一种快速生成高熔点接头的芯片键合方法及超声压头设计

    公开(公告)号:CN105023855B

    公开(公告)日:2018-03-13

    申请号:CN201510288396.9

    申请日:2015-05-29

    发明人: 计红军 乔云飞

    IPC分类号: H01L21/603 B23K20/10

    CPC分类号: H01L24/95 H01L2224/83101

    摘要: 本发明提供了一种快速生成高熔点接头的芯片键合方法及超声压头设计。本发明设计一种特殊振动压头结构,可以实现在芯片周围施加振动,而芯片不施加压力的情况下完成Sn基钎料在Cu基板快速润湿,并且能够强化接头和提高接头服役温度。与其他形成高温互连接头的芯片的键合方法相比,该方法能够在对芯片不施加压力、较短键合时间条件下获得高焊合率、高熔点、高强度(60~80MPa)、高热导率(50~80W/(m·K))、宽服役温度范围的效果。因此,该方法获得的芯片键合接头可以在高服役温度、高强度等恶劣环境下应用,尤其适用于宽带隙半导体器件的封装工艺中。