公开(公告)号：CN111180512A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN202010008661.4

申请日：2020-01-06

Applicant: 中南大学

Inventor： 汪炼成 ,  张羽 ,  彭程 ,  黄强 ,  张磊 ,  滕以然 ,  朱文辉

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供了一种结合浮栅的IGBT器件结构，包括：IGBT结构及浮栅结构，所述IGBT结构包括有一金属集电极，所述金属集电极的上方依次设置有P+集电区、N型缓冲层、N-漂移区、P型基区、N+源区和金属发射极，所述金属发射极使得位于同侧的N+源区与P型基区短接，且所述金属发射极均接源极电位；所述浮栅结构由隧道氧化层、浮栅电极、栅氧化层和控制栅电极组成，所述浮栅电极通过所述隧道氧化层与所述N-漂移区、P型基区和N+源区隔离，所述控制栅电极通过所述栅氧化层与所述浮栅电极隔离；本发明具有缩短关断时间、提升关断稳定性和减小漏电流功能，同时不会增加导通电阻，并且浮栅结构制作工艺简单，拥有良好的应用效果。