公开(公告)号：CN102636678B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201210104045.4

申请日：2012-04-10

申请人： 北京大学

发明人： 洪杰 ,  何燕冬 ,  张钢刚 ,  张兴

IPC分类号： G01R19/00

摘要： 本发明涉及集成电路技术领域，提供了一种阈值电压退化测量电路。所述电路包括两个串联的MOS管；其中，第一MOS管为被测管，第一MOS管的栅极连接第一直流电压，源极和衬底同时连接源极电压，漏极连接输出端；第二MOS管的栅极和漏极同时连接第二直流电压，源极和衬底同时连接输出端。在本发明的方案中，提出了一种结构简单的阈值电压退化测量电路，其电路只包含两个串联的MOS管，只需测量输出端的电压变化即可直接测量被测管的阈值电压退化情况，只涉及一个物理量的获取且无需进行二次处理和分析，因此本发明的技术方案结构简单、操作方便、节省时间、结果精确直观且易于实现。

公开(公告)号：CN102522386B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201110397002.5

申请日：2011-12-02

申请人： 北京大学

发明人： 何燕冬 ,  洪杰 ,  张钢刚 ,  张兴

IPC分类号： H01L23/544 ,  G01R31/26

CPC分类号： H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种栅氧化层界面陷阱密度测试结构及测试方法，涉及MOS器件质量、可靠性测试技术领域，所述测试结构包括n型MOSFET及对应的p型栅氧化层电容，或者p型MOSFET及对应的n型栅氧化层电容；所述n型MOSFET与其对应的p型栅氧化层电容，以及p型MOSFET与其对应的n型栅氧化层电容共用栅极。本发明采用同一测试结构便可完成对n和p型MOS器件栅氧化层界面陷阱密度的测试，且缩短了测量时间、提高了测试效率，降低了测试成本。

公开(公告)号：CN103152056A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310035208.2

申请日：2013-01-30

申请人： 北京大学

发明人： 董明科 ,  左君 ,  洪一帆 ,  乐天 ,  洪杰 ,  龙秋朦 ,  蒋伟 ,  罗武

IPC分类号： H03M13/11

摘要： 本发明公布了一种基于原模图的准循环LDPC码构造方法及装置。构造方法中对原模图进行两次扩展，第一次扩展次数L1较小，采用修正PEG算法去除原模图中的重边、增大扩展后码的围长。第二次扩展次数为L2，即给第一次扩展中建立的连接挑选一个循环移位偏移量，每个连接对应一个大小为L2×L2的单位循环矩阵。此方法借鉴了PEG算法的局部优化思想构造准循环LDPC码的基矩阵，在逐列为变量节点与校验节点建立连接并确定对应循环移位偏移量的过程中，根据修正PEG算法遍历新建立的连接导致在基矩阵中形成的新的环，保证这些环的扩大因子A大于1，从而避免了长为4的环，减少了短环个数，并采用ACE乘法准则避免校验矩阵中出现连通度小的短环。

公开(公告)号：CN102645569B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201210083793.9

申请日：2012-03-27

申请人： 北京大学

发明人： 洪杰 ,  何燕冬 ,  张钢刚 ,  张兴

IPC分类号： G01R19/00

摘要： 本发明公开了一种MOS器件阈值电压波动性的测量电路及测量方法，涉及集成电路技术领域，所述测量电路包括：类型相同的待测MOS管和标准MOS管，所述待测MOS管和标准MOS管串联连接。本发明通过串联连接的待测MOS管和标准MOS管来测量待测MOS管的阈值电压的波动性，降低了测试器件结构的复杂度，并减少了测量所耗费的时间。

公开(公告)号：CN102522386A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110397002.5

申请日：2011-12-02

申请人： 北京大学

发明人： 何燕冬 ,  洪杰 ,  张钢刚 ,  张兴

IPC分类号： H01L23/544 ,  G01R31/26

CPC分类号： H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种栅氧化层界面陷阱密度测试结构及测试方法，涉及MOS器件质量、可靠性测试技术领域，所述测试结构包括n型MOSFET及对应的p型栅氧化层电容，或者p型MOSFET及对应的n型栅氧化层电容；所述n型MOSFET与其对应的p型栅氧化层电容，以及p型MOSFET与其对应的n型栅氧化层电容共用栅极。本发明采用同一测试结构便可完成对n和p型MOS器件栅氧化层界面陷阱密度的测试，且缩短了测量时间、提高了测试效率，降低了测试成本。

