公开(公告)号：CN104037070B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201410083341.X

申请日：2014-03-07

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： A·毛德 ,  R·奥特雷姆巴 ,  H-J·舒尔策

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/324 ,  H01L21/7806 ,  H01L21/7813 ,  H01L29/1608

摘要： 本发明提供一种用于生产半导体器件的方法。该方法包括：提供半导体衬底；在衬底上提供至少一个半导体器件，该半导体器件具有与半导体衬底相对的背面和朝向半导体衬底的正面；在半导体器件的背面上提供接触层；将接触层接合到辅助载体；并且从衬底分离该至少一个半导体器件。此外，本发明还提供一种根据该方法生产的半导体器件和中间产品。

公开(公告)号：CN104247068B

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201380019900.4

申请日：2013-04-17

申请人： 南洋理工大学

发明人： 袁顺发 ,  许大卫 ,  杨秋勇

IPC分类号： H01L49/00

CPC分类号： B32B43/006 ,  B32B2309/16 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/7813 ,  H01L31/1896 ,  H01L2221/68386 ,  Y10T156/1111 ,  Y10T156/1168 ,  Y10T156/1978

摘要： 在各实施例中，可提供一种用于分离多层结构的装置，所述多层结构包括第一层、第二层和在所述第一层和所述第二层之间的脱模层。所述装置可包括附接表面，该附接表面被构造为通过附接到所述第一层来悬挂所述多层结构。所述装置可进一步包括致动机构，该致动机构被构造为通过弯曲所述附接表面而形成所述第一层的曲度。所述装置还可包括容器，以容纳用于蚀刻所述脱模层以便将所述第一层与所述第二层分离的蚀刻剂。

公开(公告)号：CN106460228A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580021973.6

申请日：2015-03-03

申请人： 国立大学法人大阪大学 ,  伊藤忠塑料株式会社 ,  松下电器产业株式会社

发明人： 森勇介 ,  吉村政志 ,  今出完 ,  伊势村雅士 ,  冈山芳央

IPC分类号： C30B29/38 ,  C30B19/02 ,  C30B25/20 ,  C30B33/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208

CPC分类号： C30B29/406 ,  B28D5/00 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/20 ,  C30B29/38 ,  C30B33/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/7813 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3013 ,  H01S2304/06

摘要： 通过气相生长法制造大尺寸且变形、位错、翘曲等缺陷少的高品质III族氮化物结晶。制造方法包括下述步骤：第1III族氮化物结晶制造步骤，通过液相生长法制造第1III族氮化物结晶1003；第2III族氮化物结晶制造步骤，在第1结晶1003上，通过气相生长法使III族元素金属和氧化剂和含氮气体反应而制造第2III族氮化物结晶1004，其特征在于：所述第1III族氮化物结晶制造步骤使预先准备的III族氮化物的多个晶种1003a的表面与碱金属熔液接触，在含氮气氛下，使III族元素和所述氮在所述碱金属熔液中反应，通过由多个晶种1003a生长的多个III族氮化物结晶的生长，使所述多个III族氮化物结晶结合而作为第1结晶1003。

公开(公告)号：CN106298458A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610841636.8

申请日：2016-09-22

申请人： 成都海威华芯科技有限公司

发明人： 黎明

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/02016 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/7813 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2221/68386

摘要： 本发明提供了一种功率半导体器件的衬底转移方法，通过特殊的晶圆级键合技术，将设置在硅衬底上的GaN功率半导体器件转移至石英衬底上，该方法简单易行，可在同行业中进行推广；高绝缘的石英衬底可以有效的帮助GaN功率半导体器件提高击穿电压，提升器件的最大输出功率，同时增强器件的可靠性；另外，也可减小有源器件到衬底之间前的高频寄生参量，有效的提高GaN器件射频性能；该方法操作简单，可推动GaN器件在下一代毫米波雷达收发组件组件以及复杂宇航级领域的应用，具有明显的创新性和研究价值。

公开(公告)号：CN106057737A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610190979.2

申请日：2016-03-30

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 平田和也

IPC分类号： H01L21/78

CPC分类号： H01L21/304 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/56 ,  B24B7/228 ,  B26F3/002 ,  B28D5/00 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/268 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L21/7813

摘要： 提供薄板的分离方法。SiC基板具有：第一面和位于该第一面的相反侧的第二面；从该第一面至该第二面的c轴；以及与该c轴垂直的c面，所述薄板的分离方法将在SiC基板的该第一面上通过外延生长而层叠的薄板从SiC基板分离，具有如下的步骤：分离起点形成步骤，从该第二面将对于SiC基板具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在SiC基板的该第一面附近，并且使该聚光点与SiC基板相对地移动而对该第二面照射该激光束，形成与该第一面平行的改质层和从该改质层沿着c面伸长的裂痕而形成分离起点；以及分离步骤，在实施了该分离起点形成步骤之后，施加外力而从该分离起点起将该薄板从SiC基板分离。

公开(公告)号：CN105810595A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610042137.2

