一种基于图像的埚位控制装置和方法

    公开(公告)号:CN109829638A

    公开(公告)日:2019-05-31

    申请号:CN201910063433.4

    申请日:2019-01-23

    IPC分类号: G06Q10/06 G06K9/00

    摘要: 本发明提供一种基于图像的埚位控制装置,包括视频监控设备、导流筒和控制器,视频监控设备设于导流筒的上部,导流筒下边缘的倒影位于视频监控设备中,视频监控设备与控制器电连接。本发明的有益效果是通过监控导流筒下边缘和导流筒下边缘在硅熔液中的倒影来实现单晶生长过程中埚位恒定,能够保证固液界面稳定,温度梯度稳定,保证了成晶率和晶体生长速率,提高单晶质量,降低异常事故。

    一种防止直拉单晶生长晃动的工艺方法

    公开(公告)号:CN109097825A

    公开(公告)日:2018-12-28

    申请号:CN201810994137.1

    申请日:2018-08-29

    IPC分类号: C30B15/20 C30B29/06

    CPC分类号: C30B15/20 C30B29/06

    摘要: 本发明提供一种防止直拉单晶生长晃动的工艺方法,包括稳温、引晶、扩肩、转肩和等径工步,依次调节稳温、引晶、扩肩、转肩与等径工步的单晶转速和坩埚转速,使每一工步的单晶转速和坩埚转速相配合。本发明的有益效果是由于采用上述技术方案,依次调节稳温、引晶、扩肩、转肩和等径各个工步的单晶转速和坩埚转速,合理调节各个工步的单晶转速、坩埚转速和温度,使溶体的自然对流和强制对流与单晶转速相协调,实现单晶等径过程不再晃动。

    一种直拉单晶用变径籽晶

    公开(公告)号:CN210438862U

    公开(公告)日:2020-05-01

    申请号:CN201822051680.6

    申请日:2018-12-07

    IPC分类号: C30B15/22 C30B15/36 C30B29/06

    摘要: 本实用新型提供一种直拉单晶用变径籽晶,包括粗籽晶部、变径籽晶部和细籽晶部,粗籽晶部、变径籽晶部与细籽晶部依次连接。本实用新型的有益效果是由于采用上述技术方案,使得籽晶的结构更加简单,采用变径设计,从粗籽晶部分到细籽晶部分直径变小,粗籽晶部保证了籽晶的强度,细籽晶部横截面积变小,与硅溶液液面接触时产生的位错少,降低位错的产生,缩短了引晶长度,提高了设备整体效率OEE。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利