方法实质上是通过熔体蒸发气相淀积而生长制备半导体单晶，并按一定晶面或晶向生长而成的半导体单晶材料。本发明方法所制得的较大尺寸的单晶可用于高集成度探测器或敏感功能器件中。
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公开(公告)号：CN1743412A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510029928.3
申请日：2005-09-23
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种以反微乳液为纳米反应器的II－VI族荧光标识半导体量子点MX的制备方法。该方法具体步骤为：原料准备、反微乳液合成、MX粉体制备、荧光标识半导体量子点MX的制备等步骤。本发明以反微乳胶液作为反应器，因此可通过控制微乳胶液的尺寸，达到调节量子点的尺寸的目的，实现量子点尺寸的有效控制。同时本发明方法制备的II－VI族化合物半导体量子点的可高效，低成本用作生物分子，蛋白质的研究或者临床诊断及新药物的发现的荧光标识探针。
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公开(公告)号：CN1233579C
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200310108398.2
申请日：2003-11-04
Applicant: 上海大学
CPC classification number: C03C3/095
Abstract: 本发明涉及一种磁记录存储器介质用玻璃基片材料及其制备方法，属玻璃材料及制备技术领域。本发明的一种磁记录存储器介质用玻璃基片材料，其组成成分及含量(重量百分比)如下：SiO260-70%、B2O34-9%、Na2O 4.5-6.5%、K2O 0-7%、Li2O0.1-9%、TiO20-5%、Al2O33-8%、As2O3+Sb2O30.4%、ZnO 0-6.5%、ZrO20-5%；另外还需加入适量的碱土金属、稀土元素氧化物。该基片材料制备方法为：按上述的原料的组成及配比进行称量，研磨混合均匀后放入熔炼炉中，加热到1300～1350℃温度，使其熔化，并保温5～6小时，并搅拌；出炉后，将融化的原料放至专用的成形模具中，其模具温度在400～500℃。当成形后，即进入退火炉中热处理，热处理温度为500-550℃，退火时间不超过8小时。并以4～15℃/min冷却至室温，取出即可。
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公开(公告)号：CN101465215B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200910044846.4
申请日：2009-01-04
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E10/542
Abstract: 本发明涉及一种纳米晶介孔TiO2厚膜材料的制备方法，它包括：介孔TiO2溶胶制备，经匀胶机在导电玻璃上旋涂介孔TiO2的薄膜，高温退火为凝胶，薄膜上用丝网印刷法制介孔TiO2厚膜，陈化为凝胶，烧结晶化，制成纳米晶介孔TiO2厚膜材料。该发明用旋涂法制介孔TiO2薄膜显著提高丝网印刷厚膜的欧姆接触电学性能；丝网印刷法所需的介孔TiO2浆料制备过程与现有的过程相比操作简单，介孔TiO2浆料在丝网印刷过程中易印刷，与水介质相比不易挥发，可得到无裂纹厚度可控的介孔TiO2厚膜。该厚膜具有高度有序介孔结构，用介孔TiO2厚膜材料制备的介孔TiO2厚膜电极光电太阳能电池的光敏化电极，能提高太阳能的电池转化效率。
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公开(公告)号：CN100567390C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200810034136.9
申请日：2008-02-29
Applicant: 上海大学
IPC: C08L49/00 , C08K5/3415
Abstract: 本发明涉及一种具有高光电导性的聚对苯乙炔/酞菁复合材料的的制备方法。该方法包括如下步骤：酰胺酞菁锌的合成，通过羧基取代酰胺基制备羧基酞菁锌，在此基础上进行酰氯化制备酰氯酞菁锌，聚苯乙酰的合成，以及酰氯酞菁锌和聚苯乙酰的复合反应。本发明制备的聚对苯乙炔/酞菁复合材料具有成膜性好、光电导性能高的特点，在软基太阳能电池上有良好应用。
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