一种碳化硅表面的处理方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111681943A

    公开(公告)日:2020-09-18

    申请号:CN202010344980.2

    申请日:2020-04-27

    IPC分类号: H01L21/02 H01L29/16

    摘要: 本发明提供一种碳化硅表面的处理方法,在碳化硅衬底表面生长氧化层;通过原子层沉积设备在所述氧化层表面沉积掺杂层;采用退火炉对含有所述掺杂层和氧化层的碳化硅衬底按照设定真空度进行真空退火,大大降低了碳化硅与氧化层之间的界面态密度,进而提高了碳化硅功率器件的反型沟道电子迁移率,避免对碳化硅功率器件的性能造成影响,本发明采用退火炉对含有掺杂层和氧化层的碳化硅衬底进行高温退火,避免退火过程中引入新的杂质,减少氧化层中缺陷,提高氧化层质量,同时可以通过温度和时间精确控制磷原子扩散的结深。

    一种智能型多功能气体探测仪器
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116183499A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202310267357.5

    申请日:2023-03-15

    摘要: 本发明提供一种智能型多功能气体探测仪器,涉及气体探测领域。括探测仪器主体,探测仪器主体下侧表面的后侧固定连接有底壳,底壳的前方设置有透雾镜头,底壳的内部设置有横向调节装置,底壳的前侧表面和探测仪器主体下侧表面的前侧共同固定连接有防火透明玻璃罩。本发明通过设置透雾镜头对有限空间进行气体监测,使得在报警器发生报警的时候,能够通过终端设备接收到透雾镜头监测到的周围影像及红外线气体探测仪对空间内的气体成分及含量数值,对该位置周围环境进行检测以及传输,从而能够快速地找到影响空气质量的来源,为检测人员的检测带来便捷,同时增加不锈钢保护罩,对装置进行防爆、防火、防水等保护。