申请日：2016-01-21

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·鲍尔 ,  H·德普克 ,  D·迈尔 ,  G·迈尔-贝格 ,  D·波尔沃尔 ,  T·施密特 ,  C·冯韦希特尔

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/78 ,  B32B37/26 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/562 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H05K3/007 ,  Y10S156/93 ,  Y10S156/941 ,  H01L21/50 ,  H01L21/7813

摘要： 一种用于处理产品衬底的方法包括将承载体粘结至产品衬底。将永久性粘合剂的层施加到承载体的表面上。提供结构化的中间层。所施加的永久性粘合剂将承载体粘结至产品衬底。结构化的中间层布置在产品衬底与承载体之间。结构化的中间层的表面和永久性粘合剂的表面与产品衬底的表面直接接触。结构化的中间层减小产品衬底与承载体之间的粘合强度。

公开(公告)号：CN102804408B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201080049905.8

申请日：2010-09-09

申请人： 密歇根大学董事会

发明人： 史蒂芬·R·福里斯特 ,  杰拉米·齐默尔曼 ,  李圭相 ,  徐崑庭

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1892 ,  H01L21/7813 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/544

摘要： 公开了一种通过使用外延剥离制造诸如柔性光伏(PV)器件的光敏器件的方法。这里还描述了制备柔性PV器件的方法，该柔性PV器件包括具有生长基板的结构，其中保护层的选择性蚀刻产生适合于重新使用的光滑的生长基板。

公开(公告)号：CN102714150B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201080055594.6

申请日：2010-12-07

申请人： IPG微系统有限公司

发明人： J·P·赛塞尔 ,  M·门德斯 ,  胡吉

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L21/7813 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B32B38/0008 ,  B32B38/10 ,  B32B43/006 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/67115 ,  Y10S156/93 ,  Y10T156/1158 ,  Y10T156/1917

摘要： 本发明提供激光剥离系统及方法，其可用于经由以下方式来提供整体式激光剥离并使裂纹最小：减小一或多个光束点在一或多个维度上的大小以减小羽烟压力（plume pressure）、同时维持足够的能量以达成分离。经由照射具有各种形状及呈各种图案的照射区，该等激光剥离系统及方法可更有效地利用激光能、减少在层分离时的裂纹并提高生产率。本文所述的某些激光剥离系统及方法经由照射使激光剥离区（lift off zone；LOZ）延伸超出照射区的非邻接照射区来分离各个材料层。本文所述的其他激光剥离系统及方法经由对照射区进行成型及经由以能避免工件被不均匀曝光的方式控制各照射区的交迭来分离各个材料层。根据至少一实施例，一种激光剥离系统及方法可用于在一半导体晶圆的一基板上提供对一或多个外延层的整体式剥离。

公开(公告)号：CN104795361A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201510127031.8

申请日：2007-09-29

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 江口晋吾 ,  门马洋平 ,  谷敦弘 ,  广末美佐子 ,  桥本健一 ,  保坂泰靖

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L27/1266 ,  B32B43/006 ,  G02F1/1303 ,  G02F1/13306 ,  G06K19/0772 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/156 ,  H01L31/1892 ,  H01L31/206 ,  H01L33/005 ,  H01L51/003 ,  H01L51/0097 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2221/68395 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  Y10T29/41 ,  H01L21/7813

摘要： 本公开的发明名称为“剥离装置及半导体装置的制造方法”。本发明涉及剥离装置及半导体装置的制造方法，其目的在于当从用于制造半导体元件的衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，消除随着剥离而产生的静电的放电。使形成有元件形成层及剥离层的衬底和薄膜经过加压用滚筒和加压用滚筒之间的空隙。在加压用滚筒和加压用滚筒之间，薄膜贴附到元件形成层。在加压用滚筒的回收薄膜一侧，薄膜沿着加压用滚筒的曲面而弯曲，从而在元件形成层和剥离层之间产生剥离，以元件形成层转移在薄膜。向由剥离而产生的元件形成层和剥离层之间的空隙通过喷嘴逐步供应液体如纯水等，从而产生在元件形成层及剥离层的表面上的电荷由液体扩散。

公开(公告)号：CN104737285A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201380051012.0

申请日：2013-09-25

申请人： 等离子瑟姆有限公司

发明人： 彼得·法尔沃 ,  林内尔·马丁内斯 ,  大卫·佩斯-沃拉德 ,  里什·高尔丁 ,  鲁塞尔·韦斯特曼

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L33/00 ,  B28D5/00 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L21/78 ,  B28D5/00 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/7813

摘要： 本发明提供了一种用于切割具有背衬金属的基材的方法，所述方法包括下列步骤。所述基材提供有第一表面和第二表面，其中所述第二表面与所述第一表面相对。在所述基材的第一表面上提供掩模层，并在所述基材的第二表面上提供薄膜层。经过所述掩模层切割所述基材的第一表面，以暴露出所述基材的第二表面上的所述薄膜层。在通过所述切割步骤已暴露出所述薄膜层后，将来自于流体射流的流体施加到所述基材的第二表面上的所述薄膜层。