公开(公告)号：CN103152056B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201310035208.2

申请日：2013-01-30

申请人： 北京大学

发明人： 董明科 ,  左君 ,  洪一帆 ,  乐天 ,  洪杰 ,  龙秋朦 ,  蒋伟 ,  罗武

IPC分类号： H03M13/11

摘要： 本发明公布了一种基于原模图的准循环LDPC码构造方法及装置。构造方法中对原模图进行两次扩展，第一次扩展次数L1较小，采用修正PEG算法去除原模图中的重边、增大扩展后码的围长。第二次扩展次数为L2，即给第一次扩展中建立的连接挑选一个循环移位偏移量，每个连接对应一个大小为L2×L2的单位循环矩阵。此方法借鉴了PEG算法的局部优化思想构造准循环LDPC码的基矩阵，在逐列为变量节点与校验节点建立连接并确定对应循环移位偏移量的过程中，根据修正PEG算法遍历新建立的连接导致在基矩阵中形成的新的环，保证这些环的扩大因子A大于1，从而避免了长为4的环，减少了短环个数，并采用ACE乘法准则避免校验矩阵中出现连通度小的短环。

公开(公告)号：CN103323763A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310253482.7

申请日：2013-06-24

申请人： 北京大学

发明人： 何燕冬 ,  艾雷 ,  洪杰 ,  张钢刚 ,  张兴

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种测量阈值电压和饱和漏电流退化电路。该电路包括：PMOS晶体管、NMOS晶体管、负载电容、电压比较器、第一数级反相器链和第二数级反相器链，上述部件组成一个三角波产生电路。本发明提供的测量阈值电压和饱和漏电流退化电路，采用将三角波产生电路与MOS晶体管的阈值电压及饱和漏电流的退化测试结合起来，将器件的特性与电路行为结合起来，可以从外部改变电路的工作条件，并且可以在各种不同的测试条件下，直接简便地测出阈值电压和饱和漏电流的退化情况。

公开(公告)号：CN102645569A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210083793.9

申请日：2012-03-27

申请人： 北京大学

发明人： 洪杰 ,  何燕冬 ,  张钢刚 ,  张兴

IPC分类号： G01R19/00

摘要： 本发明公开了一种MOS器件阈值电压波动性的测量电路及测量方法，涉及集成电路技术领域，所述测量电路包括：类型相同的待测MOS管和标准MOS管，所述待测MOS管和标准MOS管串联连接。本发明通过串联连接的待测MOS管和标准MOS管来测量待测MOS管的阈值电压的波动性，降低了测试器件结构的复杂度，并减少了测量所耗费的时间。

公开(公告)号：CN103323763B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201310253482.7

申请日：2013-06-24

申请人： 北京大学

发明人： 何燕冬 ,  艾雷 ,  洪杰 ,  张钢刚 ,  张兴

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种测量阈值电压和饱和漏电流退化电路。该电路包括：PMOS晶体管、NMOS晶体管、负载电容、电压比较器、第一数级反相器链和第二数级反相器链，上述部件组成一个三角波产生电路。本发明提供的测量阈值电压和饱和漏电流退化电路，采用将三角波产生电路与MOS晶体管的阈值电压及饱和漏电流的退化测试结合起来，将器件的特性与电路行为结合起来，可以从外部改变电路的工作条件，并且可以在各种不同的测试条件下，直接简便地测出阈值电压和饱和漏电流的退化情况。

公开(公告)号：CN102636678A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210104045.4

申请日：2012-04-10

申请人： 北京大学

发明人： 洪杰 ,  何燕冬 ,  张钢刚 ,  张兴

IPC分类号： G01R19/00

摘要： 本发明涉及集成电路技术领域，提供了一种阈值电压退化测量电路。所述电路包括两个串联的MOS管；其中，第一MOS管为被测管，第一MOS管的栅极连接第一直流电压，源极和衬底同时连接源极电压，漏极连接输出端；第二MOS管的栅极和漏极同时连接第二直流电压，源极和衬底同时连接输出端。在本发明的方案中，提出了一种结构简单的阈值电压退化测量电路，其电路只包含两个串联的MOS管，只需测量输出端的电压变化即可直接测量被测管的阈值电压退化情况，只涉及一个物理量的获取且无需进行二次处理和分析，因此本发明的技术方案结构简单、操作方便、节省时间、结果精确直观且易于实现。