工件架及真空设备
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117758225A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202410046480.9

    申请日:2024-01-11

    IPC分类号: C23C14/50 C23C16/458

    摘要: 本申请涉及一种工件架及真空设备,工件架第一转轴第二转轴以及安装结构;安装结构设计为U型结构形状,包括两个侧边支臂和底部平台,每个安装结构上设置有至少一个用于放置工件的工件盘安装在安装结构的底部平台上;在工作时,第一转轴和第二转轴绕旋转轴线转动,使得安装结构在真空设备的真空腔体内进行空间翻转,将工件盘置于不同空间位置在安装结构上设计了平衡装置,对安装结构进行配平使得安装结构在翻转中形成动平衡,从而使得安装结构在翻转中形成动态平衡该技术方案,实现了二维空间调整功能,提升了真空设备的工作效率,减少真空设备在镀膜/刻蚀过程中产生的振动,保持了真空设备工作稳定性。

    旋转工件盘及其控制方法、真空设备

    公开(公告)号:CN117512552A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202311652945.7

    申请日:2023-12-04

    IPC分类号: C23C14/50 C23C14/54

    摘要: 本申请涉及一种旋转工件盘及其控制方法、真空设备;所述旋转工件盘包括旋转机构、工件盘和旋转轴,旋转机构通过所述旋转轴连接工件盘;在旋转轴上设有转动机构,转动机构位于工件盘上部位置;转动机构连接一导向部件,导向部件在工件盘上方沿工件盘直径方向延伸,在导向部件上设有配重块;转动机构驱动导向部件绕旋转轴轴线进行旋转,使得导向部件旋转至相对于工件盘平面上的设定角度位置;导向部件推动配重块沿工件盘直径方向进行移动,使得配重块移动至距离旋转轴轴线设定距离位置处。该技术方案,实现了上料操作过程的自动化配平,提升了上料操作工作效率,确保旋转工件盘的平衡,增强了真空设备的工作稳定性,提升了工件镀膜或刻蚀的质量。

    离子束修形离子源及其启动方法、真空腔室

    公开(公告)号:CN113793791B

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202111083180.0

    申请日:2021-09-15

    摘要: 本申请涉及一种离子束修形离子源及其启动方法、真空腔室,所述离子源包括:包括设于腔体两侧的阳极和磁场,以及设于腔体前端的栅网;还包括设于腔体后端的中空阴极,以及设置在中空阴极前的电子均匀板;其中,所述中空阴极从腔体后端套入腔体内;所述中空阴极用于向腔体内注入电子束流;所述电子均匀板将所述电子束流均匀分散进入到阳极区域内;所述电子束流中的电子在阳极的电场和磁场的作用下电离,并在所述栅网的电场作用下引出离子束流;采用中空阴极结构为阳极提供离子供体的中空阴极直流源结构,结构轻巧,性能稳定,实现了小束斑、大能量的离子束流输出,并可以控制离子束的能量和停留时间,在离子束修形中具有良好的使用效果。

    电离腔室、射频离子源及其控制方法

    公开(公告)号:CN113846317B

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202111125541.3

    申请日:2021-09-24

    摘要: 本申请涉及一种电离腔室、射频离子源及其控制方法,所述电离腔室包括:底部和侧壁,所述底部连接供气管道,前端设置为射频离子源的栅网;其中,所述供气管道通入的气体在射频电作用下在所述电离腔室内进行电离产生等离子体;在所述侧壁上还设置有导电材料制成的屏蔽罩,所述屏蔽罩连接电源的正极端;所述屏蔽罩用于在电离腔室中产生由侧壁向中心方向的电场,所述等离子体在所述电场作用下偏移,控制等离子体从所述栅网的出射位置;该技术方案,可以改善等离子体在电离腔室内的分布情况,从而减少等离子体分布不均匀而造成栅网位置刻蚀严重的情况,延长栅网的使用寿命。

    旋转夹具及真空镀膜设备

    公开(公告)号:CN111139442B

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN201911418021.4

    申请日:2019-12-31

    IPC分类号: C23C14/50 C23C14/24

    摘要: 本申请涉及一种旋转夹具,用于真空镀膜设备,包括夹具盘、固定螺丝、悬挂活动球以及支撑座;其中,所述夹具盘的中心开设有一贯穿的吊挂通孔,所述支撑座为中空设计;所述支撑座嵌入夹具中心的吊挂通孔内,固定所述夹具盘;所述悬挂活动球开设有一中心通孔;所述固定螺丝穿过将该中心通孔将悬挂活动球固定在主轴的底部;所述支撑座顶部的内径小于所述悬挂活动球的外径,支撑座顶部以活动形式卡扣在活动球上,使得所述夹具盘以活动形式吊挂在主轴底部上;所述主轴转动时通过悬挂活动球与支撑座接触并传递动力,带动所述夹具盘旋转。本申请还提供一种真空镀膜设备,在真空镀膜中,夹具盘可以达到更好的动平衡效果,从而大幅度提升了镀膜效果。

