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公开(公告)号：CN110034033A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811537784.6
申请日：2018-12-15
申请人： 夏普株式会社
摘要： 用简单的方法来准确地检测半导体元件的电连接单元和与所述半导体元件的电连接部电连接的设备的电连接部之间的位置偏移。根据半导体元件的电极焊盘2与设备的电极5之间的导通状态，来检测这些电极焊盘2与电极5之间的位置偏移。电极焊盘2被分割为数个，第一焊盘21至第四电极焊盘24均匀排列设置。位置偏移检测部在电极焊盘2与电极5导通时，判断为不存在所述位置偏移，电极焊盘2未与电极5导通时，判断为存在所述位置偏移。
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公开(公告)号：CN110400795B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201910301237.6
申请日：2019-04-15
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/482
摘要： 本发明的发光元件模块接合具备电路元件的第一基板的至少两个以上的第一电极与至少两个以上的发光元件。在第一基板从第一基板的厚度方向的发光元件侧依序地层状地形成有第一配线至第n配线(n为2以上的整数)。位于第一基板中最靠近发光元件侧的层的第一配线，在俯视下，形成在第一基板中相邻的第一电极之间中的至少一处的电极间区域。
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公开(公告)号：CN110034033B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201811537784.6
申请日：2018-12-15
申请人： 夏普株式会社
摘要： 用简单的方法来准确地检测半导体元件的电连接单元和与所述半导体元件的电连接部电连接的设备的电连接部之间的位置偏移。根据半导体元件的电极焊盘2与设备的电极5之间的导通状态，来检测这些电极焊盘2与电极5之间的位置偏移。电极焊盘2被分割为数个，第一焊盘21至第四电极焊盘24均匀排列设置。位置偏移检测部在电极焊盘2与电极5导通时，判断为不存在所述位置偏移，电极焊盘2未与电极5导通时，判断为存在所述位置偏移。
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公开(公告)号：CN104823526B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201380062962.3
申请日：2013-11-27
申请人： 夏普株式会社
CPC分类号： G01R31/44 , G01R31/2635 , H05B33/0815 , H05B33/0827 , H05B33/0893
摘要： 本发明提供能够以简易的结构检测出元件的异常的电子设备。电子设备(1)包括：至少一个元件列(211～21m)并联连接而构成的第一元件列组(21)，该元件列(211～21m)由至少一个元件串联连接而构成；至少一个元件列(221～22n)并联连接而构成的第二元件列组(22)；和异常检测部(4)，其基于第一电流(I21)与第二电流(I22)是否满足规定的关系，对构成第一元件列组(21)和第二元件列组(22)中的至少一个组的元件列(211～21m、221～22n)的异常进行检测，该第一电流(I21)为构成第一元件列组(21)的元件列(211～21m)中流动的电流的合计，该第二电流(I22)为构成第二元件列组(22)的元件列(221～22n)中流动的电流的合计。
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公开(公告)号：CN110400795A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910301237.6
申请日：2019-04-15
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/482
摘要： 本发明的发光元件模块接合具备电路元件的第一基板的至少两个以上的第一电极与至少两个以上的发光元件。在第一基板从第一基板的厚度方向的发光元件侧依序地层状地形成有第一配线至第n配线(n为2以上的整数)。位于第一基板中最靠近发光元件侧的层的第一配线，在俯视下，形成在第一基板中相邻的第一电极之间中的至少一处的电极间区域。
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公开(公告)号：CN104823526A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201380062962.3
申请日：2013-11-27
申请人： 夏普株式会社
CPC分类号： G01R31/44 , G01R31/2635 , H05B33/0815 , H05B33/0827 , H05B33/0893
摘要： 本发明提供能够以简易的结构检测出元件的异常的电子设备。电子设备(1)包括：至少一个元件列(211～21m)并联连接而构成的第一元件列组(21)，该元件列(211～21m)由至少一个元件串联连接而构成；至少一个元件列(221～22n)并联连接而构成的第二元件列组(22)；和异常检测部(4)，其基于第一电流(I21)与第二电流(I22)是否满足规定的关系，对构成第一元件列组(21)和第二元件列组(22)中的至少一个组的元件列(211～21m、221～22n)的异常进行检测，该第一电流(I21)为构成第一元件列组(21)的元件列(211～21m)中流动的电流的合计，该第二电流(I22)为构成第二元件列组(22)的元件列(221～22n)中流动的电流的合计。
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