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公开(公告)号：CN116936786A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210362225.6
申请日：2022-04-07
摘要： 本发明公开了一种石墨烯修饰铝箔的制备方法，将铝箔放入处理液中，使铝箔表面的氧化铝层与处理液发生腐蚀反应，控制反应时间，使表层部分氧化铝反应溶解，形成粗糙的表面结构；通过控制处理液的种类和反应时间，可确保铝箔表面在形成粗糙结构的同时，氧化铝层不被完全腐蚀溶解。在后续气相沉积生长石墨烯时，裂解的碳易与氧化铝中的氧形成C‑O‑Al共价键，C‑O‑Al共价键显著提升石墨烯层和铝箔的界面粘合力，提升石墨烯层的剥离强度。
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公开(公告)号：CN116936812A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210362204.4
申请日：2022-04-07
IPC分类号： H01M4/66
摘要： 本发明公开了一种集流体复合材料，包括高氮含量掺杂的石墨烯修饰的铝箔。还公开了该集流体复合材料的制备方法以及其在锂离子电池正极中的应用。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术，降低氮掺杂和石墨烯生长的反应温度，制备得到高氮含量掺杂的石墨烯修饰的铝箔，增加石墨烯层和电池正极材料的界面粘合力。
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公开(公告)号：CN116620908A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202210134284.8
申请日：2022-02-14
摘要： 本申请提供一种收放卷装置和等离子体增强化学气相沉积系统及石墨烯薄膜的制备方法。收放卷装置包括放卷轴、收卷轴、底座和电机。放卷轴用于设置衬底；收卷轴与放卷轴平行设置并收卷石墨烯薄膜和衬底；底座设置在放卷轴和收卷轴的下方并支撑放卷轴和收卷轴；电机与收卷轴连接，并为收卷轴提供动力。通过以上设计，可制备宽幅较大的石墨烯薄膜，解决目前大尺寸石墨烯薄膜制备受限的问题。
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公开(公告)号：CN113802107B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202010546760.8
申请日：2020-06-16
IPC分类号： C23C16/26 , C23C16/509 , C01B32/186
摘要： 本发明提供一种利用PECVD制备石墨烯的装置及方法，装置包括沉积炉、等离子体源、第一极板和第二极板，第一极板设置于沉积炉内，第一极板连接于等离子体源的发射端；第二极板设置于沉积炉内，第二极板与第一极板相对设置，且在沉积炉的第一区域具有重叠部分，第二极板连接于等离子体源的接地端。相比现有技术中的电感耦合的方式，由于第一极板和第二极板之间以电容耦合方式激发等离子体，使等离子的分布更均匀，生长在基底上的石墨烯更加均匀，提高了石墨烯薄膜的质量。通过相对设置的极板产生等离子体的方式，使两个极板间产生的辉光区域的面积相比现有技术线圈产生的辉光区域的面积更大，进而本实施例的装置能够生长出大尺寸的石墨烯。
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公开(公告)号：CN116764540A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210237978.4
申请日：2022-03-11
摘要： 本申请提供一种石墨烯包覆电极材料的制备系统及制备方法。制备系统包括抽气装置、输料装置、动力装置、反应管、射频线圈和加热炉，动力装置为输料装置提供动力。反应管内部容纳输料装置，反应管的两端分别密封连接动力装置和抽气装置。反应管的侧壁上设置有进料口、进气口和出料口，反应管与抽气装置连接的一端设置有出气口。射频线圈套设在反应管的外部并靠近动力装置，加热炉设置在反应管的外部并靠近抽气装置，加热炉与射频线圈在沿反应管径向方向上具有一间隔。通过以上设计，可实现石墨烯原位包覆电极材料，并有利于实现快速均匀包覆。
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公开(公告)号：CN112746262B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201911035935.2
申请日：2019-10-29
IPC分类号： C23C16/26 , C23C16/505 , C23C16/54 , C01B32/186
