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公开(公告)号：CN101946378A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200880127211.4
申请日：2008-12-17
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： H01S5/1082 , H01S5/0078 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0286 , H01S5/1017 , H01S5/105 , H01S5/1078 , H01S5/1092 , H01S5/22 , H01S2301/02 , H01S2301/166
摘要： 一种激光源尤其包括具有活性区域(45)和射线输出耦合面(12)的半导体层序列(10)和滤波结构(5)，所述射线输出耦合面(12)具有第一子区域(121)和与第一子区域(10)不同的第二子区域(122)，其中所述活性区域(45)在运行时生成具有第一波长范围的相干的第一电磁射线(51)和具有第二波长范围的不相干的第二电磁射线(52)，所述相干的第一电磁射线(51)沿着辐射方向(90)从第一子区域(121)辐射，不相干的第二电磁射线(52)从第一子区域(121)和第二子区域(122)辐射，第二波长范围包括第一波长范围并且滤波结构(5)至少部分地减弱从活性区域(45)沿着辐射方向(90)辐射的不相干的第二电磁射线(52)。
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公开(公告)号：CN101373808A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810169287.5
申请日：2003-09-05
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/20 , H01L23/3677 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L24/95 , H01L2224/29014 , H01L2224/29124 , H01L2224/29164 , H01L2224/29169 , H01L2224/83203 , H01L2924/12042 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种半导体元器件。为了避免或者补偿元器件中的热应力，该半导体元器件具有一个发光的半导体层或者一个发光的半导体元件、两个接触点和一个水平结构化的载体基片。热应力由于温度变换并且因为半导体和载体基片不同的膨胀系数在加工和运行过程中产生。使载体基片结构化从而热应力充分地被避免或者被补偿，使得元器件不产生故障。
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公开(公告)号：CN100433387C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200580011289.6
申请日：2005-04-14
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明涉及一种薄膜发光二极管芯片，其中这样来调节反射层(4)和产生光的活性区(3)之间的距离，使得来自活性区(3)的辐射与由反射层(4)所反射的光进行干涉，其中，通过该干涉来影响活性区(3)的内部量子效率，并且由此实现活性区(3)的具有至少一个优选方向的辐射特性。
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公开(公告)号：CN101946378B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200880127211.4
申请日：2008-12-17
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： H01S5/1082 , H01S5/0078 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0286 , H01S5/1017 , H01S5/105 , H01S5/1078 , H01S5/1092 , H01S5/22 , H01S2301/02 , H01S2301/166
摘要： 一种激光源尤其包括具有活性区域(45)和射线输出耦合面(12)的半导体层序列(10)和滤波结构(5)，所述射线输出耦合面(12)具有第一子区域(121)和与第一子区域(10)不同的第二子区域(122)，其中所述活性区域(45)在运行时生成具有第一波长范围的相干的第一电磁射线(51)和具有第二波长范围的不相干的第二电磁射线(52)，所述相干的第一电磁射线(51)沿着辐射方向(90)从第一子区域(121)辐射，不相干的第二电磁射线(52)从第一子区域(121)和第二子区域(122)辐射，第二波长范围包括第一波长范围并且滤波结构(5)至少部分地减弱从活性区域(45)沿着辐射方向(90)辐射的不相干的第二电磁射线(52)。
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公开(公告)号：CN101373808B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200810169287.5
申请日：2003-09-05
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/20 , H01L23/3677 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L24/95 , H01L2224/29014 , H01L2224/29124 , H01L2224/29164 , H01L2224/29169 , H01L2224/83203 , H01L2924/12042 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种半导体元器件。为了避免或者补偿元器件中的热应力，该半导体元器件具有一个发光的半导体层或者一个发光的半导体元件、两个接触点和一个水平结构化的载体基片。热应力由于温度变换并且因为半导体和载体基片不同的膨胀系数在加工和运行过程中产生。使载体基片结构化从而热应力充分地被避免或者被补偿，使得元器件不产生故障。
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公开(公告)号：CN1685531A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03823395.9
申请日：2003-09-05
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/20 , H01L23/3677 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L24/95 , H01L2224/29014 , H01L2224/29124 , H01L2224/29164 , H01L2224/29169 , H01L2224/83203 , H01L2924/12042 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
摘要： 为了避免或者补偿元器件中的热应力，一种半导体元器件具有一个发光的半导体层或者一个发光的半导体元件、两个接触点和一个垂直或者水平结构化的载体基片，本发明还涉及一种制造半导体元器件的方法。热应力由于温度变换并且因为半导体和载体基片不同的膨胀系数在加工和运行过程中产生。使载体基片结构化从而热应力充分地被避免或者被补偿，使得元器件不产生故障。
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公开(公告)号：CN100440550C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN03823395.9
申请日：2003-09-05
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/20 , H01L23/3677 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L24/95 , H01L2224/29014 , H01L2224/29124 , H01L2224/29164 , H01L2224/29169 , H01L2224/83203 , H01L2924/12042 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
摘要： 为了避免或者补偿元器件中的热应力，一种半导体元器件具有一个发光的半导体层或者一个发光的半导体元件、两个接触点和一个垂直或者水平结构化的载体基片，本发明还涉及一种制造半导体元器件的方法。热应力由于温度变换并且因为半导体和载体基片不同的膨胀系数在加工和运行过程中产生。使载体基片结构化从而热应力充分地被避免或者被补偿，使得元器件不产生故障。
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公开(公告)号：CN1943046A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200580011289.6
申请日：2005-04-14
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明涉及一种薄膜发光二极管芯片，其中这样来调节反射层(4)和产生光的活性区(3)之间的距离，使得来自活性区(3)的辐射与由反射层(4)所反射的光进行干涉，其中，通过该干涉来影响活性区(3)的内部量子效率，并且由此实现活性区(3)的具有至少一个优选方向的辐射特性。
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