-
公开(公告)号：CN101946378B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200880127211.4
申请日：2008-12-17
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： H01S5/1082 , H01S5/0078 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0286 , H01S5/1017 , H01S5/105 , H01S5/1078 , H01S5/1092 , H01S5/22 , H01S2301/02 , H01S2301/166
摘要： 一种激光源尤其包括具有活性区域(45)和射线输出耦合面(12)的半导体层序列(10)和滤波结构(5)，所述射线输出耦合面(12)具有第一子区域(121)和与第一子区域(10)不同的第二子区域(122)，其中所述活性区域(45)在运行时生成具有第一波长范围的相干的第一电磁射线(51)和具有第二波长范围的不相干的第二电磁射线(52)，所述相干的第一电磁射线(51)沿着辐射方向(90)从第一子区域(121)辐射，不相干的第二电磁射线(52)从第一子区域(121)和第二子区域(122)辐射，第二波长范围包括第一波长范围并且滤波结构(5)至少部分地减弱从活性区域(45)沿着辐射方向(90)辐射的不相干的第二电磁射线(52)。
-
公开(公告)号：CN1120550C
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN98807183.5
申请日：1998-05-15
申请人： 布里斯托尔大学
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18355 , H01S5/1078 , H01S5/18308 , H01S5/18327 , H01S5/2063 , H01S5/2081
摘要： 垂直腔面发射激光器(10)具有形成在器件本体中的间断(11)。当器件使用时，器件发射的光的偏振方向基本与间断的边界对准。
-
公开(公告)号：CN101946378A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200880127211.4
申请日：2008-12-17
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： H01S5/1082 , H01S5/0078 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0286 , H01S5/1017 , H01S5/105 , H01S5/1078 , H01S5/1092 , H01S5/22 , H01S2301/02 , H01S2301/166
摘要： 一种激光源尤其包括具有活性区域(45)和射线输出耦合面(12)的半导体层序列(10)和滤波结构(5)，所述射线输出耦合面(12)具有第一子区域(121)和与第一子区域(10)不同的第二子区域(122)，其中所述活性区域(45)在运行时生成具有第一波长范围的相干的第一电磁射线(51)和具有第二波长范围的不相干的第二电磁射线(52)，所述相干的第一电磁射线(51)沿着辐射方向(90)从第一子区域(121)辐射，不相干的第二电磁射线(52)从第一子区域(121)和第二子区域(122)辐射，第二波长范围包括第一波长范围并且滤波结构(5)至少部分地减弱从活性区域(45)沿着辐射方向(90)辐射的不相干的第二电磁射线(52)。
-
公开(公告)号：CN101752787A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910225790.2
申请日：2009-12-07
申请人： 恩益禧电子股份有限公司
发明人： 五十岚俊昭
IPC分类号： H01S5/06
CPC分类号： H01S5/32341 , H01S5/0425 , H01S5/0655 , H01S5/1017 , H01S5/1078 , H01S5/2022 , H01S5/2086 , H01S5/22 , H01S2301/18
摘要： 本发明涉及激光器二极管及其制造方法。该激光器二极管具有在沿着光波导的区域中设置的多个结构，所述多个结构中的每个结构具有散射、吸收或反射杂散光的功能，其中，在通过在所述光波导的纵向方向上将沿着所述光波导的区域等分成三个或更多的部分所获得的每个分割区域中，形成所述结构中的至少一个。
-
公开(公告)号：CN101752787B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200910225790.2
申请日：2009-12-07
申请人： 瑞萨电子株式会社
发明人： 五十岚俊昭
IPC分类号： H01S5/06
CPC分类号： H01S5/32341 , H01S5/0425 , H01S5/0655 , H01S5/1017 , H01S5/1078 , H01S5/2022 , H01S5/2086 , H01S5/22 , H01S2301/18
摘要： 本发明涉及激光器二极管及其制造方法。该激光器二极管具有在沿着光波导的区域中设置的多个结构，所述多个结构中的每个结构具有散射、吸收或反射杂散光的功能，其中，在通过在所述光波导的纵向方向上将沿着所述光波导的区域等分成三个或更多的部分所获得的每个分割区域中，形成所述结构中的至少一个。
-
公开(公告)号：CN1165372A
公开(公告)日：1997-11-19
申请号：CN97110583.9
申请日：1997-04-18
