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公开(公告)号：CN119819308A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510091279.7
申请日：2025-01-21
Applicant: 上海大学
IPC: B01J23/825 , B01J35/50 , B01J35/30 , C01B3/40
Abstract: 本发明涉及一种高稳定性、Ga离子掺杂烧结型的铝酸钙/Ni复合催化剂及其制备方法和应用。铝酸钙/Ni复合催化剂的制备方法具体步骤如下：S1、制备铝酸钙载体：将Al(OH)3和CaCO3预烧后得到铝酸钙粉末，将铝酸钙粉末和Ga2O3混合，二次煅烧后得到铝酸钙载体；S2、制备铝酸钙/Ni复合催化剂：将步骤S1中制备得到的铝酸钙载体浸没于饱和六水硝酸镍溶液中，干燥后进行高温分解氧化，氧化后用H2还原，得到铝酸钙/Ni复合催化剂。与现有技术相比，本发明通过Ga离子掺杂可以改善镍颗粒在载体中的分布，增强镍的迁移阻力，有效地避免了因镍团聚而导致的失活，提高复合催化剂的高温催化稳定性。
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公开(公告)号：CN113471303A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110658831.8
申请日：2021-06-15
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0296 , H01L31/032 , H01L31/115 , H01L31/117 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种高探测效率自支撑CdZnTe厚膜结构、探测器件及其制备方法和应用。本发明提供的高探测效率自支撑CdZnTe厚膜伽马射线探测器制备方法包括衬底预处理、CdZnTe膜的生长过程、CdZnTe膜的剥离过程、自支撑CdZnTe厚膜伽马射线探测器的电极制作四个主要步骤。本发明方法通过在一种高热导率的单晶膜基底上生长CdZnTe厚膜，基底的高热导率能促进CZT晶粒的形核，进而获得大面积、低缺陷浓度的CdZnTe厚膜，所制得的高探测效率自支撑CdZnTe厚膜伽玛射线探测器具备十分优异的高能辐射探测特性，在室温条件下体漏电流和噪声都较低，对伽玛射线的截止能力和探测量子效率较高，成为目前室温半导体辐射探测领域的热点。
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公开(公告)号：CN104377037B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201410686145.1
申请日：2014-11-26
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种具有高附着力的石墨烯厚膜电极的制备方法。它包括Hummers氧化还原法制备石墨烯粉体、球磨石墨烯粉体和手术刀法制备石墨烯厚膜三个主要步骤。本发明中利用液相无水乙醇和粘结剂松油醇与石墨烯粉体球磨，得到粘稠可控，颗粒均匀的石墨烯浆料；经涂抹于导电玻璃表面，最终得到的石墨烯厚膜电极，该厚膜电极附着力强，膜厚可控，性能优良。将该方法制备的石墨烯厚膜电极应用于染料敏化太阳能电池中，可得到优良的光电转换性能。
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公开(公告)号：CN102903539A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210407641.X
申请日：2012-10-24
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E10/542
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯厚膜电极的制备方法，它包括石墨烯浆料制备，手术刀法制备石墨烯厚膜，高温退火以去除厚膜中的有机物成分三个主要步骤。该方法可有效解决石墨烯材料在导电玻璃基底上的成膜问题，其石墨烯浆料的制备工艺较为简便，浆料的粘稠程度可控，可以得到较为均匀的、厚度可控的石墨烯厚膜。使用该方法制备的石墨烯厚膜应用于染料敏化太阳能电池的对电极得到良好的光电转换性能。
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公开(公告)号：CN102637536A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210130125.7
申请日：2012-04-28
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E10/542
Abstract: 本发明涉及一种用锌酞菁双酚A环氧衍生物敏化的太阳能电池制备方法，属于太阳能电池制备工艺领域。合成步骤为：首先采用苯酐-尿素溶剂法制备四硝基锌酞菁，再通过Na2S·9H2O将其还原得到四氨基锌酞菁。另再合成双酚A二缩水环氧甘油醚，将其再与四氨基锌酞菁反应，得到锌酞菁双酚A环氧衍生物，以此衍生物为染料光敏化剂，敏化TiO2纳米晶膜，制取了染料敏化太阳能电池。该染料光敏化剂具有较高的荧光量子效率，在紫外波段(300-400nm)和近红外波段(600-800nm)均具有良好的光吸收。与四氨基锌酞菁相比，该染料制备的染料敏化太阳能电池，具有更高的光电流、光电压和光电转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1554608A
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN200310122761.6
申请日：2003-12-23
Applicant: 上海大学
