公开(公告)号：CN115881769A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210962310.6

申请日：2022-08-11

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张筱君 ,  沈冠杰

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供了半导体结构的一个实施例。半导体结构包括：鳍区域，形成在衬底上，其中，鳍区域包括垂直堆叠在衬底上的多个沟道；栅极堆叠件，设置在鳍区域上，其中，栅极堆叠件包裹多个沟道的每个，并且包括横向延伸以与内部间隔件重叠的栅极延伸部分；以及一对源极/漏极(S/D)部件，形成在鳍区域上，由栅极堆叠件介于其间，并且与多个沟道连接。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN111261592B

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN201911204482.1

申请日：2019-11-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张筱君 ,  沈冠傑

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

摘要： 本揭露揭示一种制造半导体装置的方法，方法包括在基板上设置各自具有初始鳍片轮廓的两个或两个以上鳍片。将牺牲氧化物层生长于两个或两个以上鳍片中的第一鳍片及第二鳍片上。第一鳍片及第二鳍片的牺牲氧化物层经蚀刻以修整鳍片并产生第一鳍片及第二鳍片的次一鳍片轮廓。生长步骤及蚀刻步骤经重复以修整第一鳍片及第二鳍片，使得针对第一鳍片及第二鳍片的重复的次数不同。栅极结构形成于两个或两个以上鳍片上方。

公开(公告)号：CN114792659A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210253624.9

申请日：2022-03-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张筱君 ,  沈冠傑

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/088

摘要： 本揭露为一种具有埋入式栅极结构的半导体元件及其形成方法。半导体元件包含基材与位于基材上的鳍结构。鳍结构包含顶部位以及底部位。半导体元件进一步包含位于鳍结构的底部位上的栅极结构。位于鳍结构的顶部位中的多个半导体层被设置在栅极结构上。半导体元件进一步包含位于栅极结构上方的源极/漏极结构并且其与多个半导体层连接。

公开(公告)号：CN113539961A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110089181.X

申请日：2021-01-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张筱君 ,  沈冠傑

IPC分类号： H01L21/8234

摘要： 本揭露叙述一种半导体结构的形成方法。半导体结构可包含一个基材、一个位于基材上的鳍状结构、一个位于鳍状结构的第一部位上的栅极结构以及一个形成于鳍状结构的第二部位中的磊晶区域。磊晶区域可包含一个第一半导体层以及形成于第一半导体层上的一个n型第二半导体层。第一半导体层的晶格常数可大于第二半导体层的晶格常数。

公开(公告)号：CN112670181B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202010288219.1

申请日：2020-04-14

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张筱君 ,  沈冠杰

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/161 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78

摘要： 在制造包括Fin FET的半导体器件的方法中，形成鳍结构，鳍结构具有由SiGe制成的上部鳍结构和由与上部鳍结构不同的材料制成的底部鳍结构，在鳍结构上方形成覆盖层，对由覆盖层覆盖的鳍结构执行热操作，以及在上部鳍结构的源极/漏极区域中形成源极/漏极外延层。热操作改变上部鳍结构中的锗分布。本发明的实施例还涉及半导体器件。

公开(公告)号：CN112670181A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202010288219.1

申请日：2020-04-14

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张筱君 ,  沈冠杰

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/161 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78

摘要： 在制造包括Fin FET的半导体器件的方法中，形成鳍结构，鳍结构具有由SiGe制成的上部鳍结构和由与上部鳍结构不同的材料制成的底部鳍结构，在鳍结构上方形成覆盖层，对由覆盖层覆盖的鳍结构执行热操作，以及在上部鳍结构的源极/漏极区域中形成源极/漏极外延层。热操作改变上部鳍结构中的锗分布。本发明的实施例还涉及半导体器件。

公开(公告)号：CN111261592A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911204482.1

申请日：2019-11-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张筱君 ,  沈冠傑

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

摘要： 本揭露揭示一种制造半导体装置的方法，方法包括在基板上设置各自具有初始鳍片轮廓的两个或两个以上鳍片。将牺牲氧化物层生长于两个或两个以上鳍片中的第一鳍片及第二鳍片上。第一鳍片及第二鳍片的牺牲氧化物层经蚀刻以修整鳍片并产生第一鳍片及第二鳍片的次一鳍片轮廓。生长步骤及蚀刻步骤经重复以修整第一鳍片及第二鳍片，使得针对第一鳍片及第二鳍片的重复的次数不同。栅极结构形成于两个或两个以上鳍片上方。