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公开(公告)号：CN106656130A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610842102.7
申请日：2016-09-22
申请人： 国电南瑞科技股份有限公司 , 南京南瑞集团公司 , 国家电网公司
IPC分类号： H03K17/567 , H03K17/081
CPC分类号： H03K17/567 , H03K17/08116 , H03K2217/0036
摘要： 本发明公开了一种分段电阻型IGBT驱动电路，分段电阻驱动电路包括若干串联连接的分段电阻，每个分段电阻的两端均并联有旁路MOS管；各旁路MOS管及驱动推挽电路分别与驱动控制器连接；IGBT门极钳位电路包括IGBT门极稳压钳位电路及IGBT门极电源钳位电路。本发明还公开了一种分段电阻型IGBT驱动电路的控制方法，在门极驱动脉冲上升沿及下降沿通过旁路MOS管的切换来改变门极驱动电阻的大小，本发明能在确保抑制浪涌及门极震荡的同时，达到减小IGBT器件开关损耗、提高器件应用频率的目的。
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公开(公告)号：CN106385181A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201610837897.2
申请日：2016-09-21
申请人： 国电南瑞科技股份有限公司 , 南京南瑞集团公司 , 国家电网公司
IPC分类号： H02M7/00
CPC分类号： H02M7/003
摘要： 本发明公开了一种基于串联IGBT模块器件的H桥组件，包括两个单体柜；两所述单体柜内各设有一个支撑电容和一个H桥组件桥臂；所述H桥组件桥臂由背靠背并列设置的两个阀段组成，每个阀段包括多个IGBT模块分层单元，各IGBT模块分层单元通过叠层母排依序串联连接；同一H桥组件桥臂中，两叠层母排的一端短接并从单体柜下方引出中点出线，两叠层母排的另一端通过支撑电容电连接。采用本发明的串联H桥组件结构设计，能避免分布电容不均、杂散电感过大以及运行过程的大量发热等问题，改善串联IGBT的电压均衡，实现设备的紧凑安装和安全、可靠、稳定性的运行。
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公开(公告)号：CN105044581B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201510144297.3
申请日：2015-03-30
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种SiC IGBT串联阀组动态均压特性和反向恢复特性的测试方法及测试电路，属于电力电子技术领域。本发明从IGBT直接串联应用中所紧密相关的动态特性出发，采用专用的测试电路，使用定频多脉冲方法获得持续动态过程。本发明的测试方法可同时对两个串联阀组进行测量，分别进行不同的测试内容，连续进行两次，完成一次测试过程，简单而高效。
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公开(公告)号：CN105044581A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510144297.3
申请日：2015-03-30
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种SiC IGBT串联阀组动态均压特性和反向恢复特性的测试方法及测试电路，属于电力电子技术领域。本发明从IGBT直接串联应用中所紧密相关的动态特性出发，采用专用的测试电路，使用定频多脉冲方法获得持续动态过程。本发明的测试方法可同时对两个串联阀组进行测量，分别进行不同的测试内容，连续进行两次，完成一次测试过程，简单而高效。
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公开(公告)号：CN111009576B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201911043146.3
申请日：2019-10-30
申请人： 国电南瑞科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/739
摘要： 本发明公开了一种全封闭式IGBT沟槽栅结构，包括若干个排布的元胞区，元胞区包括两条相邻的有源沟槽，两条相邻的有源沟槽两端分别通过有源沟槽桥连形成第一封闭结构，第一封闭结构内具有两条相邻的虚拟沟槽，两条相邻的虚拟沟槽两端分别通过虚拟沟槽桥连形成第二封闭结构，第二封闭结构内形成浮空P阱区，将有源沟槽和虚拟沟槽分别设置为封闭结构，避免了单个尖端结构导致的电场集中问题，优化器件的性能，同时将虚拟沟槽设置为封闭结构，实现了虚拟沟槽内部浮空区的绝对浮空，增大了浮空区的空穴沿沟槽方向移动并从发射极排出的难度，使发射极与浮空区之间的电阻无穷大，抑制了浮空区电势因空穴排出而升高，避免引起输出曲线振荡，抑制IGBT的EMI噪声。
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公开(公告)号：CN110429133B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN201910644272.8
