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公开(公告)号：CN104519661A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310465129.5
申请日：2013-10-08
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种电容电感复合结构的制造方法，至少包括以下步骤：S1：提供一基板，采用溅射法或蒸发法在所述基板上形成一金属层；S2：以所述金属层的一部分作为电容下极板制作电容，以所述金属层的另一部分作为电感的电镀种子层制作电感。本发明的电容电感复合结构中，电容下极板与电感的电镀种子层采用同一层金属，具有结构简单、可靠性高并有利于小型化的优点。本发明利用电镀金属的种子层作为电容下极板制作电容，同时形成电感，无需制造额外的金属层作为电容下极板，工艺步骤简单，采用了更少的光刻次数，有效降低了制造成本，在集成无源器件领域有很大潜力。
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公开(公告)号：CN102779807A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210012852.3
申请日：2012-01-16
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/552 , H01F27/36 , H01L21/02
摘要： 本发明涉及一种与RDL工艺兼容的电感元件及制造方法，其特征在于在硅衬底上用薄膜金属淀积工艺同时形成第一层金属互连传输线及屏蔽层；旋涂光敏介质层，曝光显影，形成金属互连通孔，退火，等离子体干刻去除显影残余部分，电镀金属填满金属互连通孔；然后形成第二层金属互连传输线及电感线；形成最外层金属通孔；从而在不增加原有工艺步骤的情况下制作出有金属屏蔽层的电感。与主流的圆片级封装中重布线工艺兼容，在不增加工艺步骤的情况下，低成本制造出带有屏蔽层的电感，对硅衬底有效的阻断衬底涡流，提高了电感的品质因子并降低电感的串联电阻，并且减小了涡旋电流对芯片的电磁干扰。
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公开(公告)号：CN102509718A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110419761.7
申请日：2011-12-15
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/768 , B81C1/00
摘要： 本发明涉及一种GaAs CCD图像传感器圆片级芯片尺寸封装结构工艺，其特征在于①首先通过树脂粘接剂进行玻璃晶圆和砷化镓晶圆键合，保护芯片有源面并提高芯片晶圆强度；②然后通过湿法腐蚀或者物理方法制作梯形槽结构，使芯片互连区衬底厚度减薄；③接着通过干法刻蚀技术制作垂直互连通孔，使芯片有源面焊盘暴露出来；④再溅射种子层金属并电镀，制作孔金属化和RDL层，从而实现芯片有源面到芯片背面的电路互连；⑤然后制作钝化层、UBM层和凸点；⑥最后划片形成独立封装芯片。背面梯形槽结构只在有焊盘区域进行减薄，有效地降低了成本，而且垂直通孔互连能提高封装互连密度，缩短信号传输路径。
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公开(公告)号：CN102569032B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201210012849.1
申请日：2012-01-16
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/02 , H01L23/522
摘要： 本发明涉及一种多层金属化薄膜叠加制作电感元件的方法，其特征在于在基板或衬底上溅射种子层，光刻形成掩膜，电镀金属形成第一层金属互连传输线及第一电感金属层，去除光刻胶及种子层；旋涂光敏介质层，曝光显影形成金属互连通孔及第二电感金属沟槽图形，第二电感金属沟槽图形与第一电感线图形相同，退火，等离子体干刻去除显影残余部分，电镀金属形成金属互连通孔及第二电感线金属层；形成第二层金属互连线及第三电感金属层，并形成最外层金属通孔；从而形成多层金属化薄膜叠加的电感元件。本发明与圆片级封装中重布线工艺兼容，在不增加工艺步骤的情况下，低成本制造出的电感比传统圆片级集成电感金属层更厚即寄生电阻更小，从而提高了电感的品质因数。
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公开(公告)号：CN104409442A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410708808.5
申请日：2014-11-28
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
摘要： 本发明提供一种深槽结构电容及其制造方法，所述制造方法包括步骤：1）提供一衬底，于所述衬底中刻蚀出深槽结构；2）于所述深槽结构内表面及衬底表面形成第一金属层，作为电容的下电极；3）于所述第一金属层表面形成介质层；4）于所述介质层表面形成金属粘附层及种子层，并于所述深槽结构中填充第二金属层，作为电容的上电极；5）依次图形化所述第二金属层、种子层、金属粘附层及介质层，完成电容的上电极及下电极的制备。本发明相比于传统方法制作的电容具有更小的寄生电阻和寄生电感，有效地提高了去耦电容的电性能，拓宽了电容去耦的频段。
