公开(公告)号：CN114293251B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202111559075.X

申请日：2021-12-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  施佳诚 ,  李悦文 ,  许万里 ,  陶涛 ,  张荣

IPC: C30B25/18 ,  C30B33/00 ,  C30B29/40 ,  C30B29/60

Abstract: 本发明公开了一种制备高质量多孔GaN模板晶体的方法，其特征在于：采用卤化物气相外延方法在具有切割角的蓝宝石衬底上生长β‑Ga2O3薄膜，使得外延的β‑Ga2O3薄膜呈现单一畴外延的形貌，将β‑Ga2O3薄膜在氨气气氛或氨气氮气混合气氛中进行氮化部分氮化或全部氮化，得到高质量多孔GaN模板晶体。本发明采用具有一定切割角的蓝宝石衬底，合适的切割角会使β‑Ga2O3薄膜呈现单一畴外延模式，从而得到高质量β‑Ga2O3薄膜，将高质量β‑Ga2O3薄膜氮化即可得到高质量GaN多孔模板。本发明制备的高质量GaN多孔模板可以用于外延GaN，GaN多孔模板质量越好，在其上外延的GaN衬底质量越高。

公开(公告)号：CN114293251A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111559075.X

申请日：2021-12-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  施佳诚 ,  李悦文 ,  许万里 ,  陶涛 ,  张荣

IPC: C30B25/18 ,  C30B33/00 ,  C30B29/40 ,  C30B29/60

Abstract: 本发明公开了一种制备高质量多孔GaN模板晶体的方法，其特征在于：采用卤化物气相外延方法在具有切割角的蓝宝石衬底上生长β‑Ga2O3薄膜，使得外延的β‑Ga2O3薄膜呈现单一畴外延的形貌，将β‑Ga2O3薄膜在氨气气氛或氨气氮气混合气氛中进行氮化部分氮化或全部氮化，得到高质量多孔GaN模板晶体。本发明采用具有一定切割角的蓝宝石衬底，合适的切割角会使β‑Ga2O3薄膜呈现单一畴外延模式，从而得到高质量β‑Ga2O3薄膜，将高质量β‑Ga2O3薄膜氮化即可得到高质量GaN多孔模板。本发明制备的高质量GaN多孔模板可以用于外延GaN，GaN多孔模板质量越好，在其上外延的GaN衬底质量越高。

公开(公告)号：CN112420491A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202011308099.3

申请日：2020-11-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  许万里 ,  施佳诚 ,  李悦文 ,  谢自力 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/30 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种改善氧化镓外延薄膜质量和表面形貌的方法。在切割角蓝宝石衬底上用卤化物气相外延法生长β相氧化镓(β‑Ga2O3)薄膜，通过采用合适的衬底切割角度使得氧化镓外延模式从多畴模式变成单一畴模式外延，得到高质量和表面平滑的氧化镓薄膜。