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公开(公告)号：CN106356290A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610962410.3
申请日：2016-10-28
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L21/265 , H01L31/107 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/107 , H01L21/2654 , H01L31/1804
摘要： 一种1064nm硅基雪崩探测器，所述1064nm硅基雪崩探测器包括衬底层、光敏区、雪崩区、保护环和截止环，其创新在于：保护环的数量为两个，第一保护环设置在光敏区外围，光敏区的外周边沿位于第一保护环的径向中部，雪崩区与第一保护环之间留有间隔，第二保护环设置在第一保护环的外围，第二保护环和第一保护环之间留有间隔，截止环设置在第二保护环的外围，截止环和第二保护环之间留有间隔。本发明的有益技术效果是：提出了一种1064nm硅基雪崩探测器及其制作方法，该探测器具备较好的抗边缘击穿能力，能在高温环境下长期稳定工作。
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公开(公告)号：CN111430397B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202010251137.X
申请日：2020-04-01
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/148
摘要： 本发明公开了一种具有增透膜的多谱段TDICCD结构，包括多个谱段，每个谱段均包括级数选通栅和多个像元，每个像元的左端和右端均设有沟阻，每个所述像元均包括增透膜开窗区域和垂直CCD区域，在所述增透膜开窗区域的上端和下端均设有沟阻，在所述增透膜开窗区域履盖有增透膜,所述垂直CCD区域履盖有复合栅介质，所述复合栅介质履盖有垂直CCD驱动栅。本发明提出了一种新的TDICCD结构，通过采用增透模开窗结构大大减少了垂直CCD驱动栅的覆盖面积，在开窗区域内增大了光线的透射率；级数选通栅CSS引线和垂直CCD驱动栅引线采用分区走线的结构，提高了像元占空比，改善了器件的量子效率。
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公开(公告)号：CN111540760B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202010405982.8
申请日：2020-05-14
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/148
摘要： 本发明公开了一种成像均匀的TDICCD图像传感器，包括TDICCD阵列，所述TDICCD阵列包括若干像元结构，每个所述像元结构均包括衬底和设置在所述衬底上的垂直CCD结构，所述垂直CCD结构用于传输光生信号，两个相邻的垂直CCD结构之间设有抗晕结构；所述垂直CCD结构包括第一垂直CCD驱动相、第二垂直CCD驱动相、第三垂直CCD驱动相和第四垂直CCD驱动相，两个相邻的第四垂直CCD驱动相之间设有阻挡势垒结构，所述阻挡势垒结构围设在所述抗晕结构的四周；所述衬底和垂直结构之间设有非均匀注入埋沟结构，防止光晕现象产生的同时又能有效防止漏电通道的产生，使得TDICCD能够均匀成像。
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公开(公告)号：CN111916525A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010812875.7
申请日：2020-08-13
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L31/103 , H01L31/028 , H01L31/18 , H01L21/265
摘要： 本发明公开了一种锗波导探测器侧壁浅结离子注入工艺，先在锗波导上光刻出N型侧壁注入区和第一接触区，然后采用固定靶盘倾角的大束流离子注入设备分别对N型侧壁和第一接触区进行N型注入，之后在锗波导上光刻出P型侧壁注入区和第一接触区，再采用固定靶盘倾角的大束流离子注入设备分别对P型侧壁和第一接触区进行P型注入。本发明中，通过调整注入设备的注入倾角和旋转角，分别对侧壁和接触区进行小偏角注入，从而大大降低了对设备的注入剂量要求，使用普通的固定靶盘倾角的大束流离子注入设备即可完成侧壁浅结离子注入工艺，降低了工艺设备的成本，且注入效果和大偏角一体注入的效果相当。
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公开(公告)号：CN111430397A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010251137.X
申请日：2020-04-01
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/148
摘要： 本发明公开了一种具有增透膜的多谱段TDICCD结构，包括多个谱段，每个谱段均包括级数选通栅和多个像元，每个像元的左端和右端均设有沟阻，每个所述像元均包括增透膜开窗区域和垂直CCD区域，在所述增透膜开窗区域的上端和下端均设有沟阻，在所述增透膜开窗区域履盖有增透膜,所述垂直CCD区域履盖有复合栅介质，所述复合栅介质履盖有垂直CCD驱动栅。本发明提出了一种新的TDICCD结构，通过采用增透模开窗结构大大减少了垂直CCD驱动栅的覆盖面积，在开窗区域内增大了光线的透射率；级数选通栅CSS引线和垂直CCD驱动栅引线采用分区走线的结构，提高了像元占空比，改善了器件的量子效率。
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公开(公告)号：CN111261727A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911375480.9
