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公开(公告)号：CN114262938A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111548883.6
申请日：2021-12-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了(010)面氧化镓单晶在制备非极性GaN衬底中的应用，其步骤包括：(1)对氧化镓单晶的(010)面进行清洗；(2)在氨气气氛或氨气氮气混合气氛中对氧化镓单晶的(010)面进行部分氮化或完全氮化处理，从而在氧化镓单晶的(010)面表面或全部形成多孔非极性GaN层；(3)在步骤(2)获得的多孔非极性GaN层上进行GaN薄膜或GaN厚膜的外延，得到非极性自支撑GaN衬底。本发明提供了一种简单的获得非极性GaN及非极性GaN自支撑衬底的方法，采用(010)面氧化镓单晶通过氮化得到非极性GaN，进一步外延得到非极性GaN薄膜或自支撑衬底，从而实现大尺寸高质量低成本非极性GaN的批量制备。
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公开(公告)号：CN114293251B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202111559075.X
申请日：2021-12-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备高质量多孔GaN模板晶体的方法，其特征在于：采用卤化物气相外延方法在具有切割角的蓝宝石衬底上生长β‑Ga2O3薄膜，使得外延的β‑Ga2O3薄膜呈现单一畴外延的形貌，将β‑Ga2O3薄膜在氨气气氛或氨气氮气混合气氛中进行氮化部分氮化或全部氮化，得到高质量多孔GaN模板晶体。本发明采用具有一定切割角的蓝宝石衬底，合适的切割角会使β‑Ga2O3薄膜呈现单一畴外延模式，从而得到高质量β‑Ga2O3薄膜，将高质量β‑Ga2O3薄膜氮化即可得到高质量GaN多孔模板。本发明制备的高质量GaN多孔模板可以用于外延GaN，GaN多孔模板质量越好，在其上外延的GaN衬底质量越高。
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公开(公告)号：CN114293251A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111559075.X
申请日：2021-12-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备高质量多孔GaN模板晶体的方法，其特征在于：采用卤化物气相外延方法在具有切割角的蓝宝石衬底上生长β‑Ga2O3薄膜，使得外延的β‑Ga2O3薄膜呈现单一畴外延的形貌，将β‑Ga2O3薄膜在氨气气氛或氨气氮气混合气氛中进行氮化部分氮化或全部氮化，得到高质量多孔GaN模板晶体。本发明采用具有一定切割角的蓝宝石衬底，合适的切割角会使β‑Ga2O3薄膜呈现单一畴外延模式，从而得到高质量β‑Ga2O3薄膜，将高质量β‑Ga2O3薄膜氮化即可得到高质量GaN多孔模板。本发明制备的高质量GaN多孔模板可以用于外延GaN，GaN多孔模板质量越好，在其上外延的GaN衬底质量越高。
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公开(公告)号：CN114262938B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202111548883.6
申请日：2021-12-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了(010)面氧化镓单晶在制备非极性GaN衬底中的应用，其步骤包括：(1)对氧化镓单晶的(010)面进行清洗；(2)在氨气气氛或氨气氮气混合气氛中对氧化镓单晶的(010)面进行部分氮化或完全氮化处理，从而在氧化镓单晶的(010)面表面或全部形成多孔非极性GaN层；(3)在步骤(2)获得的多孔非极性GaN层上进行GaN薄膜或GaN厚膜的外延，得到非极性自支撑GaN衬底。本发明提供了一种简单的获得非极性GaN及非极性GaN自支撑衬底的方法，采用(010)面氧化镓单晶通过氮化得到非极性GaN，进一步外延得到非极性GaN薄膜或自支撑衬底，从而实现大尺寸高质量低成本非极性GaN的批量制备。
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公开(公告)号：CN112420491A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011308099.3
申请日：2020-11-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种改善氧化镓外延薄膜质量和表面形貌的方法。在切割角蓝宝石衬底上用卤化物气相外延法生长β相氧化镓(β‑Ga2O3)薄膜，通过采用合适的衬底切割角度使得氧化镓外延模式从多畴模式变成单一畴模式外延，得到高质量和表面平滑的氧化镓薄膜。
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