公开(公告)号：CN119317869A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202380045290.9

申请日：2023-05-10

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： M·郎根霍斯特 ,  F·莱舍尔 ,  W·韦斯 ,  H·M·史蒂潘 ,  A·迪拉夫

IPC: G03F7/00

Abstract: 本发明涉及一种操作用于微光刻的投射曝光设备的方法，包括：在操作中断期间，通过用加热辐射照射光学元件的表面(30)来加热投射曝光设备的至少一个光学元件，在所述中断期间，光学元件的表面未被曝光辐射照射。在中断操作中的加热期间，在光学元件的表面(30)的至少一个部分(TBa‑c)上产生减小投射曝光设备的像差的非均匀温度分布(33a‑c)，其中非均匀温度分布(33a‑c)通过用具有由光束整形元件形成的至少一个连续加热辐射轮廓的加热辐射照射部分(TBa‑c)而产生。本发明还涉及一种用于微光刻的投射曝光设备，包括：至少一个光学元件，用于用加热辐射照射光学元件的表面(30)的加热装置，该加热装置被设计成在操作中断期间用加热辐射照射光学元件的表面(30)，在该中断期间光学元件的表面(30)不被曝光辐射照射。为了减小投射曝光设备的像差，加热装置被设计成在操作中断中的加热期间在光学元件的表面(30)的至少一部分(TBa‑c)上产生非均匀温度分布(33a‑c)。为此目的，加热装置包括用于产生加热辐射的至少一个加热辐射源和用于产生连续加热辐射轮廓的至少一个光束整形元件。

公开(公告)号：CN119998726A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202380068851.7

申请日：2023-09-14

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： A·拉巴 ,  M·曼格 ,  H·M·史蒂潘 ,  J·韦伯

IPC: G03F7/00

Abstract: 本发明涉及一种反射镜装置，特别是用于微光刻投射曝光系统的反射镜装置，包括反射镜(20)、传感器单元(26)和控制单元(38)。反射镜(20)包括反射镜本体(23)和设置在反射镜本体(23)上的反射表面(24)。传感器单元(26)被设计成检测由反射镜本体(23)发出的红外辐射，以便从其导出温度测量值，并将温度测量值发送到控制单元(38)。反射镜(20)包括具有增加的红外辐射发射率的目标(37)。本发明还涉及一种用于测量反射镜(20)的温度的方法。

公开(公告)号：CN116960014A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310457823.6

申请日：2023-04-25

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： H·M·史蒂潘 ,  T·柯布 ,  E·福卡 ,  A·布克斯鲍姆 ,  D·克洛赫科夫 ,  J·T·纽曼

IPC: H01L21/66 ,  G01B15/00 ,  G01B15/04

Abstract: 可以例如在在线质量检查中研究半导体结构。X射线散射测量，例如CD‑SAXS，可以用于晶片计量。可以基于使用双光束装置的图像切片层析成像测量来配置该X射线散射测量，该双光束装置例如包括聚焦离子束装置和扫描电子显微镜。