基板处理装置、基板处理方法以及存储介质

    公开(公告)号:CN110783231B

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN201910700630.2

    申请日:2019-07-31

    摘要: 本发明提供基板处理装置、基板处理方法以及存储介质,在对基板的表面照射处理用的光的基板处理中能够有效地提高基板的表面内的光的照射量的均匀性。基板处理装置(1)具备:光照射部(30),其向晶圆(W)的表面(Wa)的比处理对象区域(TA)小的照射区域(A1)内照射处理用的光;驱动部(15),其使照射区域(A1)在沿着晶圆(W)的表面(Wa)的平面内沿彼此交叉的两个方向移动;以及控制器(100),其控制驱动部(15),使得照射位置按照移动图案沿两个方向移动,该移动图案是以向处理对象区域(TA)的整个区域照射光的方式设定的图案。

    基片处理控制方法、基片处理装置和存储介质

    公开(公告)号:CN112558417A

    公开(公告)日:2021-03-26

    申请号:CN202010965656.2

    申请日:2020-09-15

    IPC分类号: G03F7/16

    摘要: 本发明提供根据基片处理的状态来适当地控制各种参数的基片处理控制方法、基片处理装置和存储介质。具有包含多个第一水准单元的第一要素和包含的多个第二水准单元的第二要素的基片处理装置中的基片处理控制方法,其包括:获取步骤,其对每个基片获取包含确定进行了第一处理的第一水准单元的信息、确定进行了第二处理的第二水准单元的信息和关于基片的特性的特征量的信息的数据集;计算步骤,其基于数据集,计算包含特征量的预期值、相对于预期值的第一水准单元的水准单元偏差和相对于预期值的第二水准单元的水准单元偏差的信息;以及修正步骤,其基于在计算步骤中计算出的信息,修正第一水准单元的第一参数或者第二水准单元的第二参数。

    基板处理装置、基板处理方法以及存储介质

    公开(公告)号:CN110783231A

    公开(公告)日:2020-02-11

    申请号:CN201910700630.2

    申请日:2019-07-31

    摘要: 本发明提供基板处理装置、基板处理方法以及存储介质,在对基板的表面照射处理用的光的基板处理中能够有效地提高基板的表面内的光的照射量的均匀性。基板处理装置(1)具备:光照射部(30),其向晶圆(W)的表面(Wa)的比处理对象区域(TA)小的照射区域(A1)内照射处理用的光;驱动部(15),其使照射区域(A1)在沿着晶圆(W)的表面(Wa)的平面内沿彼此交叉的两个方向移动;以及控制器(100),其控制驱动部(15),使得照射位置按照移动图案沿两个方向移动,该移动图案是以向处理对象区域(TA)的整个区域照射光的方式设定的图案。