一种导模光电探测器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113284964B

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN202110438858.6

    申请日:2021-04-22

    Abstract: 本申请实施例提供一种导模光电探测器。其中,导模光电探测器包括:光波导结构,包括芯层和包裹芯层的包层,芯层延第一方向延伸预设距离,芯层的第一端用于接收目标入射光;目标入射光进入光波导结构后以导模光的形式沿第一方向传播;P型欧姆接触区和N型欧姆接触区,为芯层两侧的掺杂部分,均沿第一方向延伸;以及,P型电极和N型电极,沿第一方向延伸,并且P型电极与P型欧姆接触区的侧面贴合,N型电极与N型欧姆接触区的侧面贴合,用于收集目标入射光与芯层相互作用所产生的光生载流子。通过本方案可以解决现有光电探测器对波长接近光电探测器半导体材料禁带宽度的目标入射光的探测效率低的问题。

    输出状态稳定可控的多缺陷一维光子晶体全光开关的实现方法

    公开(公告)号:CN101598883B

    公开(公告)日:2011-06-22

    申请号:CN200910087698.4

    申请日:2009-07-03

    Abstract: 本发明涉及一种输出状态稳定可控的多缺陷一维光子晶体全光开关的实现方法,本发明设计了一种一维光子晶体级联结构,在周期性排列的线性介质层中加入具有较高非线性系数的非线性材料,利用引入多缺陷结构而产生的宽带缺陷模和窄带缺陷模来实现光开关效应,并同时实现泵浦光对非线性介质折射率的稳定控制,解决了全光开关设计中所存在的输出状态不易稳定控制的难题,从而得到实现性能稳定、响应时间快的全光开关,为未来全光通信网络、光计算机等领域提供了一种可实现全光开关的方法。

    宽光谱硅单光子探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN116613237A

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202310648207.9

    申请日:2023-06-02

    Abstract: 本申请提供一种宽光谱硅单光子探测器及其制备方法,宽光谱硅单光子探测器包括硅衬底和位于硅衬底上的至少一个硅单光子探测单元,硅单光子探测单元包括第一欧姆接触电极、光吸收层、雪崩放大层和第二欧姆接触电极;雪崩放大层具有相对的第一表面和第二表面,第一欧姆接触电极和光吸收层位于第一表面一侧,第二欧姆接触电极位于第二表面一侧;光吸收层用于吸收不同波长的光子并且产生光生载流子;第一欧姆接触电极和第二欧姆接触电极用于与外电路电连接,以在雪崩放大层上施加强电场;雪崩放大层用于在强电场的作用下将光生载流子进行雪崩放大。本申请提供的宽光谱硅单光子探测器的工作波长较宽,且可以超过硅材料本身的工作波长。

    一种移动边缘计算中能耗最小化的处理方法及装置

    公开(公告)号:CN111949110B

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202010686852.6

    申请日:2020-07-16

    Abstract: 本发明实施例提供了一种移动边缘计算中能耗最小化的处理方法及装置,可以获取总能耗与压缩比的第一函数关系,总能耗表示对原始数据进行压缩得到目标数据的能耗,与向边缘服务器发送目标数据的能耗的和值;确定第一函数关系中最小的总能耗对应的压缩比,作为第一压缩比;基于第一压缩比和第一压缩比区间,确定目标压缩比,第一压缩比区间包含对原始数据进行压缩支持的所有压缩比;按照目标压缩比对原始数据进行压缩,得到目标数据。基于上述处理,由于第一压缩比为最小的总能耗对应的压缩比,基于第一压缩比和第一压缩比区间,能够确定出总能耗较小的目标压缩比,进而,基于目标压缩比对原始数据进行压缩,可以降低客户端的总能耗。

    基于QAM的量子噪声加密方法和系统

    公开(公告)号:CN112291052B

    公开(公告)日:2022-03-15

    申请号:CN202011119736.2

    申请日:2020-10-19

    Abstract: 本发明公开了一种基于QAM的量子噪声加密方法和系统,所述方法包括:将基于QAM的I/Q路种子密钥扩展为I/Q路运行密钥;将I路和Q路运行密钥同时经过自适应学习速率的混沌循环神经网络生成I路和Q路模式密钥;根据I路和Q路运行、模式密钥生成I路基和Q路基;利用I/Q路基对I/Q路明文进行加密得到I/Q路密文后向对端发送。应用本发明可以提高系统的加密传输安全性,且不需要添加额外的密钥扩展器,节省成本。

    一种叉指型导模光电探测器

    公开(公告)号:CN113284963A

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN202110438832.1

    申请日:2021-04-22

    Abstract: 本申请实施例提供一种叉指型导模光电探测器。其中,探测器包括光波导结构,包括芯层和包裹芯层的包层,芯层延第一方向延伸预设距离,芯层的第一端用于接收目标入射光;多个P型欧姆接触区和多个N型欧姆接触区,为芯层顶部的掺杂部分,均沿垂直于第一方向的第二方向延伸,且沿第一方向交替排列;以及,P型和N型电极,沿第一方向延伸;P型电极设有并列的多个第一枝节,每一个第一枝节与一个P型欧姆接触区贴合;N型电极设有并列的多个第二枝节,每一个第二枝节与一个N型欧姆接触区贴合。通过本方案可以解决现有光电探测器对波长接近光电探测器半导体材料禁带宽度的目标入射光的探测效率低的问题。

    局域电场诱导的硅光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN115295647B

    公开(公告)日:2022-12-16

    申请号:CN202211219235.0

    申请日:2022-10-08

    Abstract: 本发明提供一种局域电场诱导的硅光电探测器及其制备方法,局域电场诱导的硅光电探测器包括:吸收层、第一欧姆电极层和第二欧姆电极层,第一欧姆电极层、吸收层和第二欧姆电极层依次层叠设置,吸收层的朝向第一欧姆电极层的一侧设有多个间隔设置的调制掺杂区,调制掺杂区被配置为诱导吸收层的光生载流子动量并收集载流子,以提高光电探测效率。本发明的局域电场诱导的硅光电探测器的光电转换效率高。

    局域电场诱导的硅光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN115295647A

    公开(公告)日:2022-11-04

    申请号:CN202211219235.0

    申请日:2022-10-08

    Abstract: 本发明提供一种局域电场诱导的硅光电探测器及其制备方法,局域电场诱导的硅光电探测器包括:吸收层、第一欧姆电极层和第二欧姆电极层,第一欧姆电极层、吸收层和第二欧姆电极层依次层叠设置,吸收层的朝向第一欧姆电极层的一侧设有多个间隔设置的调制掺杂区,调制掺杂区被配置为诱导吸收层的光生载流子动量并收集载流子,以提高光电探测效率。本发明的局域电场诱导的硅光电探测器的光电转换效率高。

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