公开(公告)号：CN111180557A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201911356012.7

申请日：2019-12-25

Applicant: 中南大学

Inventor： 汪炼成 ,  梁思远 ,  张羽 ,  万荣桥 ,  高祥

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/26 ,  H01L33/02 ,  H01L33/40

Abstract: 本发明提供了基于p-Si/n-AlxGayIn2-x-yO3异质结紫外发光二极管及制备方法，属于半导体技术领域，本发明器件制作工艺简单，n-AlxGayIn2-x-yO3层生长工艺成熟，成本低，易于实施，可以大规模推广。该异质结的紫外发光二极管主要包括p-Si层、介质层、n-AlxGayIn2-x-yO3和金属电极，其是在P型Si衬底上生长一层介质层，再生长n-AlxGayIn2-x-yO3薄膜形成异质pN结；本发明制备的p-Si/n-AlxGayIn2-x-yO3异质pN结紫外发光二极管利用p-Si作为空穴注入源，大大提高了空穴的浓度，且抑制了载流子在间接带隙的p-Si区复合发光，具有较好的发光性能、以及较低的阈值电压，并且其发光强度很高。

公开(公告)号：CN118756737A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202411054671.6

申请日：2024-08-02

Applicant: 广州地铁设计研究院股份有限公司 ,  中南大学

Inventor： 刘胜利 ,  施成华 ,  周鲁 ,  张羽 ,  蔡昭武 ,  孙晓贺 ,  李俊 ,  赵峰 ,  林坚 ,  王国喜 ,  朱晶晶 ,  刘栋 ,  吴斌

IPC: E02D19/16 ,  E02D31/02

Abstract: 本发明涉及地下工程渗漏水治理领域，具体涉及一种应用于地下工程的堵漏装置及堵漏方法，堵漏装置包括第一堵漏装置和第二堵漏装置，第一堵漏装置用于对地下工程渗漏水部位进行堵漏，第二堵漏装置覆盖于第一堵漏装置上，第一堵漏装置和第二堵漏装置配合，实现对地下工程渗漏水部位的长效防水；本发明还提供一种堵漏方法，采用如上的堵漏装置进行堵漏；本发明通过第一堵漏装置实现地下工程渗漏水部位的快速堵漏，通过第二堵漏装置结合第一堵漏装置实现地下工程渗漏水部位的长效防水；此外，第一堵漏装置包含橡胶囊体，通过对橡胶囊体注浆实现地下工程渗漏水部位的快速堵漏，解决了现有技术中因水流问题导致注浆液稀释流失，进而造成成本高的问题。

公开(公告)号：CN111180512A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN202010008661.4

申请日：2020-01-06

Applicant: 中南大学

Inventor： 汪炼成 ,  张羽 ,  彭程 ,  黄强 ,  张磊 ,  滕以然 ,  朱文辉

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供了一种结合浮栅的IGBT器件结构，包括：IGBT结构及浮栅结构，所述IGBT结构包括有一金属集电极，所述金属集电极的上方依次设置有P+集电区、N型缓冲层、N-漂移区、P型基区、N+源区和金属发射极，所述金属发射极使得位于同侧的N+源区与P型基区短接，且所述金属发射极均接源极电位；所述浮栅结构由隧道氧化层、浮栅电极、栅氧化层和控制栅电极组成，所述浮栅电极通过所述隧道氧化层与所述N-漂移区、P型基区和N+源区隔离，所述控制栅电极通过所述栅氧化层与所述浮栅电极隔离；本发明具有缩短关断时间、提升关断稳定性和减小漏电流功能，同时不会增加导通电阻，并且浮栅结构制作工艺简单，拥有良好的应用效果。