公开(公告)号：CN108265328B

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201810008152.4

申请日：2018-01-04

申请人： 各星有限公司

发明人： S·塞佩达 ,  R·J·菲利普斯 ,  C·V·吕尔斯 ,  S·L·金贝尔 ,  H·W·科布 ,  J·D·霍尔德 ,  C·M·哈德森 ,  H·斯里达哈拉默西 ,  S·哈灵格尔 ,  M·萨多尼

IPC分类号： C30B15/00 ,  C30B29/06

摘要： 本发明涉及用于从熔体形成锭的系统和方法。所述系统包括：限定了用于接收熔体的空腔的坩埚；用于限制所述熔体移动的第一屏障和第二屏障，布置第一通道和第二通道以允许位于外区内的熔体移动到过渡区以及穿过所述过渡区进入所述内区。调节构件放置在所述区的至少一个中，并且布置成接触熔体以减少熔体中的微空隙的数量。

公开(公告)号：CN108138354B

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201680038780.6

申请日：2016-04-29

申请人： 各星有限公司

发明人： S·巴萨克 ,  G·萨曼塔 ,  S·塞佩达 ,  C·V·吕尔斯 ,  S·L·金贝尔 ,  C·M·哈德森 ,  H·斯里达哈拉默西 ,  R·斯卡拉 ,  R·J·菲利普斯 ,  T·N·斯瓦米纳坦 ,  J·陈 ,  S·W·帕尔默 ,  P·D·维尔德斯

IPC分类号： C30B15/04 ,  C30B15/12 ,  C30B29/06

摘要： 在本文中描述了生长被挥发性掺杂剂掺杂的单晶锭的方法和根据该方法生长的锭。

公开(公告)号：CN108265328A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201810008152.4

申请日：2018-01-04

申请人： 各星有限公司

发明人： S·塞佩达 ,  R·J·菲利普斯 ,  C·V·吕尔斯 ,  S·L·金贝尔 ,  H·W·科布 ,  J·D·霍尔德 ,  C·M·哈德森 ,  H·斯里达哈拉默西 ,  S·哈灵格尔 ,  M·萨多尼

IPC分类号： C30B15/00 ,  C30B29/06

摘要： 本发明涉及用于从熔体形成锭的系统和方法。所述系统包括：限定了用于接收熔体的空腔的坩埚；用于限制所述熔体移动的第一屏障和第二屏障，布置第一通道和第二通道以允许位于外区内的熔体移动到过渡区以及穿过所述过渡区进入所述内区。调节构件放置在所述区的至少一个中，并且布置成接触熔体以减少熔体中的微空隙的数量。

公开(公告)号：CN108138354A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680038780.6

申请日：2016-04-29

申请人： 各星有限公司

发明人： S·巴萨克 ,  G·萨曼塔 ,  S·塞佩达 ,  C·V·吕尔斯 ,  S·L·金贝尔 ,  C·M·哈德森 ,  H·斯里达哈拉默西 ,  R·斯卡拉 ,  R·J·菲利普斯 ,  T·N·斯瓦米纳坦 ,  J·陈 ,  S·W·帕尔默 ,  P·D·维尔德斯

IPC分类号： C30B15/04 ,  C30B15/12 ,  C30B29/06

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/04 ,  C30B15/12

摘要： 在本文中描述了生长被挥发性掺杂剂掺杂的单晶锭的方法和根据该方法生长的锭。