一种抗辐射加固栅介质的EMCCD结构

    公开(公告)号:CN113113440B

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202110394057.4

    申请日:2021-04-13

    IPC分类号: H01L27/148

    摘要: 本发明属于CCD器件技术邻域,具体涉及一种抗辐射加固栅介质的EMCCD结构,该结构包括:光敏区、存储区、水平区、电子倍增寄存器以及读出放大器;光敏区的结构包括硅衬底、栅介质二氧化硅层、栅介质氮化硅层以及多晶硅层;存储区、水平区和电子倍增寄存器的介质层的结构与光敏区的结构相似;电子倍增寄存器的栅介质二氧化硅层比光敏区和存储区的栅介质二氧化硅层厚;本发明的EMCCD结构中较薄的光敏区和存储区的栅介质二氧化硅层保证了EMCCD良好的抗辐射性能,较厚的电子倍增寄存器栅介质二氧化硅层保证了EMCCD在高电压工作时良好的绝缘性,解决了因电子倍增寄存器漏电而给图像造成亮斑或者亮条的问题。

    一种CCD高光谱成像超高动态循环曝光控制方法及系统

    公开(公告)号:CN115002365A

    公开(公告)日:2022-09-02

    申请号:CN202210585987.2

    申请日:2022-05-26

    IPC分类号: H04N5/372 H04N5/235 H04N5/355

    摘要: 本发明公开了一种CCD高光谱成像超高动态循环曝光控制方法及系统,包括产生第一驱动时序和第二驱动时序,基于第一驱动时序控制CCD在循环积分周期的第一帧周期内工作于ITR模式,对光敏区的无效积分进行清除后再对光敏区探测到的光信号依次经积分过程、快态转移过程及慢态读出过程得到第一帧图像;以及判断第n帧周期的工作状态是否满足预设条件,若满足则通过第一驱动时序控制CCD在第n帧周期内工作于ITR模式,否则通过第二驱动时序控制CCD在第n帧周期内工作于IWR模式,以此循环,实现超短积分时间和长积分时间曝光周期的快速切换,进而提升CCD的动态范围指标。

    一种抗辐射加固栅介质的EMCCD结构

    公开(公告)号:CN113113440A

    公开(公告)日:2021-07-13

    申请号:CN202110394057.4

    申请日:2021-04-13

    IPC分类号: H01L27/148

    摘要: 本发明属于CCD器件技术邻域,具体涉及一种抗辐射加固栅介质的EMCCD结构,该结构包括:光敏区、存储区、水平区、电子倍增寄存器以及读出放大器;光敏区的结构包括硅衬底、栅介质二氧化硅层、栅介质氮化硅层以及多晶硅层;存储区、水平区和电子倍增寄存器的介质层的结构与光敏区的结构相似;电子倍增寄存器的栅介质二氧化硅层比光敏区和存储区的栅介质二氧化硅层厚;本发明的EMCCD结构中较薄的光敏区和存储区的栅介质二氧化硅层保证了EMCCD良好的抗辐射性能,较厚的电子倍增寄存器栅介质二氧化硅层保证了EMCCD在高电压工作时良好的绝缘性,解决了因电子倍增寄存器漏电而给图像造成亮斑或者亮条的问题。

    CCD器件漏电流测试装置的控制方法

    公开(公告)号:CN107024612B

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201710282153.3

    申请日:2017-04-26

    IPC分类号: G01R19/00

    摘要: 本发明公开了一种CCD器件漏电流测试装置的控制方法,具体的控制方法包括:所述CCD器件漏电流测试装置上电后,将待测试的CCD器件的管脚插接在CCD插接模块的插孔中,1)操作人员向上位机录入待测试的CCD器件的类型信息,上位机根据录入的CCD器件的类型信息加载相应的测试规则,然后以图表形式对多个继电器进行显示,然后待命;2)操作人员向上位机输入开始测试的命令后,上位机按测试规则向控制模块顺次输入多个测试步骤;每输入一次测试步骤后,上位机就对检测信号进行一次采样,然后再输入下一测试步骤;采样得到的检测信号的数值标记在所述图表上相应继电器的位置处;所有测试步骤都运行完毕后,测试操作结束。

