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公开(公告)号：CN109786218A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910112080.2
申请日：2019-02-13
申请人： 保定中创燕园半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种近单晶双层透明AlN陶瓷复合衬底，包括下层的近单晶AlN透明陶瓷基板和上层的AlN或GaN准单晶层；所述近单晶AlN透明陶瓷基板厚度为100—1000微米，晶胞直径在1-3微米，不含烧结助剂，且c轴取向偏差在10—20°以内；所述AlN或GaN准单晶层厚度为5—100微米，c轴取向偏差在5°以内。本发明复合衬底接近AlN单晶材料的性能，能够实现外延生长GaN单晶材料或器件或者AlN单晶材料或器件，翘曲变形小，热导率高；且制备该复合衬底的设备成本低，从而制造成本低，使6英寸和8英寸LED器件的生产成为可能。
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公开(公告)号：CN109148369B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN201811196018.8
申请日：2018-10-15
申请人： 保定中创燕园半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/67 , B23K26/402
摘要： 本发明公开了一种加热激光剥离设备，包括激光剥离设备本体，所述激光剥离设备本体包括设置于下端的移动平台，所述移动平台设置有加热底座，所述加热底座上设置有样品台，所述加热底座包括设置于所述样品台下方且用于给所述样品台加热的电加热装置，所述样品台下端还设置有用于检测样品台温度的温度传感器，所述样品台上方罩有保温罩，所述保温罩的顶端与所述样品台所对应的位置上设置有方便激光穿过的隔热透明窗。本发明的加热激光剥离设备，为剥离GaN外延片提供合适的温度环境，解决了蓝宝石衬底上生长的GaN外延片的残存应力问题，避免剥离时易碎裂的情况发生。
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公开(公告)号：CN109920725B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201910112086.X
申请日：2019-02-13
申请人： 保定中创燕园半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种近单晶双层透明AlN陶瓷复合衬底的制备方法，c轴偏差在10‑20°以内、厚度为100‑1000微米、晶胞直径在1‑3微米的近单晶AlN透明陶瓷基板的制备：将纯净的AlN陶瓷粉体装入塑料袋中形成圆柱形放入温等静压设备中进行压制粉碎，二次压制，切割成衬底圆片放入烧结炉内两次高温烧结；在透明陶瓷基板上制备c轴取向偏差在5°以内、厚度5‑100微米的AlN或GaN准单晶层：利用分子束外延法或金属有机化合物气相沉积法等方法制备，高温烧结。本发明制备的复合衬底能够实现外延生长GaN或AlN单晶材料或器件，翘曲变形小，热导率高，制造成本低，使6英寸和8英寸LED器件的生产成为可能。
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公开(公告)号：CN109920725A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910112086.X
申请日：2019-02-13
申请人： 保定中创燕园半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种近单晶双层透明AlN陶瓷复合衬底的制备方法，c轴偏差在10-20°以内、厚度为100-1000微米、晶胞直径在1-3微米的近单晶AlN透明陶瓷基板的制备：将纯净的AlN陶瓷粉体装入塑料袋中形成圆柱形放入温等静压设备中进行压制粉碎，二次压制，切割成衬底圆片放入烧结炉内两次高温烧结；在透明陶瓷基板上制备c轴取向偏差在5°以内、厚度5-100微米的AlN或GaN准单晶层：利用分子束外延法或金属有机化合物气相沉积法等方法制备，高温烧结。本发明制备的复合衬底能够实现外延生长GaN或AlN单晶材料或器件，翘曲变形小，热导率高，制造成本低，使6英寸和8英寸LED器件的生产成为可能。
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公开(公告)号：CN109148369A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811196018.8
申请日：2018-10-15
申请人： 保定中创燕园半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/67 , B23K26/402
CPC分类号： H01L21/7813 , B23K26/402 , H01L21/67103
摘要： 本发明公开了一种加热激光剥离设备，包括激光剥离设备本体，所述激光剥离设备本体包括设置于下端的移动平台，所述移动平台设置有加热底座，所述加热底座上设置有样品台，所述加热底座包括设置于所述样品台下方且用于给所述样品台加热的电加热装置，所述样品台下端还设置有用于检测样品台温度的温度传感器，所述样品台上方罩有保温罩，所述保温罩的顶端与所述样品台所对应的位置上设置有方便激光穿过的隔热透明窗。本发明的加热激光剥离设备，为剥离GaN外延片提供合适的温度环境，解决了蓝宝石衬底上生长的GaN外延片的残存应力问题，避免剥离时易碎裂的情况发生。
