公开(公告)号：CN107176601B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201610268853.2

申请日：2016-04-27

申请人： 财团法人工业技术研究院

发明人： 黄昆平 ,  季宇文

IPC分类号： C01B32/186 ,  C23C16/12 ,  C23C16/14 ,  C23C16/26 ,  C23C16/511

CPC分类号： H01M4/8652 ,  C23C16/26 ,  C23C16/511 ,  H01G11/36 ,  H01G11/86 ,  H01M4/8867 ,  H01M4/9041 ,  H01M4/9083 ,  H01M4/921 ,  H01M4/926 ,  Y02E60/13

摘要： 一种金属掺杂石墨烯及其成长方法。所述金属掺杂石墨烯包括石墨烯与金属元素，其中金属元素占金属掺杂石墨烯总含量的1at％到30at％。所述成长方法包括以碳前驱物、金属前驱物以及VI族前驱物，经等离子体化学气相沉积法(PECVD)成长金属掺杂石墨烯。

公开(公告)号：CN106399978B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201611148513.2

申请日：2012-12-14

申请人： 德雷卡通信技术公司

发明人： I·米利塞维克 ,  M·J·N·范斯特拉伦 ,  J·A·哈特苏伊克

IPC分类号： C23C16/511

CPC分类号： C23C16/511 ,  C03B37/0183 ,  H01J37/32247

摘要： 本发明涉及一种用于执行等离子体化学气相沉积工艺的方法。包括以下步骤：提供设备，该设备包括大体上为圆柱形的共振器，该共振器具备外圆柱壁，该外圆柱壁包围围绕圆柱轴线沿圆周方向延伸的共振腔，该共振器还具备在圆柱方向限界共振腔的侧壁部分，并且具备在沿圆周方向围绕圆柱轴线延伸的狭缝结构，该狭缝结构提供从共振腔径向向内的入口，其中该狭缝结构包括在圆柱方向相互偏移的多个狭缝部分，将衬底管从所述共振腔径向向内地容纳在管状内部空间中，将微波注入到所述共振腔中，以及使所述衬底管相对于所述共振器的圆柱轴线旋转。

公开(公告)号：CN109023307A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201811029372.1

申请日：2018-09-05

申请人： 朱广智

发明人： 朱广智

IPC分类号： C23C16/458 ,  C23C16/511 ,  C23C16/52

CPC分类号： C23C16/511 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/52

摘要： 本发明公开了一种微波等离子真空镀膜设备及使用方法，该设备包括等离子体发生系统、真空排气装置、等离子真空腔体和运动装置，等离子体发生系统、真空排气装置设置在等离子真空腔体的外部，运动装置设置在等离子真空腔体的内部。该设备的使用方法包括以下步骤：等离子真空腔体进行抽真空对待镀膜产品进行预处理、镀膜等。本发明采取等离子体化学气相沉积方法提高了镀膜物质的沉降速率和镀膜生产效率，镀膜的均匀性和一致性得到改善，同时也提高涂层的防水、防汗液、防潮、耐腐蚀、耐溶剂等防护效果，可用于各种PCB、PCBA、电子产品、电器零部件、电子半成品、金属、电子元器件、半导体、集成电路板、塑胶制品等镀膜的场合。

公开(公告)号：CN108112266A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201680036964.9

申请日：2016-04-13

申请人： 弗劳恩霍夫应用研究促进协会

发明人： M.弗格尔 ,  S.布伦斯 ,  H-U.克里歇尔多夫 ,  L.舍费尔 ,  M.赫费尔 ,  M.阿姆加尔特

IPC分类号： G02B1/115 ,  G02B1/14

CPC分类号： G02B1/115 ,  C23C14/35 ,  C23C16/271 ,  C23C16/505 ,  C23C16/511 ,  G02B1/02 ,  G02B1/14

摘要： 本发明涉及一种涂层物体（100），其包括衬底（1）和布置在所述衬底（1）上的光学涂层（2），其中所述光学涂层（2）具有减少反射的层序列（3），所述减少反射的层序列包括一个具有折射率nA的覆盖层（4）和至少一个具有折射率nD1 > nA的金刚石层（5），其中所述金刚石层（5）布置在所述覆盖层（4）与所述衬底（1）之间而且具有金刚石晶体或由金刚石晶体组成，其中所述金刚石层（5）具有小于500nm的层厚度。

公开(公告)号：CN107663629A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201710607408.9

申请日：2017-07-24

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 橘和孝 ,  佐藤贵康 ,  佐藤羊治 ,  中田博道 ,  坪井大树

IPC分类号： C23C14/32 ,  C23C14/14

CPC分类号： C23C16/274 ,  C23C14/14 ,  C23C14/325 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/511 ,  C23C28/32 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4607 ,  H05H2001/463

摘要： 本发明提供高频波供给构造。该高频波供给构造具备在规定方向X上延伸的中心导体、与中心导体同轴配置且接地的外侧导体、及设置在中心导体与外侧导体之间的圆筒形状的绝缘构件。中心导体的顶端是支承工件W的支承部。在比外侧导体靠外侧处配置有与外侧导体及中心导体同轴配置的防附着构件。防附着构件的顶端比外侧导体的顶端在规定方向X上更接近支承部。绝缘构件具有从外侧导体的开口向支承部侧突出的突出部分，突出部分在规定方向上与外侧导体的顶端对向。