    用于检测CCD器件漏电流的测试装置

    公开(公告)号:CN107132395A

    公开(公告)日:2017-09-05

    申请号:CN201710282155.2

    申请日:2017-04-26

    IPC分类号: G01R19/00

    摘要: 本发明公开了一种用于检测CCD器件漏电流的测试装置,所述测试装置由上位机、电流表模块、多个继电器、控制模块、CCD插接模块和可调直流电源模块组成;所述继电器采用单刀双掷开关继电器;本发明的有益技术效果是:提出了一种用于检测CCD器件漏电流的测试装置,该测试装置可以对CCD器件管脚漏电流进行高效、全面的测试,保证产品品质。

    CCD垂直时序驱动电路
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103826074B

    公开(公告)日:2017-01-25

    申请号:CN201410110710.X

    申请日:2014-03-24

    IPC分类号: H04N5/372 H04N17/00

    摘要: 一种CCD垂直时序驱动电路,由开关模块、稳压电路、功率幅度放大电路、高电平直流源和低电平直流源组成;所述功率幅度放大电路能对高电平直流源和低电平直流源中的一者进行处理并通过所述输出端向外输出;所述稳压电路能提供四路控制信号;所述开关模块能通过操作四路控制信号来控制功率幅度放大电路的动作。本发明的有益技术效果是:测试电路能根据不同的时序脉冲生成对应的CCD驱动信号,一套测试电路就能满足不同类型的CCD的测试需要,降低了测试过程中的硬件消耗,避免了现有技术需要为不同类型CCD单独设计驱动电路的烦琐工作,间接地使得测试工作的效率也得到了提高。

    CCD驱动时序生成方法及其驱动时序生成装置

    公开(公告)号:CN103402062A

    公开(公告)日:2013-11-20

    申请号:CN201310353387.4

    申请日:2013-09-02

    IPC分类号: H04N5/372

    摘要: 一种CCD驱动时序生成方法,包括:由终端设备、处理芯片、CCD驱动电路和外围电路形成的CCD驱动时序生成装置;操作者通过终端设备将参量输入处理芯片,处理芯片控制外围电路生成脉冲时序,CCD驱动电路生成CCD驱动信号;参量类型有三种,即时间、电平状态和循环次数;处理芯片接收输入的时间时,保证多个时间之间维持刚性数学关系。本发明的有益技术效果是:提供了一种仅依赖一套硬件装置就能生成不同驱动时序的CCD驱动时序生成方法,以及由此方法所获得的装置,该方法简单、直观,不需要测试人员掌握复杂的程序语言和编译规则,通用性强,可满足任何CCD芯片的驱动时序设计、测试需要,所依赖的硬件设备复杂度较低,成本低廉。

    一种CCD高光谱成像超高动态循环曝光控制方法及系统

    公开(公告)号:CN115002365B

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202210585987.2

    申请日:2022-05-26

    摘要: 本发明公开了一种CCD高光谱成像超高动态循环曝光控制方法及系统,包括产生第一驱动时序和第二驱动时序,基于第一驱动时序控制CCD在循环积分周期的第一帧周期内工作于ITR模式,对光敏区的无效积分进行清除后再对光敏区探测到的光信号依次经积分过程、快态转移过程及慢态读出过程得到第一帧图像;以及判断第n帧周期的工作状态是否满足预设条件,若满足则通过第一驱动时序控制CCD在第n帧周期内工作于ITR模式,否则通过第二驱动时序控制CCD在第n帧周期内工作于IWR模式,以此循环,实现超短积分时间和长积分时间曝光周期的快速切换,进而提升CCD的动态范围指标。