探测基板、其制作方法及平板探测器

    公开(公告)号:CN113728435B

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202080000105.0

    申请日:2020-02-12

    IPC分类号: H01L27/146

    摘要: 一种探测基板、其制作方法及平板探测器,包括:衬底基板(101);驱动电路(102),位于衬底基板(101)之上;光电转换器件(103),位于衬底基板(101)之上,光电转换器件(103)的底电极(1031)与驱动电路(102)电连接;偏压线(104),位于光电转换器件(103)背离衬底基板(101)的一侧,在垂直于衬底基板(101)的方向上,偏压线(104)与光电转换器件(103)互不重叠;透明搭接部(105),位于光电转换器件(103)背离衬底基板(101)的一侧,光电转换器件(103)的顶电极(1032)通过透明搭接部(105)与偏压线(104)电连接。

    平板探测器基板及其制作方法、平板探测器

    公开(公告)号:CN113811998B

    公开(公告)日:2024-02-20

    申请号:CN202080000568.7

    申请日:2020-04-17

    IPC分类号: H01L27/14

    摘要: 本公开实施例公开了一种平板探测器基板及其制作方法、平板探测器,涉及平板探测器技术领域,用于提高平板探测器基板的填充率,进而提高平板探测器基板的灵敏度及量子检出效率。该平板探测器基板,包括:衬底基板、光电转换层、偏压信号线和导电结构。光电转换层位于所述衬底基板上;所述光电转换层具有靠近所述衬底基板的第一面和远离所述衬底基板的第二面。偏压信号线位于所述光电转换层与所述衬底基板之间。导电结构位于所述衬底基板上;所述导电结构的一端与所述光电转换层的第二面耦接,另一端与所述偏压信号线耦接,两端之间的部分位于所述光电转换层的旁侧。本公开提供的平板探测器基板用于实现数字化X射线摄影。

    光电基板及其制备方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116435322A

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202310487917.8

    申请日:2023-04-28

    IPC分类号: H01L27/146

    摘要: 本公开实施例提供一种光电基板及其制备方法。所述光电基板包括基底、设置在基底上的至少一个晶体管和至少一条数据线;至少一个晶体管包括栅电极、有源层以及与有源层连接的第一极和第二极,栅电极设置在基底上,有源层设置在覆盖栅电极的第一绝缘层上,第一极靠近第二极的第一端设置在有源层上,第一极远离第二极的第二端与数据线连接,第二极靠近第一极的第一端设置在有源层上;数据线远离基底一侧的表面与基底表面之间具有第一高度,第一极远离基底一侧的表面与基底表面之间具有第二高度,第一高度与第二高度之间的差值小于或等于数据线厚度的40%至50%,可以精确控制数据线以及晶体管尺寸,提高数据线和晶体管尺寸均一性,提高产品合格率。

    探测基板及其制作方法和探测器
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115621294A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202211336849.7

    申请日:2022-10-28

    IPC分类号: H01L27/146

    摘要: 本发明提出了探测基板及其制作方法和探测器。探测基板包括:衬底;栅极,栅极设置在衬底的一侧;有源层,有源层设置在栅极远离衬底的一侧,有源层包括掺杂部,掺杂部包括间隔设置的第一掺杂区和第二掺杂区,掺杂部具有第一掺杂浓度;掺杂层,掺杂层设置在第二掺杂区远离衬底的至少部分表面上,且掺杂层与第一掺杂区没有交叠,掺杂层具有第二掺杂浓度,第二掺杂浓度大于第一掺杂浓度;源漏电极层,源漏电极层包括源极和漏极,漏极与第一掺杂区接触连接,源极与掺杂层接触连接。由此,上述探测基板在薄膜晶体管处于断开的状态下,不易产生漏电流,并且,掺杂层的设置进一步改善了源极与有源层的欧姆接触,提高了薄膜晶体管的开关比。

    一种探测面板、其制作方法及光电检测装置

    公开(公告)号:CN110797365B

    公开(公告)日:2022-10-11

    申请号:CN201911107634.6

    申请日:2019-11-13

    发明人: 张冠 尚建兴

    IPC分类号: H01L27/146 G01T1/20

    摘要: 本发明公开了一种探测面板、其制作方法及光电检测装置,本发明通过在每一探测像素单元内的衬底基板与检测电路之间设置反射结构,这样在可见光入射至探测像素单元区域时,反射结构可以将从光电二极管与周围布线之间的间隙透出像素平面的可见光向光电二极管区域反射,又由于光电转换结构中的第一电极为透光电极,因此反射回光电二极管区域的可见光可以重新被光电二极管吸收,从而将从光电二极管与周围布线之间的间隙透出像素平面的可见光有效利用起来,能够在不影响分辨率的前提下显著提高像素的光电效应灵敏度,从而可以显著提升现有的像素灵敏度水平。