公开(公告)号：CN107475692A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201710689954.1

申请日：2017-08-14

申请人： 甘志银

发明人： 刘胜 ,  甘志银 ,  孙宽

IPC分类号： C23C16/511 ,  C23C16/27

CPC分类号： C23C16/511 ,  C23C16/274

摘要： 本发明提供了一种利用磁控技术提高金刚石薄膜微波等离子体化学气相沉积设备沉积速率的方法和装置。该方法包含以下步骤：在微波等离子体化学气相沉积工艺中利用磁场形成电子捕集阱，电子在捕集阱的约束下，在衬底上方固定区域作封闭的曲线运动，电子在运动过程中碰撞反应气体碰撞生成前驱反应基团和石墨组织抑制基团，从而提高反应基团浓度，实现金刚石薄膜沉积速率的提高。使用该方法的反应腔装置由微波源、螺钉调配器、定向耦合器、同轴天线、波导装置、调节活塞、谐振腔、石英罩、磁场发生装置等组成。本发明的优点是可以显著提高金刚石微波等离子体化学气相沉积工艺的薄膜沉积速率，工艺和装置简单，便于实施。

公开(公告)号：CN107419236A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710654905.4

申请日：2014-01-10

申请人： 加州理工学院

发明人： 大卫·A·博伊德 ,  乃-昌·叶

IPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/44 ,  C23C16/511 ,  H01L29/92

CPC分类号： C23C16/26 ,  C01B32/184 ,  C01B32/186 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/511 ,  Y10T428/24355 ,  H01L29/92

摘要： 本申请涉及用于石墨烯形成的方法和系统。一种形成石墨烯的方法包括将基底放置在处理室中并且将包括氢气和氮气的清洁气体引入到处理室中。该方法还包括将碳源引入到处理室中并且在处理室中引发微波等离子体。该方法还包括使基底经受清洁气体和碳源的流动持续预定的时间段以形成石墨烯。

公开(公告)号：CN107142461A

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201710111543.4

申请日：2017-02-28

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 橘和孝 ,  佐藤贵康 ,  佐藤羊治 ,  中田博道 ,  真锅和干 ,  冈村诚士 ,  山本出

IPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/513 ,  C23C16/52

CPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4622 ,  C23C16/513

摘要： 本发明提供一种成膜方法及等离子体化学气相沉积装置。PCVD装置具备以位于反应炉内的部位支承工件并使从高频输出装置输出的微波向工件传播的导波构件。将使通过导波构件向工件传播的微波的强度从“0”开始逐渐加大的过程中该工件的偏置电流跳跃时的从高频输出装置输出的微波的强度设为第一强度，将使微波的强度从第一强度加大的过程中偏置电流再次跳跃时的微波的强度设为第二强度。在成膜时，从高频输出装置输出比第一强度大且比第二强度小的强度的微波。

公开(公告)号：CN106987827A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201710244250.3

申请日：2017-04-14

申请人： 太原理工大学

发明人： 于盛旺 ,  郑可 ,  高洁 ,  鲁明杰 ,  王洪孔 ,  李亮亮 ,  任咪娜

IPC分类号： C23C16/511

CPC分类号： C23C16/511

摘要： 本发明为一种等离子体化学气相沉积微波谐振腔，达到了提高谐振腔聚焦能力和配置灵活性的目的。该谐振腔包括两个顶部相交的等腰三角形布尔并集运算后形成的回转体，其中等腰三角形的底边边长为2nλ~（2n+0.5）λ，底角为50°~75°，两个等腰三角形的底边长相等或相差nλ，上等腰三角形的重心与下等腰三角形的重心间距为0~4/5λ，其中λ为微波波长。本发明利用了电磁波的反射和干涉原理，通过调节上、下等腰三角形的底边长、底边角度以及二者之间的中心距离形成强聚焦电场。同时，该谐振腔能够根据具体的应用选择不同的介质窗口、微波耦合方式以及反应气体进出方式，具有结构简单、方便灵活等特点。

公开(公告)号：CN103130411B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201210477438.X

申请日：2012-11-21

申请人： 德拉克通信科技公司

发明人： I·米莉瑟维克 ,  M·J·N·范·斯特劳伦 ,  J·A·哈特苏克

IPC分类号： C03B37/018

CPC分类号： C03B37/01413 ,  C03B19/143 ,  C03B37/0183 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/511

摘要： 本发明涉及一种用于执行PCVD沉积工艺的设备和方法，其中将一个或多个掺杂或未掺杂的玻璃层涂覆到玻璃基管的内部上，该设备包括：施加器，其具有内壁和外壁；以及微波引导件，用于向着施加器开口，该施加器绕柱轴延伸并且配置有与内壁相邻的通道，经由微波引导件所供给的微波可以经由该通道排出，基管可以沿该柱轴配置，而施加器由沿所述柱轴延伸的加热炉完全包围。