-
公开(公告)号:CN108265328B
公开(公告)日:2021-05-28
申请号:CN201810008152.4
申请日:2018-01-04
申请人: 各星有限公司
摘要: 本发明涉及用于从熔体形成锭的系统和方法。所述系统包括:限定了用于接收熔体的空腔的坩埚;用于限制所述熔体移动的第一屏障和第二屏障,布置第一通道和第二通道以允许位于外区内的熔体移动到过渡区以及穿过所述过渡区进入所述内区。调节构件放置在所述区的至少一个中,并且布置成接触熔体以减少熔体中的微空隙的数量。
-
公开(公告)号:CN108884588A
公开(公告)日:2018-11-23
申请号:CN201780022809.6
申请日:2017-02-24
申请人: 各星有限公司
摘要: 一种用于生长硅晶体结构的系统包括限定生长室的壳体,以及连接到壳体以用于将硅颗粒输送到生长室的进料系统。进料系统包括用于保持硅颗粒的容器。容器包括用于排出硅颗粒的出口。进料系统还包括一通道,该通道连接到出口以使得从容器排出的硅颗粒流经该通道。进料系统还包括连接到通道和壳体的分离阀。分离阀构造成使得进料系统的一部分相对于壳体旋转。
-
公开(公告)号:CN108265328A
公开(公告)日:2018-07-10
申请号:CN201810008152.4
申请日:2018-01-04
申请人: 各星有限公司
摘要: 本发明涉及用于从熔体形成锭的系统和方法。所述系统包括:限定了用于接收熔体的空腔的坩埚;用于限制所述熔体移动的第一屏障和第二屏障,布置第一通道和第二通道以允许位于外区内的熔体移动到过渡区以及穿过所述过渡区进入所述内区。调节构件放置在所述区的至少一个中,并且布置成接触熔体以减少熔体中的微空隙的数量。
-
-