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公开(公告)号：CN118818927A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310418079.9
申请日：2023-04-18
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯南方集成电路制造有限公司
IPC: G03F9/00
Abstract: 本发明实施例提供一种光刻模板、晶圆及光刻图形测量方法，所述光刻模板，包括：器件区和切片区；其中，所述器件区内包括器件图形和与所述器件图形相邻的对准标记；所述对准标记包括对准区和过渡区，所述过渡区邻接所述对准区，且，所述过渡区内的图形不同于所述对准区内的图形。其中，基于过渡区内的图形不同于所述对准区内的图形，使得本发明实施例中的对准标记易于识别，进而避免对应的OVL测量方法产生偏差，提高了OVL测量的精度。
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公开(公告)号：CN118859634A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310477742.2
申请日：2023-04-27
Applicant: 中芯南方集成电路制造有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种套刻补偿方法及装置、存储介质、电子设备。所述方法包括：获取第一初始层对应的初始前馈补偿数据及反馈补偿数据；获取所述第一初始层的对准信息，并基于所述第一初始层的对准信息，确定对准方式；所述第一初始层的对准信息包括：对准层的标识信息；当对准方式为直接对准方式时，基于所述第一初始层的对准信息，得到所述第一初始层的对准补偿数据，将所述初始前馈补偿数据与所述对准补偿数据之间的差值，作为所述第一初始层的前馈补偿数据；利用所述第一初始层的前馈补偿数据及反馈补偿数据，对所述第一初始层进行套刻补偿，在所述第一初始层形成相应的光刻图形。采用上述方案，可以提升套刻精度。
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公开(公告)号：CN113496906A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202010195923.2
申请日：2020-03-19
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种晶圆套刻量测方法、装置、存储介质及电子设备。在本发明实施例中，先根据晶圆在第一状态下的第一数据确定异常目标，再获取异常目标的第二数据，根据第一数据和第二数据获取异常目标的检测结果。由此，可以仅获取大部分目标的第一数据，以及少部分目标的第一数据和第二数据来确定晶圆中各目标的检测结果。可以在保证量测精度的同时提高量测效率。
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公开(公告)号：CN112882346A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201911201781.X
申请日：2019-11-29
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种套刻补偿的方法及其系统，所述方法包括：提供衬底，衬底包括多个标准图形；提供测试光罩，测试光罩包括多个图形，图形中包括测试图形；提供基底，对测试光罩中的测试图形进行曝光，在基底上形成多个实际图形，实际图形与标准图形相对应；获得实际图形与相对应的标准图形之间的套刻偏移量；提供场域间模型，根据套刻偏移量对场域间模型进行拟合，获得场域间补偿模型和初始残值；提供光场级模型，根据初始残值对光场级模型进行拟合，获得光场级补偿模型和最终残值；利用所述光场级补偿模型获得机台补偿值。本发明通过光场级补偿模型获得机台补偿值，将机台补偿值将机台局限性误差考虑进套刻补偿方法中，降低了机台性能局限性导致的套刻误差。
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公开(公告)号：CN107301959B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201610236693.3
申请日：2016-04-15
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种光刻设备的微粒检测方法。本发明的光刻设备的微粒检测方法包括：提供晶圆；传递所述晶圆至所述光刻设备中，并通过光刻工艺在所述晶圆上形成微粒采集结构；对所述晶圆进行旋转冲洗，使得微粒聚集在所述微粒采集结构的边缘；刻蚀所述晶圆的部分厚度，在微粒处进行倾斜刻蚀，使得所述微粒下方产生锥状突起；检测所述晶圆。与现有技术相比，本发明在刻蚀后，形成了锥状突起，从而使得检测设备能够检测到，达到了发现光刻设备中粒径小于检测设备极限的微粒，防止了这些微粒对产品的影响，有利于提高产品的良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107301959A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201610236693.3
