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公开(公告)号：CN116752090A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310605740.7
申请日：2023-05-26
申请人： 中国科学院近代物理研究所
摘要： 本发明公开了一种多cell纯铌腔内表面铌三锡镀膜设备。它包括：外真空系统，用于提供镀铌三锡薄膜的温度与真空度条件，包括真空炉的外真空腔体和用于提供外真空腔体内真空环境的外腔体真空系统；内真空系统，用于提供镀铌三锡薄膜洁净的生长环境，包括真空炉的纯铌腔室和用于提供纯铌腔室内真空环境的内腔体真空系统；纯铌腔室设置于外真空腔体内，用于放置多cell铌腔和锡源蒸发腔，锡源蒸发腔固定在多cell铌腔两端，用于盛放锡源的容器；铌腔输送装置，用于将多cell铌腔输送至内真空腔体内；加热电源系统，用于提供蒸镀铌三锡薄膜过程热量；电气自动控制系统，用于控制镀铌三锡薄膜制备过程并采集制备过程各项参数且进行分析反馈。本发明镀膜方便、均匀。
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公开(公告)号：CN113319459B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202110647940.X
申请日：2021-06-10
申请人： 兰州荣翔轨道交通科技有限公司 , 中国科学院近代物理研究所
摘要： 本发明涉及一种基于机器人平台的纯铌超导腔表面铜铌改性层制备方法，具体步骤如下：a将纯铌超导腔夹持在机器人上；b将焊枪夹持在焊枪夹持机构上，然后将所述焊枪夹持机构活动设置在机器人末端；c将焊枪上的铜电极与电源正极相连，纯铌超导腔与电源负极相连；d打开电源，利用铜电极在纯铌超导腔表面电火花沉积制备铜铌改性层。本发明通过采用电火花沉积技术以及镀铜工艺制备铜铌改性层，极大提高了纯铌超导腔的机械稳定性和热稳定性，降低造价成本，满足了射频超导加速器在更高的加速梯度和更高的品质因素方面对超导腔的新需求。
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公开(公告)号：CN113373404B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110647650.5
申请日：2021-06-10
申请人： 中国科学院近代物理研究所
摘要： 本发明公开了一种铜基厚壁Nb3Sn薄膜超导腔及其制备方法，属于超导技术领域。本发明的铜基厚壁Nb3Sn薄膜超导腔的制备方法，包括如下步骤：(1)采用锡蒸汽扩散法由纯铌超导腔制备铌基Nb3Sn薄膜超导腔；(2)在所述铌基Nb3Sn薄膜超导腔外表面沉积铜层；(3)在沉积了铜层的铌基Nb3Sn薄膜超导腔外表面电镀无氧铜，即得到所述铜基厚壁Nb3Sn薄膜超导腔。该方法通过在铌基Nb3Sn薄膜超导腔外表面以电镀无氧铜的方式制备得到铜基厚壁Nb3Sn薄膜超导腔，成功避免了铜熔点低无法生成高质量Nb3Sn薄膜的缺点；且电镀的无氧铜致密度高、孔隙率低、热反应小。
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公开(公告)号：CN113385895B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202110648825.4
申请日：2021-06-10
申请人： 中国科学院近代物理研究所
摘要： 本发明公开了一种高稳定铌基超导加速腔，包括使用高纯铌‑无氧铜复合板材(简称铜铌复合板)通过合适的冲压模具制作出所需要的冲压件；通过机械与化学方法去除铜铌复合冲压件上焊缝附近的无氧铜；采用电子束焊接把铜铌复合冲压件以及纯铌束管焊接在一起形成一个腔体；铜铌复合腔焊缝处补铜。本发明方法可在保证铜铌复合超导腔射频性能的前提下，显著提高超导腔的机械稳定性和热稳定性，尤其适合超导加速器的长时间连续稳定运行。
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公开(公告)号：CN113597080A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110895548.7
申请日：2021-08-05
申请人： 中国科学院近代物理研究所
IPC分类号： H05H7/00
摘要： 本发明涉及一种基于固体传导冷却的无液氦射频超导加速模组，包括：超导腔，被配置成给带电粒子束提供能量；低温单元，被配置成向超导腔提供所需的低温环境；真空单元，与超导腔连接，真空单元被配置成向超导腔提供运行所需的腔体真空环境与夹层真空环境；耦合器，与超导腔的耦合口连接，耦合器被配置成向超导腔馈入射频功率。本发明摆脱了传统超导腔必须浸泡在液氦里冷却的工作方式，一方面其布局紧凑，布置简单，维护方便，维护周期长，应用简单，能够显著降低射频超导技术在小规模应用的难度和成本；另一方面，其造价远低于当前的液氦浸泡式射频超导加速单元，非常适合射频超导技术的小型化、产业化应用。
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公开(公告)号：CN113373404A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110647650.5