摘要： 本公开提供一种石墨烯复合金属箔及其双面生长方法和装置，该装置包括化学气相沉积炉、放卷轴和收卷轴，其中化学气相沉积炉包括依次连接的等离子体辉光区和加热生长区；放卷轴和收卷轴分别位于化学气相沉积炉的两侧，通过放卷轴和收卷轴的转动，以带动金属箔进出化学气相沉积炉并在其上沉积生长石墨烯；其中等离子体辉光区内设有包括平板的支架，平板的上下区域均包括中空区域，金属箔平直通过平板表面并悬空于加热生长区，使金属箔双面生长石墨烯。该装置通过特殊的支架设计，可以在金属箔材基底上一次制备得到双面生长的垂直结构石墨烯，生长温度低，垂直结构石墨烯结构和总厚度可控性高，金属种类和材质适应性广，适用于工业化大规模生产。
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公开(公告)号：CN113802107A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202010546760.8
申请日：2020-06-16
IPC分类号： C23C16/26 , C23C16/509 , C01B32/186
摘要： 本发明提供一种利用PECVD制备石墨烯的装置及方法，装置包括沉积炉、等离子体源、第一极板和第二极板，第一极板设置于沉积炉内，第一极板连接于等离子体源的发射端；第二极板设置于沉积炉内，第二极板与第一极板相对设置，且在沉积炉的第一区域具有重叠部分，第二极板连接于等离子体源的接地端。相比现有技术中的电感耦合的方式，由于第一极板和第二极板之间以电容耦合方式激发等离子体，使等离子的分布更均匀，生长在基底上的石墨烯更加均匀，提高了石墨烯薄膜的质量。通过相对设置的极板产生等离子体的方式，使两个极板间产生的辉光区域的面积相比现有技术线圈产生的辉光区域的面积更大，进而本实施例的装置能够生长出大尺寸的石墨烯。
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公开(公告)号：CN112746262A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911035935.2
申请日：2019-10-29
IPC分类号： C23C16/26 , C23C16/505 , C23C16/54 , C01B32/186
摘要： 本公开提供一种石墨烯复合金属箔及其双面生长方法和装置，该装置包括化学气相沉积炉、放卷轴和收卷轴，其中化学气相沉积炉包括依次连接的等离子体辉光区和加热生长区；放卷轴和收卷轴分别位于化学气相沉积炉的两侧，通过放卷轴和收卷轴的转动，以带动金属箔进出化学气相沉积炉并在其上沉积生长石墨烯；其中等离子体辉光区内设有包括平板的支架，平板的上下区域均包括中空区域，金属箔平直通过平板表面并悬空于加热生长区，使金属箔双面生长石墨烯。该装置通过特殊的支架设计，可以在金属箔材基底上一次制备得到双面生长的垂直结构石墨烯，生长温度低，垂直结构石墨烯结构和总厚度可控性高，金属种类和材质适应性广，适用于工业化大规模生产。
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公开(公告)号：CN116623162A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202210134962.0
申请日：2022-02-14
摘要： 本申请提供一种平板式等离子体增强化学气相沉积装置及石墨烯薄膜的制备方法，平板式等离子体增强化学气相沉积装置用于制备石墨烯薄膜，包括放卷仓、收卷仓、内套管、外套管、第一射频板和第二射频板。放卷仓内设置有放卷轮，收卷仓内设置有收卷轮，内套管密封连接放卷仓和收卷仓，外套管设置在内套管的外部，第一射频板和第二射频板平行设置在内套管和外套管之间。通过以上设计，可实现等离子体的激发和加热区域耦合，有效提高等离子体的利用效率并减少污染物对衬底基材的影响。
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公开(公告)号：CN116621165A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202210135346.7
申请日：2022-02-14
IPC分类号： C01B32/186
摘要： 本申请提供一种套管式等离子体增强化学气相沉积装置，用于制备石墨烯薄膜，包括放卷仓、收卷仓、内套管、外套管、射频线圈。放卷仓内设置有放卷轮，收卷仓内设置有收卷轮，内套管密封连接放卷仓和收卷仓，外套管设置在内套管的外部，射频线圈螺旋设置在内套管和外套管之间。通过以上设计，可实现等离子体空间和高温环境空间的重叠的同时做到射频线圈的有效保护，在提高离子体的利用效率的同时延长射频线圈的使用寿命，并且设计简单，操作简便，可降低石墨烯薄膜的生产成本。
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