基于可调同质结场效应器件的人工突触电路及实现方法

    公开(公告)号:CN111709521B

    公开(公告)日:2021-07-09

    申请号:CN202010596185.2

    申请日:2020-06-28

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于可调同质结场效应器件的人工突触电路及该电路功能的实现方法,所述电路包括第一可调同质结场效应器件M1、第二可调同质结场效应器件M2、第三可调同质结场效应器件M3以及电容元件C,其中,可调同质结场效应器件在栅极电压的调控下可以表现出NN结,PP结,PN结和NP结所具有的电学特性,电路中器件M2和器件M3的导通状态由仿突触前脉冲和仿突触后脉冲的共同作用决定;相比于传统MOS电路方案展示脉冲时间依赖可塑性和脉冲对突触权重连续调节的神经突触功能的电路结构,本方案中的电路所需的器件数目得到极大地减少,并且表现出了可重构功能的特点,在构建面向未来神经形态应用的低功耗高密度集成仿生芯片方面展现出很大的优势。

    一种视网膜形态光电传感阵列及其图片卷积处理方法

    公开(公告)号:CN111370526A

    公开(公告)日:2020-07-03

    申请号:CN202010189068.4

    申请日:2020-03-17

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种视网膜形态光电传感阵列及其图片卷积处理方法,该光电传感器件其是在基底上具有底电极、电介质层、沟道层、源电极和漏电极的垂直堆叠的异质结结构,所述源电极和漏电极相互对峙,并置于所述沟道层的两端,所述底电极、源电极和漏电极的材料为柔性电极所用材料、惰性金属或者半金属,所述电介质层的材料为绝缘材料,所述沟道层材料为双极性材料,所述基底包括衬底以及生长于衬底表面的绝缘材料层。本发明利用新材料的物理特性,设计全新的类脑光电传感器件,更好模拟人类视觉系统的细胞功能,实现了同时传感、信息处理和识别的可重构人工神经网络。

    一种视网膜形态光电传感阵列及其图片卷积处理方法

    公开(公告)号:CN111370526B

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202010189068.4

    申请日:2020-03-17

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种视网膜形态光电传感阵列及其图片卷积处理方法,该光电传感器件其是在基底上具有底电极、电介质层、沟道层、源电极和漏电极的垂直堆叠的异质结结构,所述源电极和漏电极相互对峙,并置于所述沟道层的两端,所述底电极、源电极和漏电极的材料为柔性电极所用材料、惰性金属或者半金属,所述电介质层的材料为绝缘材料,所述沟道层材料为双极性材料,所述基底包括衬底以及生长于衬底表面的绝缘材料层。本发明利用新材料的物理特性,设计全新的类脑光电传感器件,更好模拟人类视觉系统的细胞功能,实现了同时传感、信息处理和识别的可重构人工神经网络。

    基于可调同质结场效应器件的人工突触电路及实现方法

    公开(公告)号:CN111709521A

    公开(公告)日:2020-09-25

    申请号:CN202010596185.2

    申请日:2020-06-28

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于可调同质结场效应器件的人工突触电路及该电路功能的实现方法,所述电路包括第一可调同质结场效应器件M1、第二可调同质结场效应器件M2、第三可调同质结场效应器件M3以及电容元件C,其中,可调同质结场效应器件在栅极电压的调控下可以表现出NN结,PP结,PN结和NP结所具有的电学特性,电路中器件M2和器件M3的导通状态由仿突触前脉冲和仿突触后脉冲的共同作用决定;相比于传统MOS电路方案展示脉冲时间依赖可塑性和脉冲对突触权重连续调节的神经突触功能的电路结构,本方案中的电路所需的器件数目得到极大地减少,并且表现出了可重构功能的特点,在构建面向未来神经形态应用的低功耗高密度集成仿生芯片方面展现出很大的优势。

    水溶性盐辅助转移CVD二维过渡金属硫族化合物的方法

    公开(公告)号:CN107021524B

    公开(公告)日:2018-12-04

    申请号:CN201710350595.7

    申请日:2017-05-18

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种水溶性盐辅助转移CVD二维过渡金属硫族化合物的方法。该方法首先将过渡金属物粉末和水溶性盐粉末混合后放入生长炉进行生长,利用水溶性盐的加热挥发,在生长衬底上生长一层水溶性盐层,再根据过渡金属物粉末的加热挥发与硫源物气体或硫源物固体加热挥发后进行化学反应得到过渡金属硫族化合物沉积在生长衬底上,最终在生长衬底上生长一层水溶性盐层和单层过渡金属硫族化合物。然后将其添加支撑层后,放入水中溶解掉水溶性盐层,再将支撑层和单层过渡金属硫族化合物转移至成品衬底上,之后再用支撑层溶解液溶解掉支撑层得到最终的单层二维过渡金属硫族化合物。