CPC classification number: C03C10/0045 , C03C8/02 , C03C10/0036 , C03C17/02
Abstract: 本发明涉及一种磁记录存储器介质用的玻璃基片材料及其制造方法，特别是一种双层结构的磁记录存储器介质用纳米相微晶玻璃基片材料及制备方法。本发明的一种磁记录存储器介质用纳米相微晶玻璃基片材料，由基体及其表面涂层构成，其特征在于基体为微晶玻璃；涂层为玻璃釉料，其厚度为60μm－100μm。本发明的微晶玻璃基片材料的制备方法包括三个步骤：玻璃釉料的制备、微晶玻璃基体材料的制备，将玻璃釉料涂覆于基体上形成双层结构的微晶玻璃基片材料。玻璃釉料的涂覆于微晶玻璃表面，舍去了网纹加工成膜工艺，有利于网纹加工；又因压应力提高了整体基板的机械强度；因表面的涂层少含或基本不含若干轻元素，大大提高防污染记忆膜的能力；由于涂层硬度较低，故易研磨。在进行表面处理抛光后，其表面粗糙度一般可达3左右。
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公开(公告)号：CN108258081B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201711281101.0
申请日：2017-12-07
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296 , H01L31/109
Abstract: 本发明提供了一种CdZnTe薄膜和AlN/CdZnTe基紫外光探测器制备方法及应用，基于AlN基底生长CdZnTe薄膜并制备AlN/CdZnTe基紫外光探测器，本发明AlN/CdZnTe基紫外光探测器制备方法包括AlN衬底的制备、CdZnTe多晶升华源的准备、衬底预处理、CdZnTe薄膜的生长过程、AlN/CdZnTe基紫外光探测器的电极制作5个主要步骤。本发明方法可以在AlN衬底上快速生长大面积、高质量的CdZnTe薄膜，AlN衬底可以保证AlN/CdZnTe基紫外光探测器在极端环境下的使用，所制得的复合结构对紫外光也有着较强的光响应。
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公开(公告)号：CN108258081A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201711281101.0
申请日：2017-12-07
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296 , H01L31/109
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1832 , H01L31/02966 , H01L31/109 , H01L31/1836
Abstract: 本发明提供了一种CdZnTe薄膜和AlN/CdZnTe基紫外光探测器制备方法及应用，基于AlN基底生长CdZnTe薄膜并制备AlN/CdZnTe基紫外光探测器，本发明AlN/CdZnTe基紫外光探测器制备方法包括AlN衬底的制备、CdZnTe多晶升华源的准备、衬底预处理、CdZnTe薄膜的生长过程、AlN/CdZnTe基紫外光探测器的电极制作5个主要步骤。本发明方法可以在AlN衬底上快速生长大面积、高质量的CdZnTe薄膜，AlN衬底可以保证AlN/CdZnTe基紫外光探测器在极端环境下的使用，所制得的复合结构对紫外光也有着较强的光响应。
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公开(公告)号：CN105801127A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610120001.9
申请日：2016-03-03
Applicant: 上海大学
IPC: C04B35/581 , C04B35/64
CPC classification number: C04B35/581 , C04B35/64 , C04B2235/6582
Abstract: 本发明公开了一种集成电路封装用的高热导率氮化铝陶瓷基板制备方法，其步骤：(1)先取无水碳酸锂、无水氧化钇放于马弗炉，合成锂酸钇，再经湿法球磨，制成浆料；(2)将球磨后浆料放入烘干机干燥，将烘干的干料经筛选，获得锂酸钇粉末；(3)按质量百分比，取锂酸钇、氟化钙和AlN粉体放于无水乙醇介质中，球磨24h，制成浆料；(4)将球磨后浆料放入烘干机干燥，将烘干的干料筛选，得到混合粉末；(5)将所得的粉末再干压、静压成型,得到素胚；(6)将素胚放在高温氮气炉，在氮气和氢气气氛中，升温至1450℃,烧结保温1小时，再升温至1735℃，烧结保温8h，然后降温冷却至室温，获得高热导率AlN陶瓷基板。该方法制备的AlN陶瓷基板热导率高、结构致密，晶粒细小，且分布均匀。
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公开(公告)号：CN105742508A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610221077.0
申请日：2016-04-12
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/0078 , H01L51/44
Abstract: 本发明公开了一种四氨基锌酞菁有机空穴传输层钙钛矿太阳能电池的制备方法，首先采用微波法制备四硝基锌酞菁，再将其还原得到四氨基锌酞菁，以此衍生物作为有机空穴传输层，旋涂在涂覆有钙钛矿的TiO2膜上，制备了钙钛矿太阳能电池。本发明合成了一种酞菁衍生物染料—四氨基酞菁锌，作为钙钛矿TiO2太阳能电池有机空穴传输层，采用微波合成能大大缩减反应时间，提高反应产率，并且减少环境污染，并制备了基于该有机材料空穴传输层的绿色、环保、高效的钙钛矿太阳能电池。
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