申请日：2016-04-15
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种光刻设备的微粒检测方法。本发明的光刻设备的微粒检测方法包括：提供晶圆；传递所述晶圆至所述光刻设备中，并通过光刻工艺在所述晶圆上形成微粒采集结构；对所述晶圆进行旋转冲洗，使得微粒聚集在所述微粒采集结构的边缘；刻蚀所述晶圆的部分厚度，在微粒处进行倾斜刻蚀，使得所述微粒下方产生锥状突起；检测所述晶圆。与现有技术相比，本发明在刻蚀后，形成了锥状突起，从而使得检测设备能够检测到，达到了发现光刻设备中粒径小于检测设备极限的微粒，防止了这些微粒对产品的影响，有利于提高产品的良率。
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公开(公告)号：CN104635440B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201310567482.4
申请日：2013-11-14
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G03F9/00 , G03F7/20 , H01L23/544
Abstract: 本发明揭示了一种套刻对准标记及其测量方法，使得所述套刻对准标记包括设置于前层的前层标记和设置于当层的当层标记，所述前层标记包括第一标记及嵌套所述第一标记的第二标记，所述第一标记与第二标记同心，所述第二标记相对第一标记旋转一角度；所述当层标记包括围绕成一周的阻挡框，相邻阻挡框之间具有间隙，所述当层标记至少能够暴露出所述前层标记的一部分。在进行测量时，通过测量暴露出的前层标记中心的变化获得测量值x和y，然后结合所述角度相应的得到Y方向和X方向的偏移量，从而获得OVL值。因此，避免了由于厚度过厚等问题而导致的不能够测量的情况发生，避免了潜在的风险，降低了返工率，有效预防了报废情况的发生。
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公开(公告)号：CN105489522A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410535256.2
申请日：2014-10-11
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本申请提供了一种光刻版及晶圆或晶圆承载台沾污的检测方法。该光刻版包括版图，版图具有等第一间距分布的多个标记区域，标记区域的宽度为W1，第一间距与宽度相等，标记区域具有等第二间距分布的多个子标记，第二间距为W2。该版图的每一个子标记区域在干涉图形中均会出现一个干涉峰，当某处的标记出现异常时，对应的干涉峰也会出现偏移或振荡，能够读取到明显的干涉信号变化，因此其对沾污的检测灵敏度较高；且该版图还可以覆盖到晶圆的边缘，能够灵敏及时地检测到晶圆或晶圆承载台上的沾污，进而避免了由于沾污造成器件失效需要的返工的问题，提高了器件的产率及良率。
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公开(公告)号：CN104635440A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201310567482.4
申请日：2013-11-14
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G03F9/00 , G03F7/20 , H01L23/544
Abstract: 本发明揭示了一种套刻对准标记及其测量方法，使得所述套刻对准标记包括设置于前层的前层标记和设置于当层的当层标记，所述前层标记包括第一标记及嵌套所述第一标记的第二标记，所述第一标记与第二标记同心，所述第二标记相对第一标记旋转一角度；所述当层标记包括围绕成一周的阻挡框，相邻阻挡框之间具有间隙，所述当层标记至少能够暴露出所述前层标记的一部分。在进行测量时，通过测量暴露出的前层标记中心的变化获得测量值x和y，然后结合所述角度相应的得到Y方向和X方向的偏移量，从而获得OVL值。因此，避免了由于厚度过厚等问题而导致的不能够测量的情况发生，避免了潜在的风险，降低了返工率，有效预防了报废情况的发生。
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公开(公告)号：CN101650533A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200810041567.8
申请日：2008-08-11
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种光刻工艺的自动监控方法及系统，其中监控方法包括以下步骤：a.采集工序单元动作的时间；b.存储工序单元动作的时间；c.判断动作的工序单元是否为监控工序单元，其中，若为监控工序单元，执行步骤d，若否，则执行步骤a；d.按监控时间参数与监控的工序单元动作时间的关系式，计算监控时间参数；e.判断步骤d计算出的监控时间参数是否符合标准时间范围，其中若不符合标准时间范围则暂停监控的工序单元。其中监控系统包括以下模块：工序单元触发模块、数据采集模块，数据存储模块、判断模块、计算模块、比较模块和控制模块。本发明可解决传统光刻工艺无法实现工序单元时间参数监控的问题。
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