申请日：2019-07-17
申请人： 国电南瑞科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06
摘要： 本发明公开了功率半导体器件技术领域的一种绝缘栅双极型晶体管，旨在解决如何更加灵活地调整导通压降与关断损耗的折中关系，在保证饱和压降不增大的前提下，更好地优化开关损耗的技术问题。所述器件顶面开设有若干间隔分布的有源沟槽区和虚拟沟槽区，所述有源沟槽区包括不少于一个桥连和若干通过桥连连接的有源沟槽，所述P型阱区包括不少于一个被有源沟槽和桥连隔离形成的电位浮空的第二P型阱区，所述介质层开设有若干接触窗口，所述P型阱区还包括通过接触窗口与金属发射极导通连接的第一P型阱区。
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公开(公告)号：CN110416283B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN201910643939.2
申请日：2019-07-17
申请人： 国电南瑞科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/739
摘要： 本发明公开了功率半导体器件技术领域的一种IGBT器件结构，旨在解决现有技术中采用虚拟沟槽栅结构的IGBT器件关断时，沟槽区域下方积累的载流子浓度过低，导致器件的通态压降无法降低，以及随着虚拟沟槽的宽度被设计得越来越窄，增加了从虚拟沟槽多晶硅中间开出接触窗口难度的技术问题。所述器件顶面向下开设有若干间隔分布的有源沟槽和虚拟沟槽区，所述虚拟沟槽区包括不少于一个桥连和若干通过桥连连接的虚拟沟槽，所述介质层开设有接触窗口，所述P型阱区包括通过接触窗口与金属发射极连接的第一P型阱区和处于电位浮空状态的第二P型阱区。
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公开(公告)号：CN110429133A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910644272.8
申请日：2019-07-17
申请人： 国电南瑞科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06
摘要： 本发明公开了功率半导体器件技术领域的一种绝缘栅双极型晶体管，旨在解决如何更加灵活地调整导通压降与关断损耗的折中关系，在保证饱和压降不增大的前提下，更好地优化开关损耗的技术问题。所述器件顶面开设有若干间隔分布的有源沟槽区和虚拟沟槽区，所述有源沟槽区包括不少于一个桥连和若干通过桥连连接的有源沟槽，所述P型阱区包括不少于一个被有源沟槽和桥连隔离形成的电位浮空的第二P型阱区，所述介质层开设有若干接触窗口，所述P型阱区还包括通过接触窗口与金属发射极导通连接的第一P型阱区。
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公开(公告)号：CN110416283A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910643939.2
申请日：2019-07-17
申请人： 国电南瑞科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/739
摘要： 本发明公开了功率半导体器件技术领域的一种IGBT器件结构，旨在解决现有技术中采用虚拟沟槽栅结构的IGBT器件关断时，沟槽区域下方积累的载流子浓度过低，导致器件的通态压降无法降低，以及随着虚拟沟槽的宽度被设计得越来越窄，增加了从虚拟沟槽多晶硅中间开出接触窗口难度的技术问题。所述器件顶面向下开设有若干间隔分布的有源沟槽和虚拟沟槽区，所述虚拟沟槽区包括不少于一个桥连和若干通过桥连连接的虚拟沟槽，所述介质层开设有接触窗口，所述P型阱区包括通过接触窗口与金属发射极连接的第一P型阱区和处于电位浮空状态的第二P型阱区。
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公开(公告)号：CN111009578A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911043605.8
申请日：2019-10-30
申请人： 国电南瑞科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/08 , H01L21/331
摘要： 本发明公开了一种IGBT沟槽栅末端结构，包括衬底、虚拟沟槽区、多晶硅块、介质层、接触窗口、发射极金属层。虚拟沟槽区设于衬底端面上，虚拟沟槽区包括两条以上相互平行的虚拟沟槽，虚拟沟槽内填充有多晶硅，多晶硅块设于衬底端面上，用于并联虚拟沟槽区内的虚拟沟槽，介质层覆设于衬底端面上，且多晶硅块位于衬底与介质层之间，接触窗口贯穿介质层并延伸至多晶硅块上，接触窗口中填充有导体，发射极金属层覆设于介质层外表面，并通过接触窗口中的导体使得位于介质层上方的发射极金属层和介质层下方的多晶硅块及虚拟沟槽相连。由于采用添加多晶硅块并直接在多晶硅块上方开接触窗口保证了足够的接触面积，使得电场更加分散，增加了门极击穿电压。
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