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公开(公告)号：CN105274618A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510282587.4
申请日：2015-05-28
申请人： 硅电子股份公司
CPC分类号： C30B13/20 , C30B11/001 , C30B11/003 , C30B11/10 , C30B13/08 , C30B13/14 , C30B13/30 , C30B15/02 , C30B15/12 , C30B29/06 , Y10T117/108
摘要： 用于由半导体材料制造晶体的装置和方法。该装置包括一坩埚和一感应加热线圈，所述坩埚具有坩埚底和坩埚壁，其中，所述坩埚底具有上侧和下侧和多个贯通开口，所述多个贯通开口布置在所述坩埚壁和坩埚底的中心之间，并且其中，在所述坩埚底的所述上侧和所述下侧上有拱曲部，所述感应加热线圈布置在所述坩埚下面并设置用于使半导体材料熔融和使半导体材料构成的熔液稳定，该熔液覆盖半导体材料构成的正在生长的晶体。方法包括在坩埚底的上侧上产生半导体材料构成的储备量的散装部并在使用感应加热线圈的情况下熔融散装部的半导体材料。
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公开(公告)号：CN101076618A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200580006256.2
申请日：2005-02-25
申请人： 索拉克斯有限公司
发明人： 大卫·L·本德
CPC分类号： C30B15/12 , C30B15/002 , C30B15/02 , C30B15/04 , C30B15/10 , C30B15/14 , C30B15/22 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/108 , Y10T117/1088 , Y10T117/1092
摘要： 用于单晶硅锭连续生长的基于Czochralski法的改进系统，包括低长宽比、大直径以及基本平坦的坩埚，该坩埚包括围绕晶体的任选堰。低长宽比坩埚基本消除对流并减少最终单晶硅锭中的氧含量。独立的水平可控硅预熔化室为生长坩埚提供熔融硅的连续源，有利地消除了在晶体提拉过程中对垂直移动以及坩埚抬升系统的需求。坩埚下面的多个加热器建立横跨熔体的相应热区。分别控制各加热器的热输出以提供横跨熔体以及在晶体/熔体界面处的最佳热分布。提供多个晶体提拉室用于连续加工和高生产量。
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公开(公告)号：CN1692185A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100243.2
申请日：2003-10-03
申请人： 株式会社日矿材料
CPC分类号： C30B27/02 , C30B15/12 , C30B29/48 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
摘要： 在使用了双重坩埚结构的晶体生长装置的LEC法的化合物半导体单晶的制造方法中，采用设置了可将在顶端具有晶种夹持部的晶体提拉轴导入到上述第2坩埚的贯通口的板状部件，盖在上述第2坩埚上，形成上述第2坩埚内的气氛几乎不变化的状态(半密闭状态)，使晶体生长。
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公开(公告)号：CN1150354C
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN96123966.2
申请日：1996-12-28
申请人： 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC分类号： C30B15/00
CPC分类号： C30B15/12 , C30B15/02 , Y10T117/1052
摘要： 一种单晶提拉装置主结构，包括一舱室其内有一双坩埚(3)以存储半导体熔体(21)，双坩埚包括彼此相通的外坩埚(11)和内坩埚(12)，和一原料供应管(5)，它从舱室上部悬挂且定位使粒状原料(8)可从其底端开口(5a)引入到外坩埚(11)和内坩埚(12)之间的半导体熔体。一倾斜部分配备在原料供应管(5)底端内坩埚(12)一侧，以使从原料供应管底部开口(5a)出来的原料(8)降落进入邻近外坩埚(11)侧壁的半导体熔体(21)处。
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公开(公告)号：CN1138877C
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN97101233.4
申请日：1997-02-05
申请人： 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔石英材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC分类号： C30B15/10
CPC分类号： C30B15/12 , Y10T117/10
摘要： 单晶拉制装置包括设置在气密的容器2内用来存储半导体熔料21的外坩埚11以及包括圆柱形隔体的安装在外坩埚11上以构成双坩埚的内坩埚30，其中，从存储在内坩埚30内的半导体熔料21中拉制半导体单晶26。内坩埚30由石英构成并且包括内层A、外层C和位于内层和外层之间的中间层B，并且，中间层B由具有比构成内坩埚30的内层A和外层C的石英所包含的气泡含量更高的气泡含量的石英构成。
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公开(公告)号：CN1163949A
公开(公告)日：1997-11-05
申请号：CN96123966.2
申请日：1996-12-28
申请人： 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC分类号： C30B15/00
CPC分类号： C30B15/12 , C30B15/02 , Y10T117/1052
摘要： 一种单晶提拉装置主结构，包括一舱室其内有一双坩埚(3)以存储半导体熔体(21)，双坩埚包括彼此相通的外坩埚(11)和内坩埚(12)，和一原料供应管(5)，它从舱室上部悬挂且定位使粒状原料(8)可从其底端开口(5a)引入到外坩埚(11)和内坩埚(12)之间的半导体熔体。一倾斜部分配备在原料供应管(5)底端内坩埚(12)一侧，以使从原料供应管底部开口(5a)出来的原料(8)降落进入邻近外坩埚(11)侧壁的半导体熔体(21)处。
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公开(公告)号：CN1048900A
公开(公告)日：1991-01-30
申请号：CN90102475.9
申请日：1990-03-30
申请人： 日本钢管株式会社
摘要： 在本发明的单晶硅制造设备中，有一热辐射屏在单晶生长区上方，以屏蔽和调节来自单晶生长区中熔融硅表面的热辐射，而降低坩埚温度从而降低单晶中的氧浓度以减少熔融硅中的氧量。该热辐射屏包括一用金属板覆盖的耐火纤维材料，一多层金属薄板组合件或一电阻加热元件。此外，坩埚内部还被一加工成许多小孔在隔离部件隔开，或一石英管沿该隔离件的圆周方向延伸安装在其内侧，使熔融硅从物料熔化区流畅地流向单晶生长区并从而提供有效的措施。
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公开(公告)号：CN1042954A
公开(公告)日：1990-06-13
申请号：CN89109188.2
申请日：1989-11-11
申请人： 日本钢管株式会社
CPC分类号： C30B15/12 , C30B15/14 , Y10S117/90 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056 , Y10T117/1068
摘要： 一种硅单晶的制取设备，其中在旋转石英坩埚内配置具有至少一个穿过其下部的小孔的成形挡板，使其环绕着大圆柱形硅单晶，该硅单晶被旋转并被拉出。挡板的全部或一部份由泡沫石英玻璃制成，该泡沫石英玻璃的气泡含量(体积百分比)为0.01-15％，或者小于0.01％，但此时通过用于熔化硅原料的热量使其增加到0.01-15％。因此，防止了与挡板内侧接触的熔融物料温度的降低，并且防止了熔融物料在此部位的凝固。
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公开(公告)号：CN108884588A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780022809.6
申请日：2017-02-24
申请人： 各星有限公司
摘要： 一种用于生长硅晶体结构的系统包括限定生长室的壳体，以及连接到壳体以用于将硅颗粒输送到生长室的进料系统。进料系统包括用于保持硅颗粒的容器。容器包括用于排出硅颗粒的出口。进料系统还包括一通道，该通道连接到出口以使得从容器排出的硅颗粒流经该通道。进料系统还包括连接到通道和壳体的分离阀。分离阀构造成使得进料系统的一部分相对于壳体旋转。
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