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公开(公告)号：CN114244116B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202111570446.4
申请日：2021-12-21
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC分类号： H02M3/158
摘要： 本发明属于电源管理电路领域，具体涉及一种用于BUCK‑BOOST控制器的模式判别电路，该电路包括：电压转电流电路、逻辑运算电路、锯齿波产生电路以及比较器；电压转电流电路的输出端与逻辑运算电路的输入端连接，逻辑运算电路的输出端与比较器的正极输入端连接，锯齿波产生电路与比较器的负极输入端连接，构成模式判别电路；本发明设计了一种应用于BUCK‑BOOST控制器的模式判别电路，该电路根据BUCK‑BOOST控制器中输入电压和输出电压关系输出一个信号，该信号可控制BUCK‑BOOST控制器芯片工作在三种不同的工作状态而实现模式之间平滑切换，维持环路稳定性和输出电压的恒定。
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公开(公告)号：CN115421547A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211211335.9
申请日：2022-09-30
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明属于模拟集成电路领域，具体涉及一种具有跨导增强电路的低压差线性稳压器，包括：带隙基准、误差放大器、功率管Mp、补偿电容Cm、电阻反馈网络以及输出电容Co；误差放大器包括电流源IB1、8个MOS管M1～M8以及跨导增强电路；其中跨导增强电路包括放大器和两个MOS管M9～M10；M9的漏极连接M7的源极，栅极分别与M10的栅极、放大器的输出端连接，源极接地；M10的漏极分别连接M8的源极、放大器的第一输入端以及补偿电容Cm的正极，源极接地；放大器的第二输入端外接电压源；本发明通过跨导增强电路提高差分放大电路中的等效跨导，从而降低负载电流，增加时环路复数极点的Q值，提升环路稳定性。
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公开(公告)号：CN115021733A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210748873.5
申请日：2022-06-29
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC分类号： H03K17/14 , H03K17/687
摘要： 本发明属于集成电路领域，具体涉及一种单开关管的输出可调的自举电路，包括：第一PMOS管、第二PMOS管、误差放大器、二极管、可变电阻、电阻、电容；所述第一PMOS管源极为电路输入供电电压，栅极接误差放大器的输出端，漏极接二极管的正极，所述二极管的负极接可变电阻；所述误差放大器的负极接基准电压，误差放大器的正极接第二PMOS管漏极和电阻一端，所述电阻另一端接地；所述第二PMOS管源极接可变电阻，栅极接SW信号；所述电容的负极接SW信号，电容正极和可变电阻连接作为电路输出端。本发明解决了传统自举电路中自举电压不可调的问题，同时电路只需控制一个开关管，无需考虑死区时间，优化了电路结构。
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公开(公告)号：CN109273533B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201811120983.7
申请日：2018-09-26
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要： 本发明属于分立器件设计领域，涉及一种具有自关断能力的VDMOS器件结构及其制备方法，所述器件结构包括P+型衬底，所述P+型衬底之上设置有P型外延层，所述P型外延层之上设置有N型体区，所述N型体区之上设置有P+型源区，在形成的VDMOS器件结构中，外围金属场板与芯片元胞的金属部分进行连接；本发明工艺简单易行，实施度高，且新的VDMOS结构清楚简单，稳定可靠，解决了传统VDMOS器件栅极悬空的可靠性风险，可提高器件的使用可靠性，具有高度的产业利用价值。
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公开(公告)号：CN109273533A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811120983.7
申请日：2018-09-26
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要： 本发明属于分立器件设计领域，涉及一种具有自关断能力的VDMOS器件结构及其制备方法，所述器件结构包括P+型衬底，所述P+型衬底之上设置有P型外延层，所述P型外延层之上设置有N型体区，所述N型体区之上设置有P+型源区，在形成的VDMOS器件结构中，外围金属场板与芯片元胞的金属部分进行连接；本发明工艺简单易行，实施度高，且新的VDMOS结构清楚简单，稳定可靠，解决了传统VDMOS器件栅极悬空的可靠性风险，可提高器件的使用可靠性，具有高度的产业利用价值。
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公开(公告)号：CN117410337A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311345599.8
