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公开(公告)号：CN116960198A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210420835.7
申请日：2022-04-20
申请人： 北京京东方传感技术有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/115
摘要： 本发明实施例公开了一种探测基板、其制作方法及平板探测器，通过将光电转换器件的顶电极设置成表面具有至少一个微结构以及围绕微结构设置的凹陷，这样增加了顶电极表面的粗糙度，当光线入射至该微结构的侧壁时，微结构可对光线进行反射、折射和散射，增加了入射光在光电转换器件内的光程，保证入射光的充分吸收，提高光利用率，从而提高光电转换器件的外量子效率，进而提高平板探测器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN114388538A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011142827.8
申请日：2020-10-22
申请人： 北京京东方传感技术有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , G01T1/24
摘要： 本发明提供了一种探测基板及其制作方法、平板探测器，涉及光电检测技术领域，能避免金属氧化物薄膜晶体管被还原，提高金属氧化物薄膜晶体管的稳定性。探测基板包括阵列排布的多个探测像素单元；探测像素单元包括：设置在衬底之上的薄膜晶体管、牺牲层和光电转换部；牺牲层位于薄膜晶体管和光电转换部之间；其中，薄膜晶体管包括有源层、第一电极和第二电极；有源层在衬底上的至少部分正投影位于牺牲层在衬底上的正投影以内；光电转换部分别与牺牲层、第一电极电连接；探测基板中，各探测像素单元的牺牲层相互独立。本发明适用于探测基板的制作。
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公开(公告)号：CN118712177A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202310312024.X
申请日：2023-03-27
申请人： 北京京东方传感技术有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本申请公开一种静电释放电路单元、半导体器件面板及电子设备，涉及半导体技术领域，能够有效引入大伏值静电，并进行静电释放，静电释放效率较高，可提高静电防护效果。静电释放电路单元，包括：静电释放阵列，包括多个相互电连接的静电释放结构，所述静电释放结构包括第一结构部和第二结构部，所述第一结构部与所述第二结构部分别属于不同的导电层，所述第一结构部与所述第二结构部通过绝缘层过孔电连接，所述第二结构部具有至少一个尖端；开关器件，一端用于电连接静电主引线，另一端与任意所述静电释放结构电连接。
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公开(公告)号：CN111682040B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202010580774.1
申请日：2020-06-23
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方传感技术有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N25/30
摘要： 本公开提供了一种探测基板及射线探测器，包括：衬底基板；多个探测像素，位于衬底基板之上，其中至少一个探测像素作为探测标记像素，探测标记像素包括：存储电容，存储电容的第一电极板与偏置电压端耦接；放电电路，放电电路被配置为在第一扫描信号端的控制下，将偏置电压端的信号写入存储电容的第二电极板；读取电路，与外部读取电路耦接，读取电路被配置为在第二扫描信号端的控制下，将存储电容的第二电极板的电压写入外部读取电路，并将外部读取电路的参考信号写入存储电容的第二电极板。
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公开(公告)号：CN115117099A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110285418.1
申请日：2021-03-17
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方传感技术有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供一种探测基板、其制作方法及平板探测器，属于光电检测技术领域，其可至少部分解决现有的探测基板中晶体管的稳定性较差的问题。本发明的一种探测基板，包括：衬底基板，沿背离衬底基板方向依次设置的晶体管，读取电极和光电转换结构；所述探测基板还包括：位于所述晶体管所在层与所述读取电极所在层之间的氧化物层；其中，所述氧化物层在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述晶体管在所述衬底基板上的正投影；所述读取电极与所述晶体管电连接，且连接位置在所述衬底基板上的正投影与所述晶体管在所述衬底基板上的正投影无交叠。
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公开(公告)号：CN116435322A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310487917.8
