公开(公告)号：CN111128769A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911202959.2

申请日：2019-11-29

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 魏少伟 ,  徐达 ,  杨彦锋 ,  冯志宽 ,  戎子龙 ,  张献武 ,  苏彦文 ,  马玉培 ,  李丛 ,  马海雯 ,  郭志强 ,  王丽平

IPC分类号： H01L21/60

摘要： 本发明提供了一种球栅阵列封装的植球结构及植球方法，属于芯片封装技术领域，球栅阵列封装的植球结构包括基板、焊盘层、中心铜核球阵列以及常规焊球组；其中，基板的正面用于粘接大功率芯片，基板上穿设有用于导通基板的正面和背面的导柱；焊盘层设于基板的背面，焊盘层与基板的正面导通并与大功率芯片通过引线连接；中心铜核球阵列植于焊盘层上，中心铜核球阵列的位置用于与大功率芯片的背面对齐；常规焊球组植于焊盘层上并成环型围绕于中心铜核球阵列的周围。本发明提供的一种球栅阵列封装的植球结构及值球方法，中心铜核球阵列能够快速散热、常规焊球组能够辅助缓解热应力，在未增加散热结构体积的情况下提高了球栅阵列封装的散热能力。