申请日：2019-12-27
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/0224 , H01L31/08 , H01L31/115
摘要： 本发明涉及硅基场漂移探测器的结构，特别涉及实现硅基场漂移探测器电势均匀分布的互联结构，所述互联结构由N个P型注入形成的同心电极圆环，相邻两个同心电极圆环之间通过连接电阻连接形成，连接电阻为P型的沟道电阻，互联的N个P型注入形成的同心电极圆环通过芯片级金属顶层布线，将最内层的同心电极圆环和最外层的同心电极圆环引出，并将这两个同心电极圆环连线的引出端口以压焊PAD的方式，通过键合引线与环形硅基场漂移探测器外部的管壳连接；本发明中的互联结构，可实现场漂移探测器结构简单、驱动简单、引出端和电压配置的个数少、各电极环电压自动分布、有效探测面积不受引出端口数限制、快速高效探测的目标。
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公开(公告)号：CN111916525B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010812875.7
申请日：2020-08-13
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L31/103 , H01L31/028 , H01L31/18 , H01L21/265
摘要： 本发明公开了一种锗波导探测器侧壁浅结离子注入工艺，先在锗波导上光刻出N型侧壁注入区和第一接触区，然后采用固定靶盘倾角的大束流离子注入设备分别对N型侧壁和第一接触区进行N型注入，之后在锗波导上光刻出P型侧壁注入区和第一接触区，再采用固定靶盘倾角的大束流离子注入设备分别对P型侧壁和第一接触区进行P型注入。本发明中，通过调整注入设备的注入倾角和旋转角，分别对侧壁和接触区进行小偏角注入，从而大大降低了对设备的注入剂量要求，使用普通的固定靶盘倾角的大束流离子注入设备即可完成侧壁浅结离子注入工艺，降低了工艺设备的成本，且注入效果和大偏角一体注入的效果相当。
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公开(公告)号：CN110676279A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910957618.X
申请日：2019-10-10
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/148
摘要： 本发明涉及电荷耦合器件技术领域，具体涉及一种高量子效率CCD结构，包括：第一垂直分组、第二垂直分组、第三垂直分组、第四垂直分组，每个垂直分组包括垂直CCD多晶硅栅、第一蓝光窗口和第二蓝光窗口，所述垂直CCD多晶硅栅包括至少四根多晶硅条，且每根多晶硅条上设置有接触孔；两个蓝光窗口分别位于垂直CCD多晶硅栅的左、右两侧形成双蓝光窗口像元架构；两个蓝光窗口各自按照左右分割的方式均匀分成三个面积等大的区域；不同垂直分组之间通过金属引线连接接触孔实现电学互联。本发明可解决大尺寸像元信号收集问题，可改善大尺寸帧转移CCD以及TDICCD量子效率，同时保证CCD满阱容量、动态范围、转移效率等特性不会退化。
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公开(公告)号：CN106981543B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201710216551.5
申请日：2017-04-05
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/028
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明公开了一种采用铝硅共晶薄膜辅助干法刻蚀制备黑硅层的方法，所述方法的步骤为：1）提供硅片；对硅片表面进行清洗；2）硅片上用于制作黑硅层的区域记为操作区；采用电子束蒸发镀膜工艺或磁控溅射镀膜工艺，在操作区表面生长铝硅共晶薄膜；3）采用等离子刻蚀工艺对铝硅共晶薄膜中的硅进行选择性刻蚀，将铝硅共晶薄膜中的硅刻蚀掉；4）利用铝硅共晶薄膜中残留的铝作为掩膜，采用等离子刻蚀工艺对操作区上的硅进行选择性刻蚀，从而在操作区上形成黑硅层；5）采用等离子刻蚀工艺对所述掩膜进行选择性刻蚀，将掩膜刻蚀掉，然后对黑硅层进行清洗。本发明的有益技术效果是：能制作出形貌优良的黑硅层。
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公开(公告)号：CN106981543A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710216551.5
申请日：2017-04-05
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/028
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/1804 , H01L31/02363 , H01L31/028
摘要： 本发明公开了一种采用铝硅共晶薄膜辅助干法刻蚀制备黑硅层的方法，所述方法的步骤为：1）提供硅片；对硅片表面进行清洗；2）硅片上用于制作黑硅层的区域记为操作区；采用电子束蒸发镀膜工艺或磁控溅射镀膜工艺，在操作区表面生长铝硅共晶薄膜；3）采用等离子刻蚀工艺对铝硅共晶薄膜中的硅进行选择性刻蚀，将铝硅共晶薄膜中的硅刻蚀掉；4）利用铝硅共晶薄膜中残留的铝作为掩膜，采用等离子刻蚀工艺对操作区上的硅进行选择性刻蚀，从而在操作区上形成黑硅层；5）采用等离子刻蚀工艺对所述掩膜进行选择性刻蚀，将掩膜刻蚀掉，然后对黑硅层进行清洗。本发明的有益技术效果是：能制作出形貌优良的黑硅层。
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