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公开(公告)号：CN115985888B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202310154409.8
申请日：2023-02-23
申请人： 天津大学
IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/66 , H01L23/64 , H01L21/768
摘要： 本发明公开了一种由电容耦合互联得到的集成垂直器件及其制备方法：包括石墨烯场效应管、碳化硅衬底、碳化硅肖特基二极管，石墨烯场效应管和碳化硅肖特基二极管附着碳化硅衬底Si面和C面；石墨烯场效应管包括源漏电极、栅绝缘层、栅极、石墨烯沟道；碳化硅肖特基二极管包括阴极、第二阳极、第一阳极、碳化硅沟槽；利用石墨烯‑碳化硅外延体系的天然键合，分别在碳化硅衬底Si面和C面制备功能器件，碳化硅衬底作为电容，通过电容耦合直接互联得到集成垂直器件。本发明以期规避晶圆键合工艺的局限，得到同时发挥石墨烯器件及碳化硅器件本身优异性能的集成垂直器件。
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公开(公告)号：CN113380604A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110597788.9
申请日：2021-05-31
申请人： 天津大学
摘要： 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种具有原子级台阶形貌的4H‑SiC材料及其刻蚀方法，在4H‑SiC材料的(0001)晶面上，利用特殊设计的石墨坩埚，采用两步氢刻蚀方法进行刻蚀，从而对4H‑SiC(0001)晶面形貌进行调控，能够在该晶面上得到大面积覆盖且均匀分布的原子级台阶形貌。本发明能够解决刻蚀有效区域难以提升、刻蚀区域内形貌分布无序的问题，实现刻蚀有效区域的最大化与均匀分布；经处理后的SiC表面无划痕且具有覆盖样品表面70‑80％分布均匀的原子级台阶形貌，能够用以制备性能优异的SiC功率器件及高频射频器件，也可作为制备具有均匀可控形貌的外延生长材料的优良衬底。
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公开(公告)号：CN113380604B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202110597788.9
申请日：2021-05-31
申请人： 天津大学
摘要： 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种具有原子级台阶形貌的4H‑SiC材料及其刻蚀方法，在4H‑SiC材料的(0001)晶面上，利用特殊设计的石墨坩埚，采用两步氢刻蚀方法进行刻蚀，从而对4H‑SiC(0001)晶面形貌进行调控，能够在该晶面上得到大面积覆盖且均匀分布的原子级台阶形貌。本发明能够解决刻蚀有效区域难以提升、刻蚀区域内形貌分布无序的问题，实现刻蚀有效区域的最大化与均匀分布；经处理后的SiC表面无划痕且具有覆盖样品表面70‑80％分布均匀的原子级台阶形貌，能够用以制备性能优异的SiC功率器件及高频射频器件，也可作为制备具有均匀可控形貌的外延生长材料的优良衬底。
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公开(公告)号：CN115985888A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310154409.8
申请日：2023-02-23
申请人： 天津大学
IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/66 , H01L23/64 , H01L21/768
摘要： 本发明公开了一种由电容耦合互联得到的集成垂直器件及其制备方法：包括石墨烯场效应管、碳化硅衬底、碳化硅肖特基二极管，石墨烯场效应管和碳化硅肖特基二极管附着碳化硅衬底Si面和C面；石墨烯场效应管包括源漏电极、栅绝缘层、栅极、石墨烯沟道；碳化硅肖特基二极管包括阴极、第二阳极、第一阳极、碳化硅沟槽；利用石墨烯‑碳化硅外延体系的天然键合，分别在碳化硅衬底Si面和C面制备功能器件，碳化硅衬底作为电容，通过电容耦合直接互联得到集成垂直器件。本发明以期规避晶圆键合工艺的局限，得到同时发挥石墨烯器件及碳化硅器件本身优异性能的集成垂直器件。
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