申请日：2021-06-10
申请人： 中国科学院近代物理研究所
摘要： 本发明公开了一种铜基厚壁Nb3Sn薄膜超导腔及其制备方法，属于超导技术领域。本发明的铜基厚壁Nb3Sn薄膜超导腔的制备方法，包括如下步骤：(1)采用锡蒸汽扩散法由纯铌超导腔制备铌基Nb3Sn薄膜超导腔；(2)在所述铌基Nb3Sn薄膜超导腔外表面沉积铜层；(3)在沉积了铜层的铌基Nb3Sn薄膜超导腔外表面电镀无氧铜，即得到所述铜基厚壁Nb3Sn薄膜超导腔。该方法通过在铌基Nb3Sn薄膜超导腔外表面以电镀无氧铜的方式制备得到铜基厚壁Nb3Sn薄膜超导腔，成功避免了铜熔点低无法生成高质量Nb3Sn薄膜的缺点；且电镀的无氧铜致密度高、孔隙率低、热反应小。
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公开(公告)号：CN114952196B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202210640231.3
申请日：2022-06-08
申请人： 中国科学院近代物理研究所
摘要： 本发明公开了一种提高超导腔机械稳定性的方法。本发明提高超导腔机械稳定性的方法，包括如下步骤：(1)用RRR值大于30的高纯铌板制备超导腔；(2)通过有限元仿真分析，确定超导腔表面覆铜位置的无氧铜件尺寸；(3)根据所述超导腔不同覆铜部位的尺寸、样式，制造多个与超导腔不同部位匹配的无氧铜件；(4)清洗焊接面后，在覆铜位置通过钎焊的方式焊接(3)中所述的无氧铜件。采用本发明方法加工制造的超导腔，可以提升超导腔机械稳定性，有效降低超导腔的频率氦压敏感度(df/dp)，洛伦兹失谐系数(LFD)及外界振动的影响；而且可以采用传导冷却的方法来对超导腔进行冷却，提升超导腔体的热稳定性。
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公开(公告)号：CN113616938B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202110895239.X
申请日：2021-08-05
申请人： 中国科学院近代物理研究所
IPC分类号： A61N5/10
摘要： 本发明涉及一种用于FLASH放疗的紧凑型电子直线加速器系统，该系统包括：电子枪，被配置为提供高峰值流强的电子束流，并对电子束流进行加速和聚束；谐振加速腔系统，被配置为对所述电子枪出射的电子束流进行加速，以达到出口需求的能量，其中，所述谐振加速腔系统采用Nb3Sn射频超导腔；功率源系统，被配置为所述谐振加速腔系统提供高频功率，使所述谐振加速腔系统形成加速需要的加速场；冷却系统，被配置为带走所述谐振加速腔系统高频产生的热量，使所述Nb3Sn射频超导腔保持超导态。本发明可以广泛应用于FLASH放疗中。
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公开(公告)号：CN113811065B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202111096294.9
申请日：2021-09-16
申请人： 中国科学院近代物理研究所
IPC分类号： H05H7/20
摘要： 本发明提供一种在超导腔内部对锡源进行局部加热的双电极直流结构。包括：具有若干加速单元的超导腔，所述超导腔为Nb3Sn薄膜生长的衬底结构；两根加热电极，一根作为正电极，另一根作为负电极，所述两根加热电极贯通所述超导腔，在所述超导腔内部对锡源进行加热；若干薄壁锡源坩埚，所述超导腔的每一个加速单元内均放置有一个薄壁锡源坩埚，所述若干薄壁锡源坩埚均横跨在所述两根加热电极上与所述两根加热电极组成直流回路；温度热偶，用于测量所述超导腔内锡源的温度。本发明能够对位于多加速单元超导腔内部的多个锡源进行局部加热，在每个加速单元内均实现超导腔与锡源的单独控温，使每一个加速单元均拥有相同的“超导腔‑锡源”温度组合。
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公开(公告)号：CN115893573A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211261383.9
申请日：2022-10-14
申请人： 先进能源科学与技术广东省实验室 , 中国科学院近代物理研究所
发明人： 何源 , 杨自钦 , 张军辉 , 蒋天才 , 白峰 , 李春龙 , 王志军 , 李璐 , 邱丰 , 刘鲁北 , 张升学 , 徐孟鑫 , 郭浩 , 孙列鹏 , 高郑 , 陈奇 , 张生虎 , 王玥
IPC分类号： C02F1/30
摘要： 本发明公开了一种超导电子加速装置、废水处理系统和方法，装置包括机架、设置在机架上的超导腔、屏蔽组件、功率源组件和制冷组件；所述屏蔽组件用于给所述超导腔提供真空环境，所述超导腔设置在屏蔽组件内；所述制冷组件包括伸入屏蔽组件内的一级冷头和二级冷头，所述一级冷头和二级冷头连接，所述超导腔表面设有导冷块，所述二级冷头通过柔性冷链与导冷块连接；所述功率源组件用于向超导腔提供功率，在超导腔内建立射频电磁场，以对超导腔内的电子束进行加速；所述超导腔体连接有与之相通的真空管道，所述真空管道用于将电子束输入所述超导腔，以及将电子束从超导腔输出。本发明装置结构简单，成本较低，方便进行维护，废水处理效果好。
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