    射频多维度线圈半自动成型设备和方法

    公开(公告)号:CN114433753A

    公开(公告)日:2022-05-06

    申请号:CN202210052244.9

    申请日:2022-01-18

    IPC分类号: B21F3/08

    摘要: 本公开涉及一种射频多维度线圈半自动成型设备和方法。射频多维度线圈半自动成型设备,包括:底座,设有成型槽体,所述成型槽体用于嵌入线圈以成型所述线圈;第一成型机构,包括定位件和第一推块,所述定位件和第一推块分别位于所述线圈的端部的两侧;第二成型机构,包括第二推块,所述第二推块位于所述定位件的上方。上述的射频多维度线圈半自动成型设备和方法通过将射频线嵌入底座的成型槽体内形成线圈,通过第一成型机构使得线圈的端部沿竖直方向延伸,然后,通过第二程序机构实现线圈的端部沿水平方向延伸,从而完成对射频多维度线圈的半自动成型加工作业,有效提高了射频多维度线圈的成型精度和成型效率。

    射频离子源系统及射频离子源控制方法

    公开(公告)号:CN114302549A

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN202111670990.6

    申请日:2021-12-31

    IPC分类号: H05H1/46

    摘要: 本申请涉及一种射频离子源系统及射频离子源控制方法,所述射频离子源系统包括:射频离子源,至少一个与所述射频离子源匹配使用的射频中和器;其中,所述射频离子源的射频控制器与所述射频中和器的阴极控制器通过通信线连接;所述射频控制器用于控制所述射频离子源进行启动和维持运行,并向所述阴极控制器发送射频离子源的控制参数;所述阴极控制器用于根据所述控制参数控制所述射频中和器进行启动和维持运行;上述技术方案,通过射频控制器和阴极控制器即可实现射频中和器跟随射频离子源进行启动和跟着负载的变化而变化,不需要单独设置,全程自动启动和与射频离子源的联机控制,降低了启动和调节过程的操作复杂性,提升了射频中和器的控制效率。

    离子源供气结构及离子源装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111785600A

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN202010681782.5

    申请日:2020-07-15

    IPC分类号: H01J27/14 H01J27/02

    摘要: 本申请涉及一种离子源供气结构及离子源装置,包括:设置在阳极部件周围的气流回路,以及设于所述阳极部件上且与所述气流回路连通的出气口;其中,所述出气口沿所述阳极部件的中部分布;所述气流回路接入外部的工艺气体,将所述工艺气体输送至各个所述出气口,并通过所述出气口从阳极部件中部导出。该技术方案,将工艺气体输送至各个所述出气口并从阳极部件中部导出,使得工艺气体在电离腔中能够得到更加充分的反应,提高了离子源的电离效率,而且避免了工艺气体沉积,减少对磁铁上部的保护器件的腐蚀。

    离子源装置及可活动射频扫描离子设备

    公开(公告)号:CN111063598A

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201911417964.5

    申请日:2019-12-31

    IPC分类号: H01J37/08 H01J37/30

    摘要: 本申请涉及一种离子源装置和可活动射频扫描离子设备,该离子源装置包括:射频匹配网络、射频离子源;其中,射频匹配网络为Π型结构的匹配网络;射频匹配网络的输入端连接射频源,射频匹配网络的输出端连接至射频离子源的射频线圈一端;射频离子源的射频线圈另一端接地;射频匹配网络通过输入端接入射频源,射频源通过输出端传输至射频离子源的射频线圈,射频线圈对通过气体管道进入电离室的气体进行电离产生离子,并通过屏极栅网的驱动产生离子束。上述离子源装置,简化了射频匹配网络的结构,便于移动使用。上述可活动射频扫描离子设备,离子源可以方便移动来实现镜面的扫描处理,提升了射频扫描离子设备使用效果。

    等离子体发射方向控制装置、等离子体源及其启动方法

    公开(公告)号:CN113782408B

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202111081909.0

    申请日:2021-09-15

    IPC分类号: H01J37/147 H01J37/32

    摘要: 本申请涉及一种等离子体发射方向控制装置、等离子体源及其启动方法,所述装置包括:应用于等离子体源,所述等离子体源包括:电离腔室、射频线圈以及供气管路;其中,所述电离腔室一侧连接离子发射口;所述控制装置包括:设于在所述离子发射口位置处的阳极,以及连接所述阳极的阳极电源;所述阳极电源向所述阳极提供正极电,驱动所述阳极产生电场,所述等离子体在所述电场的作用下按设定发射角度进行发射;该技术方案,可以控制等离子体的发射角度和覆盖范围,克服了等离子体发射位置固定的缺陷,从而提升了对等离子体发射角度的可控性,等离子体均匀性好,增强了等离子体源的镀膜使用效果。