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公开(公告)号：CN104505343A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410718583.1
申请日：2014-12-01
申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC分类号： H01L21/308 , C23C18/44 , C23C16/40 , C23C28/00 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L21/308 , B82Y40/00 , C23C16/407 , C23C18/44 , C23C28/345
摘要： 本发明公开了一种制备ZnO纳米栅栏的方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）GaN衬底光刻；（2）衬底涂覆金催化剂反应溶液；（3）加热衬底，溶液收缩；（4）金从溶液中被还原出来，呈闭合环形分布；（5）用CVD法由催化剂诱导生长ZnO纳米线栅栏。本发明利用光刻后衬底表面的亲疏水性差别来控制纳米金颗粒分布，以此诱导生长纳米线栅栏，不同于传统的控制方法，具有明显的创新意义和期望更广的应用范围。
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公开(公告)号：CN104498894A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410727811.1
申请日：2014-12-04
申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC分类号： C23C16/27 , C23C16/511
CPC分类号： C23C16/276 , C23C16/274 , C23C16/511
摘要： 本发明公开了一种多孔金刚石薄膜的制备方法，将硅衬底放置于微波等离子体化学气相沉积装置中，所述硅衬底表面镀有一层金属Pt薄膜作为催化剂；将真空度控制在10-30毫巴，通入工作气体载入碳源至微波等离子发生区域，加热至750-850℃；沉积得到块体的金刚石薄膜；将薄膜在500-600℃空气氛围中煅烧，得到多孔金刚石薄膜。该方法不需要模板，也无需复杂的预处理工艺和高温过程，能够避免金属污染，使处理工序更加简化。
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公开(公告)号：CN104402039A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410718597.3
申请日：2014-12-01
申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
CPC分类号： C01G9/03 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2004/03 , C01P2004/16
摘要： 本发明公开了一种制备三维ZnO纳米线网的方法，其特征在于，包括如下步骤：首先在洗净GaN衬底表面涂覆HAuCl4与还原剂和聚合物的混合溶液；在高温管式真空炉中间放置盛有化学反应物的舟，化学反应物包括ZnO粉和石墨粉，其气流下游位置放置衬底，抽真空，把真空管加热到800-1200℃，然后通入氧气和工作气体，控制压强到30-400毫巴，生长时间大于20min，然后让真空管式炉自然降温，在GaN衬底上即可制备出三维ZnO纳米线网络。本发明方法简单，利用聚合物诱导三维纳米线网络生长。制备的纳米线取向有垂直衬底和平行衬底两类，构成有序三维纳米线网络结构，具有极大的应用价值。
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公开(公告)号：CN104860261A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510293011.8
申请日：2015-06-01
申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明提供一种用于在硅电极上制备横向纳米线网的反应装置，所述反应装置包括一表面制备有周期性纳米硅柱的硅衬底、供盛放化学反应物原料的舟以及供输入反应气体的管式真空炉，所述硅衬底和舟放置于所述管式真空炉内，所述硅衬底水平放置于所述舟的上方，且所述硅衬底上制备有周期性纳米硅柱的一面朝向所述舟上的化学反应物原料。本发明通过将表面制备有周期纳米硅柱的硅电极衬底生长面向下放置在盛有化学反应物的舟上，以控制横向生长纳米线网形成纳米网桥接电路，而不需要镀金膜作为催化剂，从而节省了工序和降低了成本。
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公开(公告)号：CN104498894B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410727811.1
申请日：2014-12-04
申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC分类号： C23C16/27 , C23C16/511
摘要： 本发明公开了一种多孔金刚石薄膜的制备方法，将硅衬底放置于微波等离子体化学气相沉积装置中，所述硅衬底表面镀有一层金属Pt薄膜作为催化剂；将真空度控制在10-30毫巴，通入工作气体载入碳源至微波等离子发生区域，加热至750-850℃；沉积得到块体的金刚石薄膜；将薄膜在500-600℃空气氛围中煅烧，得到多孔金刚石薄膜。该方法不需要模板，也无需复杂的预处理工艺和高温过程，能够避免金属污染，使处理工序更加简化。