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公开(公告)号：CN102509718B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201110419761.7
申请日：2011-12-15
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/768 , B81C1/00
摘要： 本发明涉及一种GaAs CCD图像传感器圆片级芯片尺寸封装结构工艺，其特征在于①首先通过树脂粘接剂进行玻璃晶圆和砷化镓晶圆键合，保护芯片有源面并提高芯片晶圆强度；②然后通过湿法腐蚀或者物理方法制作梯形槽结构，使芯片互连区衬底厚度减薄；③接着通过干法刻蚀技术制作垂直互连通孔，使芯片有源面焊盘暴露出来；④再溅射种子层金属并电镀，制作孔金属化和RDL层，从而实现芯片有源面到芯片背面的电路互连；⑤然后制作钝化层、UBM层和凸点；⑥最后划片形成独立封装芯片。背面梯形槽结构只在有焊盘区域进行减薄，有效地降低了成本，而且垂直通孔互连能提高封装互连密度，缩短信号传输路径。
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公开(公告)号：CN105185907A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510552093.3
申请日：2015-09-01
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种高密度电感的制造方法，包括以下步骤：在硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板反面形成腐蚀窗口；沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构；在所述硅基板正面的掩膜层上形成第一层金属图形；在步骤C之后获得的结构上旋涂介质层并图形化，形成暴露部分第一金属图层的通孔；在步骤D之后获得的结构上形成第二层金属图形；使得部分第二层金属图形通过所述通孔与第一金属图层接触；在所述深坑结构中填充BCB与磁粉的复合磁性材料并固化。本发明采用干湿混合法腐蚀工艺掏空平面线圈电感以下的硅衬底，然后通过丝网印刷工艺在电感背面的深坑中填充复合磁性材料，提高电感值。
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公开(公告)号：CN105140218A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510552084.4
申请日：2015-09-01
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种高品质因数电感制造方法，包括以下步骤：提供一硅基板，在所述硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板反面形成腐蚀窗口；沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构；在所述硅基板正面的掩膜层上形成第一层金属图形；在步骤C之后获得的结构上旋涂介质层并图形化，形成暴露部分第一金属图层的通孔；在步骤D之后获得的结构上形成第二层金属图形；使得部分第二层金属图形通过所述通孔与第一金属图层接触；接着旋涂有机保护层并固化；随后采用湿法腐蚀工艺去除电感底部剩余的硅；采用深反应离子刻蚀去掉所述有机保护层，本发明采用两步湿法腐蚀工艺掏空平面线圈电感以下的硅衬底，从而抑制硅基板损耗，成倍提高电感Q值。
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公开(公告)号：CN103824755A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201210465578.5
申请日：2012-11-16
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/02 , H01L23/522 , H01F17/00
CPC分类号： H01L28/10
摘要： 本发明提供一种高Q电感及制备方法。首先，将半导体基底的一表面腐蚀成深坑状；接着，在所述半导体基底的另一表面形成支撑层；随后再在所述支撑层的表面相对于深坑的位置形成包含多层金属线圈的电感结构；最后，对已形成电感结构的基底结构进行腐蚀，来去除深坑与电感结构间的半导体基底材料，使半导体基底被掏空，由此形成的电感的Q值比传统集成电感提高了数倍；且本法工艺简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN103681719A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310697584.8
申请日：2013-12-17
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供一种可见光圆片级封装结构和方法，所述方法至少包括步骤：提供透明封装基板，在所述透明封装基板表面键合硅晶圆，所述硅晶圆中制造有暴露所述透明封装基板的腔体；在所述腔体中四周的底部和侧壁表面、以及硅晶圆的背面制备互连结构；采用凸点技术将所述可见光器件倒装焊接在所述腔体底部的互连结构上；在所述硅晶圆背面的互连结构上形成外凸点；最后进行划片形成独立的封装器件。本发明的封装方法采用两次倒装焊的技术，实现可见光器件芯片到晶圆的圆片级封装，避免了不同的可见光器件由于衬底材料、制造工艺、使用限制等因素带来的技术困难。
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