    一种从蓝藻中提取稳定体的方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119193407A

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202411443660.7

    申请日:2024-10-16

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种从蓝藻中提取稳定体的方法,包括如下步骤:S1.蓝藻培养;S2.蓝藻预处理;S3.超声破碎;S4.差速离心;S5.超滤;S6.超速离心;S7.密度梯度离心;S8.去除外周蛋白。本发明提供的提取方法提取效率高、流程稳定可控、无毒副产物产生,绿色环保,且无需高温高压装置和大型仪器设备,扩展了应用场景,降低了应用成本。本发明可获得高polyPn聚合度、高浓度和高纯度的稳定体活性颗粒生物材料,且生物活性高,不仅可满足食品、日化等领域的应用要求,还满足应用于临床医疗和科研时的严格要求,具有非常大的实际应用价值和商业前景。将解决国内制备稳定体活性颗粒生物材料的技术难题。

    一种基于层状材料场效应的生物物质传感器和生物物质探测系统

    公开(公告)号:CN105675700A

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201610018192.8

    申请日:2016-01-12

    Applicant: 南京大学

    CPC classification number: G01N27/60

    Abstract: 一种基于层状材料的生物物质传感器,包括:绝缘层(2)、金属电极层(3)、二维材料薄膜层(4)、特异性吸附层(5)及介质层(6);绝缘层(2)上为二维材料薄膜层(4),特异性吸附层(5)位于二维材料薄膜层的上表面,吸附特异性的物质,改变二维材料薄膜层的表面掺杂状态;金属电极层,包括源电极层(31),漏电极层(32)及顶栅电极层(33);源电极层(31)和漏电极层覆盖在二维材料薄膜层的两端上,顶栅电极层位于二维材料薄膜层和特异性吸附层的旁边并与漏电极层保持一定距离,源电极层和漏电极层的表面覆盖有绝缘层进行保护;介质层覆盖在二维材料薄膜层,特异性附着层(5)和金属电极层表面。

    一种基于层状材料场效应的生物物质传感器和生物物质探测系统

    公开(公告)号:CN105675700B

    公开(公告)日:2019-01-11

    申请号:CN201610018192.8

    申请日:2016-01-12

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 一种基于层状材料的生物物质传感器,包括:绝缘层(2)、金属电极层(3)、二维材料薄膜层(4)、特异性吸附层(5)及介质层(6);绝缘层(2)上为二维材料薄膜层(4),特异性吸附层(5)位于二维材料薄膜层的上表面,吸附特异性的物质,改变二维材料薄膜层的表面掺杂状态;金属电极层,包括源电极层(31),漏电极层(32)及顶栅电极层(33);源电极层(31)和漏电极层覆盖在二维材料薄膜层的两端上,顶栅电极层位于二维材料薄膜层和特异性吸附层的旁边并与漏电极层保持一定距离,源电极层和漏电极层的表面覆盖有绝缘层进行保护;介质层覆盖在二维材料薄膜层,特异性附着层(5)和金属电极层表面。

    水溶性盐辅助转移CVD二维过渡金属硫族化合物的方法

    公开(公告)号:CN107021524A

    公开(公告)日:2017-08-08

    申请号:CN201710350595.7

    申请日:2017-05-18

    Applicant: 南京大学

    CPC classification number: C01G39/06 C01P2002/82 C01P2004/02 C01P2004/22

    Abstract: 本发明公开了一种水溶性盐辅助转移CVD二维过渡金属硫族化合物的方法。该方法首先将过渡金属物粉末和水溶性盐粉末混合后放入生长炉进行生长,利用水溶性盐的加热挥发,在生长衬底上生长一层水溶性盐层,再根据过渡金属物粉末的加热挥发与硫源物气体或硫源物固体加热挥发后进行化学反应得到过渡金属硫族化合物沉积在生长衬底上,最终在生长衬底上生长一层水溶性盐层和单层过渡金属硫族化合物。然后将其添加支撑层后,放入水中溶解掉水溶性盐层,再将支撑层和单层过渡金属硫族化合物转移至成品衬底上,之后再用支撑层溶解液溶解掉支撑层得到最终的单层二维过渡金属硫族化合物。

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