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公开(公告)号：CN109888065A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910152827.7
申请日：2019-02-28
申请人： 保定中创燕园半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , B23K26/082 , B23K26/18
摘要： 本发明实施例公开了一种利用加热激光剥离方法制作图形化蓝宝石衬底的方法，包括采用加热激光剥离设备对报废的LED外延片进行激光扫描，放入高温炉进行高温分解，高温炉内混合气体为氢气、氮气、氯气、氯化氢中的一种及两种以上，气体总流量5-100L/min,温度600-1300℃；置于温度为70-130℃的碱溶液中静置，再置于温度为80-180℃的酸溶液中静置；再在内有温度为90-140℃的体积比为1：4-7的硫酸与双氧水的混合液的石英槽内进行清洗，用去离子水冲洗后甩干。本发明将报废的LED外延片在不损伤图形的基础上去除图形化蓝宝石衬底上的外延层制作成新的图形化蓝宝石衬底，使其重新利用，工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN109887878A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910152598.9
申请日：2019-02-28
申请人： 保定中创燕园半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L33/00 , B23K26/53
摘要： 本发明实施例公开了一种回收图形化蓝宝石衬底的方法，包括采用波长355nm、剥离功率5-15W的激光剥离机对报废的LED外延片进行激光扫描，放入高温炉进行高温分解，高温炉内混合气体为氢气、氮气、氯气、氯化氢中的一种及两种以上，气体总流量5-100L/min,温度600-1300℃；置于装有温度70-130℃的防腐蚀器皿内的碱溶液中静置，再置于装有温度为80-180℃的防腐蚀器皿内的酸溶液中静置；再在内有温度为90-140℃的体积比为1：4-7的硫酸与双氧水的混合液的石英槽内进行清洗，用去离子水冲洗后甩干。本发明在不损伤图形的基础上去除图形化蓝宝石衬底上的外延层，使其重新利用，工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN210242436U
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201920889476.3
申请日：2019-06-13
申请人： 保定中创燕园半导体科技有限公司
IPC分类号： F27D5/00
摘要： 本实用新型公开了一种氮化铝陶瓷基板烧结用叠片架，包括底板、盖板和多片与底板尺寸相同的支撑叠片；所述底板四角分别固定有四根固定柱；所述支撑叠片的四角与固定柱相对应的位置开有与底板上的固定柱完全配合的固定孔；盖板四角与固定柱相对应的位置开有与底板上的固定柱完全配合的固定槽或固定孔；使用时，各支撑叠片穿在底板上的固定柱上，盖板也穿在底板上的固定柱上。使用该叠片架将氮化铝生坯进行叠片后烧结，制成的氮化铝陶瓷基板之间不会产生粘接，不改变氮化铝陶瓷基片性能的稳定性和重复性，保证了基板的平整度，基本没有翘曲变形，成品率高。
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公开(公告)号：CN209544284U
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201920193021.8
申请日：2019-02-13
申请人： 保定中创燕园半导体科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种近单晶双层透明AlN陶瓷复合衬底，包括下层的近单晶AlN透明陶瓷基板和上层的AlN或GaN准单晶层；所述近单晶AlN透明陶瓷基板厚度为100—1000微米，晶胞直径在1-3微米，不含烧结助剂，且c轴取向偏差在10—20°以内；所述AlN或GaN准单晶层厚度为5—100微米，c轴取向偏差在5°以内。本实用新型复合衬底接近AlN单晶材料的性能，能够实现外延生长GaN单晶材料或器件或者AlN单晶材料或器件，翘曲变形小，热导率高；且制备该复合衬底的设备成本低，从而制造成本低，使6英寸和8英寸LED器件的生产成为可能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208889638U
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201821665869.8
申请日：2018-10-15
申请人： 保定中创燕园半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/67 , B23K26/402
摘要： 本实用新型公开了一种加热激光剥离设备，包括激光剥离设备本体，所述激光剥离设备本体包括设置于下端的移动平台，所述移动平台设置有加热底座，所述加热底座上设置有样品台，所述加热底座包括设置于所述样品台下方且用于给所述样品台加热的电加热装置，所述样品台下端还设置有用于检测样品台温度的温度传感器，所述样品台上方罩有保温罩，所述保温罩的顶端与所述样品台所对应的位置上设置有方便激光穿过的隔热透明窗。本实用新型的加热激光剥离设备，为剥离GaN外延片提供合适的温度环境，解决了蓝宝石衬底上生长的GaN外延片的残存应力问题，避免剥离时易碎裂的情况发生。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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