光半导体元件以及光半导体元件的制造方法

    公开(公告)号:CN102856458B

    公开(公告)日:2015-05-06

    申请号:CN201210088419.8

    申请日:2012-03-29

    IPC分类号: H01L33/36 H01L33/62 H01L33/00

    CPC分类号: H01L2224/11

    摘要: 本发明提供光半导体元件以及光半导体元件的制造方法。光半导体元件(10)包括:第1半导体层(12),由第1导电型的半导体组成;第2半导体层(13),由第2导电型的半导体组成,并且在第1半导体层的上面的一部分上形成;第1电极(14a),在第1半导体层的上面中的另一部分上形成;第2电极(14b),在第2半导体层的上面形成,并且具有位于比第1电极的上面还要高的位置的上面;第1连接电极(52),在第1电极的上面形成;第2连接电极(51),在第2电极的上面形成;以及保护膜(15),是覆盖第1半导体层的表面和第2半导体层的表面的绝缘性的保护膜,并且具有使第1半导体层的表面的一部分露出的开口部(21)。

    半导体装置及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN110692128A

    公开(公告)日:2020-01-14

    申请号:CN201880035847.X

    申请日:2018-04-04

    发明人: 泽井敬一

    摘要: 半导体装置具备配置成彼此相对的第一半导体芯片(10)及第二半导体芯片(20)。第一半导体芯片(10),具有设置于第一孔部(122)的第一连接部(13),且第二半导体芯片(20)具有以形成于第二电极部(21)的表面、第二孔部(222)的侧面以及第二保护膜(22)的表面的凹状金属膜构成的导电性的第二连接部(23)。第一电极部(11)与第二电极部(21)经由第一连接部(13)及第二连接部(23)而电连接。

    发光元件模块
    5.
    发明公开
    发光元件模块 审中-实审

    公开(公告)号:CN110400795A

    公开(公告)日:2019-11-01

    申请号:CN201910301237.6

    申请日:2019-04-15

    摘要: 本发明的发光元件模块接合具备电路元件的第一基板的至少两个以上的第一电极与至少两个以上的发光元件。在第一基板从第一基板的厚度方向的发光元件侧依序地层状地形成有第一配线至第n配线(n为2以上的整数)。位于第一基板中最靠近发光元件侧的层的第一配线,在俯视下,形成在第一基板中相邻的第一电极之间中的至少一处的电极间区域。

    发光元件模块
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110400795B

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN201910301237.6

    申请日:2019-04-15

    摘要: 本发明的发光元件模块接合具备电路元件的第一基板的至少两个以上的第一电极与至少两个以上的发光元件。在第一基板从第一基板的厚度方向的发光元件侧依序地层状地形成有第一配线至第n配线(n为2以上的整数)。位于第一基板中最靠近发光元件侧的层的第一配线,在俯视下,形成在第一基板中相邻的第一电极之间中的至少一处的电极间区域。

    半导体装置及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN110692128B

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN201880035847.X

    申请日:2018-04-04

    发明人: 泽井敬一

    摘要: 半导体装置具备配置成彼此相对的第一半导体芯片(10)及第二半导体芯片(20)。第一半导体芯片(10),具有设置于第一孔部(122)的第一连接部(13),且第二半导体芯片(20)具有以形成于第二电极部(21)的表面、第二孔部(222)的侧面以及第二保护膜(22)的表面的凹状金属膜构成的导电性的第二连接部(23)。第一电极部(11)与第二电极部(21)经由第一连接部(13)及第二连接部(23)而电连接。

    接合装置
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110233121B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN201910163642.6

    申请日:2019-03-05

    IPC分类号: H01L21/67 H01L21/60

    摘要: 接合装置包括:层流生成部;芯片处理部;清洗部,其清洗所述芯片;接合部,其将所述芯片与基板接合;以及搬运机构,其将所述芯片从所述芯片处理部向所述接合部搬运。它们之中的、至少所述接合部及所述清洗部配设于层流生成部所生成的层流中。