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公开(公告)号：CN104505343B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201410718583.1
申请日：2014-12-01
申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC分类号： H01L21/308 , C23C18/44 , C23C16/40 , C23C28/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种制备ZnO纳米栅栏的方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）GaN衬底光刻；（2）衬底涂覆金催化剂反应溶液；（3）加热衬底，溶液收缩；（4）金从溶液中被还原出来，呈闭合环形分布；（5）用CVD法由催化剂诱导生长ZnO纳米线栅栏。本发明利用光刻后衬底表面的亲疏水性差别来控制纳米金颗粒分布，以此诱导生长纳米线栅栏，不同于传统的控制方法，具有明显的创新意义和期望更广的应用范围。
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公开(公告)号：CN104867868B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201510291933.5
申请日：2015-06-01
申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明提供一种无催化剂横向生长纳米线网电路的方法，应用于半导体领域，所述方法包括：1）提供一表面制备有周期性纳米硅柱的硅衬底和供盛放化学反应物的舟；2）将所述硅衬底制备有周期性纳米硅柱的一面朝向盛有化学反应物的舟进行放置；3）采用高温化学气相沉积方法于各纳米硅柱侧面棱角处制备出横向生长的氧化锌纳米线网。本发明将表面制备有周期纳米柱的硅电极衬底生长面向下放置在盛有化学反应物的舟上放置，进而能控制横向生长纳米线网形成纳米网桥接电路，不需要镀金膜作为催化剂，节省工序降低成本。
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公开(公告)号：CN104402039B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410718597.3
申请日：2014-12-01
申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
摘要： 本发明公开了一种制备三维ZnO纳米线网的方法，其特征在于，包括如下步骤：首先在洗净GaN衬底表面涂覆HAuCl4与还原剂和聚合物的混合溶液；在高温管式真空炉中间放置盛有化学反应物的舟，化学反应物包括ZnO粉和石墨粉，其气流下游位置放置衬底，抽真空，把真空管加热到800-1200℃，然后通入氧气和工作气体，控制压强到30-400毫巴，生长时间大于20min，然后让真空管式炉自然降温，在GaN衬底上即可制备出三维ZnO纳米线网络。本发明方法简单，利用聚合物诱导三维纳米线网络生长。制备的纳米线取向有垂直衬底和平行衬底两类，构成有序三维纳米线网络结构，具有极大的应用价值。
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公开(公告)号：CN104867868A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510291933.5
申请日：2015-06-01
申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76838
摘要： 本发明提供一种无催化剂横向生长纳米线网电路的方法，应用于半导体领域，所述方法包括：1）提供一表面制备有周期性纳米硅柱的硅衬底和供盛放化学反应物的舟；2）将所述硅衬底制备有周期性纳米硅柱的一面朝向盛有化学反应物的舟进行放置；3）采用高温化学气相沉积方法于各纳米硅柱侧面棱角处制备出横向生长的氧化锌纳米线网。本发明将表面制备有周期纳米柱的硅电极衬底生长面向下放置在盛有化学反应物的舟上放置，进而能控制横向生长纳米线网形成纳米网桥接电路，不需要镀金膜作为催化剂，节省工序降低成本。
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公开(公告)号：CN104860261B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201510293011.8
申请日：2015-06-01
申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明提供一种用于在硅电极上制备横向纳米线网的反应装置，所述反应装置包括一表面制备有周期性纳米硅柱的硅衬底、供盛放化学反应物原料的舟以及供输入反应气体的管式真空炉，所述硅衬底和舟放置于所述管式真空炉内，所述硅衬底水平放置于所述舟的上方，且所述硅衬底上制备有周期性纳米硅柱的一面朝向所述舟上的化学反应物原料。本发明通过将表面制备有周期纳米硅柱的硅电极衬底生长面向下放置在盛有化学反应物的舟上，以控制横向生长纳米线网形成纳米网桥接电路，而不需要镀金膜作为催化剂，从而节省了工序和降低了成本。
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