申请日：2023-10-17
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
摘要： 本发明属于半导体功率器件领域，具体涉及一种总剂量辐射加固的SGT MOSFET器件，包括：漏极金属位于N型衬底层下表面；N型漂移区位于N型衬底层上表面；N型漂移区内设有沟槽，沟槽内放置槽型栅电极结构；P型沟道层位于N型漂移区上表面，且位于沟槽侧壁；N型源区位于P型沟道层上表面，且位于沟槽侧壁；氧化层位于N型源区和槽型栅电极结构的上表面；源极金属层位于氧化层上表面；P型柱层被包裹在N型漂移区内部，并与P型沟道层相接；本发明在常规SGT MOSFET器件基础上，在源极金属孔正下方的N型漂移区内引入P型柱层，能有效提升抗总剂量能力，抑制总剂量辐射导致的击穿电压退化。
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公开(公告)号：CN115373456B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211143091.5
申请日：2022-09-20
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明属于模拟集成电路中的稳压器技术领域，具体涉及一种输出极点动态跟踪补偿的并联调制低压差线性稳压器，该器件包括：带隙基准、误差放大器、反馈放大器、零点产生电路、缓冲器、高通滤波电路、采样功率管MS、电流源IB、功率管MP以及电阻反馈网络；其中误差放大器、零点产生电路、缓冲器、功率管MP以及电阻反馈网络组成第一环路；反馈放大器、零点产生电路、缓冲器、采样功率管MS以及高通滤波电路组成第二环路；本发明在LDO电路中通过新增一个反馈环路，两个环路并联可以在环路中产生一个零点，该零点可以跟随输出极点的变化而变化，实现动态跟踪的作用，从而维持不同负载电容、不同负载电流条件下的环路的稳定性。
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公开(公告)号：CN113708754B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202110979845.X
申请日：2021-08-25
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC分类号： H03K19/0185
摘要： 本发明属于集成电路领域，特别涉及一种高边电平移位和驱动电路；包括逻辑电路、低电平产生电路和高电平产生电路；本发明在逻辑电路产生驱动电压为高电平时，控制高电平产生电路不工作，让低电平产生电路产生低电平电压；在逻辑电路产生的驱动电压为低电平时，控制低电平产生电路不工作，让高电平产生电路产生高电平电压。本发明电路结构简单，设计复杂度低；本发明高边驱动信号的低电平电压可根据低电平产生电路中第二支路中的电流源及其PMOS管的宽长比进行任意调节，能够输出任意连续的低电平电压值；本发明不需使用三极管，能够减小电路驱动能力对工艺中三极管的要求，避免了工艺制造中三极管的性能差异对电路的驱动能力的影响。
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公开(公告)号：CN113965060A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111239466.3
申请日：2021-10-25
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
摘要： 本发明属于集成电路领域，特别涉及一种应用于LDO芯片的泄漏电流消除电路及消除方法。所述消除电路包括相互连接的泄漏电流采样电路、电流输出电路以及电流放大电路；所述泄漏电流采样电路连接LDO的输出端，并采样该LDO的功率管的泄漏电流；所述电流输出电路连接LDO内部缓冲电路的基极，并根据缓冲电路基极电位检测功率管的工作状态，在所述功率管进入截止区时，将采样的泄漏电流输出；所述电流放大电路连接LDO的输出端，并将采样的泄漏电流放大后注入到所述输出端中，抵消功率管的泄漏电流。本发明可精确采样并抵消功率管泄漏电流，避免空载时LDO输出电压偏离典型值。
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公开(公告)号：CN118732770A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410964900.1
申请日：2024-07-18
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明属于集成电路技术领域，涉及一种宽输入电压范围低温漂带隙基准电路。包括预稳压电路、启动电路、偏置电路和带隙基准核心电路；预稳压电路将输入电压转换为预稳压，产生偏置电压；预稳压为启动电路、偏置电路和带隙基准核心电路供电；启动电路接收到预稳压电路的偏置电压后，为带隙基准核心电路提供电流或为抬升电压以启动，在启动完成后，启动电路关闭；偏置电路为带隙基准核心电路的电流镜提供偏置电压，以使得其在正确工作点运行；带隙基准核心电路能进行高阶补偿，产生低温漂系数的带隙基准电压。本发明具有低温漂、低线性调整率、低静态电流、核心结构简单的优点，可为宽输入LDO等电路提供基准电压，适用于基站、汽车电子应用场景。
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