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 金一
CPC分类号： H01S5/0264 , H01S5/1078 , H01S5/18311
摘要： 具有对平面型激光束进行光功率监测的平面型激光二极管封装件，包括：基底；借助上层反射镜和较低层反射镜使激活区产生的自发辐射光束振荡并发射由振荡得到的平面型激光束的平面型激光二极管；安装在该基底和该平面型激光二极管的较低层反射镜之间，用于根据经较低层反射镜向基底发射的平面型激光束完成光检测操作，以监测平面型激光二极管的光功率的监测二极管。该平面型激光二极管封装件能精确地监测该平面型激光二极管的光功率。
-
公开(公告)号：CN103107481A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310049689.2
申请日：2008-12-17
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC分类号： H01S5/028
CPC分类号： H01S5/1082 , H01S5/0078 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0286 , H01S5/1017 , H01S5/105 , H01S5/1078 , H01S5/1092 , H01S5/22 , H01S2301/02 , H01S2301/166
摘要： 一种激光源，其包括具有活性区域（45）和射线输出耦合面（12）的半导体层序列（10）和滤波结构（5），所述射线输出耦合面（12）具有第一子区域（121）和与第一子区域（10）不同的第二子区域（122），其中所述活性区域（45）在运行时生成具有第一波长范围的相干的第一电磁射线（51）和具有第二波长范围的不相干的第二电磁射线（52），所述相干的第一电磁射线（51）沿着辐射方向（90）从第一子区域辐射，不相干的第二电磁射线（52）从第一子区域和第二子区域辐射，第二波长范围包括第一波长范围并且滤波结构（5）至少部分地减弱从活性区域（45）沿着辐射方向（90）辐射的不相干的第二电磁射线（52）。
-
公开(公告)号：CN1758455A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510078640.5
申请日：2005-06-22
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L33/405 , B82Y20/00 , H01L21/28575 , H01L33/32 , H01S5/0425 , H01S5/1078 , H01S5/18 , H01S5/2027 , H01S5/34333
摘要： 本发明提供一种反射电极以及具有该反射电极的诸如LED或LD的化合物半导体发光器件。形成在化合物半导体发光器件的p型化合物半导体层上的反射电极，包括：第一电极层，其由Ag和Ag合金其中之一形成并与p型化合物半导体层形成欧姆接触；第三电极层，其由从包括Ni、Ni合金、Zn、Zn合金、Cu、Cu合金、Ru、Ir和Rh的组中选择的材料形成在第一电极层上；以及第四电极层，其由光反射材料形成在第三电极层上。
-
公开(公告)号：CN1083600C
公开(公告)日：2002-04-24
申请号：CN97110583.9
申请日：1997-04-18
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 金一
CPC分类号： H01S5/0264 , H01S5/1078 , H01S5/18311
摘要： 具有对表面型激光束进行光功率监测的表面型激光二极管封装件，包括：基底；借助上层反射镜和较低层反射镜使激活区产生的自发辐射光束振荡并发射由振荡得到的表面型激光束的表面型激光二极管；安装在该基底和该表面型激光二极管的较低层反射镜之间，用于根据经较低层反射镜向基底发射的表面型激光束完成光检测操作，以监测表面型激光二极管的光功率的监测二极管。该表面型激光二极管封装件能精确地监测该表面型激光二极管的光功率。
-
公开(公告)号：CN103107481B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310049689.2
申请日：2008-12-17
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC分类号： H01S5/028
CPC分类号： H01S5/1082 , H01S5/0078 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0286 , H01S5/1017 , H01S5/105 , H01S5/1078 , H01S5/1092 , H01S5/22 , H01S2301/02 , H01S2301/166
摘要： 一种激光源,其包括具有活性区域（45）和射线输出耦合面（12）的半导体层序列（10）和滤波结构（5），所述射线输出耦合面（12）具有第一子区域（121）和与第一子区域（10）不同的第二子区域（122），其中所述活性区域（45）在运行时生成具有第一波长范围的相干的第一电磁射线（51）和具有第二波长范围的不相干的第二电磁射线（52），所述相干的第一电磁射线（51）沿着辐射方向（90）从第一子区域辐射，不相干的第二电磁射线（52）从第一子区域和第二子区域辐射，第二波长范围包括第一波长范围并且滤波结构（5）至少部分地减弱从活性区域（45）沿着辐射方向（90）辐射的不相干的第二电磁射线（52）。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
12 条记录 (耗时 0.011 秒)