申请日：2023-04-28
申请人： 北京京东方传感技术有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本公开实施例提供一种光电基板及其制备方法。所述光电基板包括基底、设置在基底上的至少一个晶体管和至少一条数据线；至少一个晶体管包括栅电极、有源层以及与有源层连接的第一极和第二极，栅电极设置在基底上，有源层设置在覆盖栅电极的第一绝缘层上，第一极靠近第二极的第一端设置在有源层上，第一极远离第二极的第二端与数据线连接，第二极靠近第一极的第一端设置在有源层上；数据线远离基底一侧的表面与基底表面之间具有第一高度，第一极远离基底一侧的表面与基底表面之间具有第二高度，第一高度与第二高度之间的差值小于或等于数据线厚度的40％至50％，可以精确控制数据线以及晶体管尺寸，提高数据线和晶体管尺寸均一性，提高产品合格率。
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公开(公告)号：CN115621294A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211336849.7
申请日：2022-10-28
申请人： 北京京东方传感技术有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提出了探测基板及其制作方法和探测器。探测基板包括：衬底；栅极，栅极设置在衬底的一侧；有源层，有源层设置在栅极远离衬底的一侧，有源层包括掺杂部，掺杂部包括间隔设置的第一掺杂区和第二掺杂区，掺杂部具有第一掺杂浓度；掺杂层，掺杂层设置在第二掺杂区远离衬底的至少部分表面上，且掺杂层与第一掺杂区没有交叠，掺杂层具有第二掺杂浓度，第二掺杂浓度大于第一掺杂浓度；源漏电极层，源漏电极层包括源极和漏极，漏极与第一掺杂区接触连接，源极与掺杂层接触连接。由此，上述探测基板在薄膜晶体管处于断开的状态下，不易产生漏电流，并且，掺杂层的设置进一步改善了源极与有源层的欧姆接触，提高了薄膜晶体管的开关比。
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公开(公告)号：CN115201889A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110388590.X
申请日：2021-04-12
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方传感技术有限公司
摘要： 本公开实施例提供了一种探测面板，包括：衬底基板，衬底基板包括探测区和位于探测区外围的非探测区；探测区包括：非探测区包括：多条驱动信号传输线、降噪用电压传输线、与栅线组一一对应的多个第一开关组和与栅线组一一对应的多个第二开关组，第一开关组包括与所对应的栅线组内栅线一一对应的多个第一开关，第二开关组包括与所对应的栅线组内所栅线一一对应的多个第二开关；栅线的第一端、栅线的第二端通过对应的第一开关和第二开关分别与一条驱动信号传输线和降噪用电压传输线相连，位于同一第一开关组内的不同第一开关连接不同的驱动信号传输线，位于不同第一开关组内的至少两个第一开关连接同一驱动信号传输线。
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公开(公告)号：CN117716501A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202280002211.1
申请日：2022-07-15
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方传感技术有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本公开实施例提供了一种探测基板及平板探测器，该探测基板包括衬底基板以及设置在衬底基板上的多个探测像素单元；每一探测像素单元包括：驱动电路，位于衬底基板上；光电转换器件，位于驱动电路背离衬底基板的一侧；光电转换器件包括依次串联的至少两个光电转换结构，至少两个光电转换结构中首个光电转换结构的底电极与驱动电路电连接，第n个光电转换结构的顶电极与第n+1个光电转换结构的底电极电连接；其中，n≥1；偏置电压线，位于光电转换器件背离衬底基板的一侧，偏置电压线与至少两个光电转换结构中最后一个光电转换结构的顶电极电连接。
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公开(公告)号：CN114156294A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111445874.4
申请日：2021-11-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方传感技术有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , G01N23/044
摘要： 本申请提供一种平板探测器及其制作、驱动方法、探测装置、成像系统，平板探测器包括基底、设置在基底一侧的背板层、以及设置在背板层远离基底一侧的感光器件，背板层包括第一薄膜晶体管、沿第一方向延伸的数据线和复位结构；其中，复位结构与感光器件电连接，用于在平板探测器处于暗态时，对感光器件进行复位。通过在平板探测器中设置复位结构，当平板探测器处于暗态时，复位结构可以清除感光器件由于上一次曝光而残留的电荷。在下一次曝光时，薄膜晶体管只会导出感光器件中因为该次曝光而产生的电荷，因此所得到的显示图像是该次曝光时的图像，不会出现上一次曝光时所产生的图像的残影，由此保证了平板探测器的成像质量。
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