公开(公告)号：CN114935592B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202210474732.9

申请日：2022-04-29

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 王金忠 ,  杨锦程 ,  曾值 ,  王东博

IPC分类号： G01N27/30 ,  G01N27/416

摘要： 本发明公开了一种硒化铋纳米片/四硒化三铋纳米线复合材料的制备方法及应用，属于光电材料和探测器的制备技术领域。本发明使用操作简便、过程可控的一步溶剂热法制备出了Bi2Se3纳米片/Bi3Se4纳米线复合材料，其中两种组分的比重可以通过调节Se源的摩尔量来调控。制备方法简单，纳米结构接触紧密，以该复合材料为工作电极制备的自供能光电探测器响应迅速，在近红外‑可见‑紫外波段均有较强的光电流响应，相比基于纯相Bi2Se3纳米片制备的自供能光电探测器，其探测性能有很大提升，能够有效地抑制光生电子‑空穴的复合。Bi2Se3纳米片/Bi3Se4纳米线复合材料的制备对未来发展Bi‑Se双元素材料的异质结构具有较高的参考价值。

公开(公告)号：CN114935592A

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202210474732.9

申请日：2022-04-29

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 王金忠 ,  杨锦程 ,  曾值 ,  王东博

IPC分类号： G01N27/30 ,  G01N27/416

摘要： 本发明公开了一种硒化铋纳米片/四硒化三铋纳米线复合材料的制备方法及应用，属于光电材料和探测器的制备技术领域。本发明使用操作简便、过程可控的一步溶剂热法制备出了Bi2Se3纳米片/Bi3Se4纳米线复合材料，其中两种组分的比重可以通过调节Se源的摩尔量来调控。制备方法简单，纳米结构接触紧密，以该复合材料为工作电极制备的自供能光电探测器响应迅速，在近红外‑可见‑紫外波段均有较强的光电流响应，相比基于纯相Bi2Se3纳米片制备的自供能光电探测器，其探测性能有很大提升，能够有效地抑制光生电子‑空穴的复合。Bi2Se3纳米片/Bi3Se4纳米线复合材料的制备对未来发展Bi‑Se双元素材料的异质结构具有较高的参考价值。

公开(公告)号：CN115985691A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211678476.1

申请日：2022-12-26

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 高世勇 ,  容萍 ,  王金忠 ,  张晓雷 ,  任帅 ,  杨锦程

IPC分类号： H01G9/20

摘要： 一种基于氧化铋/ZnO异质结的自驱动紫外探测器及其制备方法，属于半导体探测材料及其制备技术领域。所述紫外探测器的探测材料为Bi2O3薄膜/ZnO纳米棒阵列异质结，所述ZnO纳米棒阵列垂直于Bi2O3薄膜生长，基于其制备了光电化学型和结构简单的异质结自驱动探测器。此外，通过磁控溅射技术沉积的Bi2O3薄膜作为异质结的一部分，同时又将其作为导电电极，制备了结构更为简单的自驱动紫外探测器。所制备探测器均可在室温下对紫外光实现有效探测，且能够在无外加偏压下工作。本发明采用的方法具有工艺简单、成本低廉和环境友好等优点，且适合大规模工业化生产，在光电领域中具有很大的应用前景。