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    一种利用坩埚上升提拉法制备大片状蓝宝石单晶体的方法
    2.
    发明公开
    一种利用坩埚上升提拉法制备大片状蓝宝石单晶体的方法 无效

    公开(公告)号：CN105401213A

    公开(公告)日：2016-03-16

    申请号：CN201510876763.7

    申请日：2015-12-03

    申请人： 河南西格马晶体科技有限公司

    发明人： 李县辉 ,  徐军 ,  吴锋 ,  唐慧丽 ,  周森安 ,  安俊超 ,  李豪

    IPC分类号： C30B15/20 ,  C30B15/10 ,  C30B29/20

    CPC分类号： C30B15/206 ,  C30B15/10 ,  C30B29/20

    摘要： 本发明涉及一种利用坩埚上升提拉法制备大片状蓝宝石单晶体的方法，本方法采用上端开口的扁平状结构坩埚，坩埚的两侧对称水平布置多个电阻式发热体，发热体包围坩埚形成两个温区，即结晶区和位于结晶区下方的熔融区，两个温区独立加热、独立控温、独立在面板上显示温度，通过控制结晶区的温度使晶体生长的界面温度符合蓝宝石晶体生长的最佳温度范围，本发明通过坩埚从下向上移动精确控制晶体生长界面温度，可以制备大尺寸片状蓝宝石单晶体，且蓝宝石单晶体的生长周期短、成品率高、晶体利用率高、生产成本低，制备的大片状蓝宝石单晶体能够满足一些大尺寸特殊光学窗口的要求。

    控制CZ生长过程中由硅单晶侧面诱发的附聚点缺陷和氧簇的形成
    3.
    发明授权
    控制CZ生长过程中由硅单晶侧面诱发的附聚点缺陷和氧簇的形成 有权 转让

    公开(公告)号：CN103147122B

    公开(公告)日：2016-01-20

    申请号：CN201310072159.X

    申请日：2007-05-18

    申请人： MEMC电子材料有限公司

    发明人： M·S·库尔卡尼

    IPC分类号： C30B15/20 ,  C30B29/06

    CPC分类号： C30B15/00 ,  C30B15/14 ,  C30B15/20 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206 ,  C30B29/06

    摘要： 本发明涉及控制CZ生长过程中由硅单晶侧面诱发的附聚点缺陷和氧簇的形成。本发明还涉及制备单晶硅锭的方法，还涉及由其制成的锭块或晶片。在一个实施方案中，该方法包括控制生长速度v和如本文定义的有效或校正的轴向温度梯度，从而在该锭块的给定片段内，在该片段的相当大部分半径范围内，比率v/G有效或v/G校正基本接近其临界值，并在（i）固化和大约1250℃之间、和（ii）大约1250℃和大约1000℃之间控制该片段的冷却速率，以控制其中的本征点缺陷的径向并入效应，并由此在从大约锭片段的侧面向内径向延伸的环中限制附聚本征点缺陷和/或氧沉淀簇的形成。在这种或替代的实施方案中，可以控制轴向温度梯度和/或熔体/固体界面，以限制该环中的附聚本征点缺陷和/或氧沉淀簇的形成。

    硅单晶基底及其制造方法
    4.
    发明授权
    硅单晶基底及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN103173857B

    公开(公告)日：2015-09-30

    申请号：CN201210558695.6

    申请日：2012-12-20

    申请人： 硅电子股份公司

    发明人： 中居克彦 ,  大久保正道 ,  坂本光

    IPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/00 ,  H01L29/30 ,  B28D5/00

    CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/04 ,  C30B15/206 ,  C30B33/02

    摘要： 本发明是硅晶体基底及其制造方法。提供硅单晶基底，所述硅单晶基底在基底中有均匀的阻抗，在基底表面层有较少的BMD，并且在基底厚度的中心有适中的BMD。硅单晶基底通过切割用佐克拉斯基方法生长的硅单晶所形成，所述基底具有以下特征。硅单晶基底第一主表面中心的电阻率不低于50Ω·cm，并且第一主表面的电阻率变化率不大于3%。位于第一主表面与50μm深的平面之间的区域中的氧沉淀物块体微缺陷的平均密度低于1×108/cm3。位于离第一主表面300μm深的平面与400μm深的平面之间的区域中的氧沉淀物块体微缺陷的平均密度不低于1×108/cm3且不大于1×109/cm3。

    直拉法生长掺镓硅单晶的方法和装置
    7.
    发明授权
    直拉法生长掺镓硅单晶的方法和装置 失效 转让

    公开(公告)号：CN101148777B

    公开(公告)日：2011-03-23

    申请号：CN200710058315.1

    申请日：2007-07-19

    申请人： 任丙彦 ,  任丽

    发明人： 任丙彦 ,  任丽

    IPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/00

    CPC分类号： C30B15/14 ,  C30B15/206 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/1052

    摘要： 本发明涉及一种直拉法生长掺镓硅单晶的方法和装置。该装置是专门用于生长掺镓硅单晶热场装置。单晶炉中装料，降籽晶，下降引细径，晶转提拉，等径生长，控制压力、拉速、氩气流速和晶转，调埚位保持导流筒下沿与液面之间的距离和埚转，按常规工艺调节、收尾和冷却；其中细径拉速为1.5～6.5mm/分钟，细径长度不小于160mm，细径直径≤3mm；转肩拉速1.6～2.6mm/分钟，转肩1/2后拉速调至1.2mm/分钟。本发明掺镓硅单晶的电阻率在投料量42～45公斤的Φ16″热装置下生长的Φ150mm，P 硅单晶的电阻率为0.5Ω·cm～3Ω·cm，从头部至尾部完全分布在所需的电阻率范围之内，为高效太阳能电池的提高效率并抑制效率衰减创造了工业化的基础。

    从熔体中生长硅单晶的方法和装置
    8.
    发明公开
    从熔体中生长硅单晶的方法和装置 有权

    公开(公告)号：CN101886289A

    公开(公告)日：2010-11-17

    申请号：CN201010154972.8

    申请日：2010-03-30

    申请人： 硅电子股份公司

    发明人： P·菲拉尔

    IPC分类号： C30B15/00

    CPC分类号： C30B15/14 ,  C30B13/28 ,  C30B15/00 ,  C30B15/10 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206 ,  C30B15/305 ,  C30B21/06 ,  C30B27/02 ,  C30B28/10 ,  C30B29/06 ,  C30B30/04 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1068

    摘要： 本发明涉及一种从熔体中生长硅单晶的方法和装置。所述方法包括：在坩埚中提供所述熔体；在熔体上施加水平磁场，所述磁场在场中心C具有磁感应B；将气体在所述硅单晶与热遮蔽体之间导向熔体自由表面；并且控制所述气体流过以基本上垂直于所述磁感应B的方向延伸的熔体自由表面区域。所述的装置包括：用于承载熔体的坩埚；用于在熔体上施加水平磁场磁系统，所述磁场在磁场中心C处具有磁感应B；围绕硅单晶的热遮蔽体，该热遮蔽体具有与面对熔体自由表面的底盖连接的低端，该低端相对于坩埚轴M具有非轴对称形状，从而在硅单晶和热遮蔽体之间导向熔体自由表面的气体被底盖驱使流过熔体自由表面，所述熔体自由表面按基本上垂直于磁感应B的方向进行延伸。