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公开(公告)号：CN110518013A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910725843.0
申请日：2019-08-07
申请人： 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种具有超快恢复特性的复合二极管结构及其制造方法，该二极管包括N+衬底，位于N+衬底背面的金属化阴极和位于N+衬底正面的N型外延层；所述N型外延层上设置有一组向N型外延层内延伸的P区，所述P区在硅片有源区的N型外延层上均匀分布；相邻P区之间的N型外延层表面设置有一层采用等离子体轰击方式形成的缺陷层，所述P区和缺陷层上设置有一层肖特基势垒金属，肖特基势垒金属上设置有金属化阳极。该器件结构及其制造方法简单且易于实现，能够获得更快的恢复时间，降低器件的开关功耗，可以用于制造具有超快恢复特性的复合二极管(MPS)领域。
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公开(公告)号：CN110429131A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910716626.5
申请日：2019-08-05
申请人： 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/06
摘要： 本发明公开了一种具有高开关速度的平面栅器件结构及其制造方法，该平面栅器件结构，包括半导体衬底或外延层，所述半导体衬底或外延层上间隔设置有一组平面栅，所述平面栅包括设置在中间位置的第一栅电极绝缘层，从第一栅电极绝缘层向两侧延伸的第二栅电极绝缘层及设置在第一栅电极绝缘层和第二栅电极绝缘层上的栅电极，所述第一栅电极绝缘层的厚度大于第二栅电极绝缘层的厚度。该结构的平面栅加工方法简单且易于实现，具有该平面栅结构的器件具有更低的栅漏电容，更快的开关速度和更低的开关功耗，可广泛应用于MOSFET、IGBT和MCT等功率半导体器件领域。
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公开(公告)号：CN105552118A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610122149.6
申请日：2016-03-03
申请人： 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司
IPC分类号： H01L29/423 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/423 , H01L21/28 , H01L29/4236
摘要： 本发明公开了一种用于功率器件的沟槽栅结构及其制造方法。本发明公开的沟槽栅结构为在沟槽内的下部形成由外往里分别为第一层氧化硅、第一层多晶硅和充满的第二层氧化硅的OPO结构；在沟槽内上部的外周有第二个第三层氧化硅，该第三层氧化硅与其中充满的第二层多晶硅构成上部的OP结构，同时该第三层氧化硅的底部将上部的第二层多晶硅与下部的第一层多晶硅隔离。该结构增加了栅极和漏极间氧化硅的厚度，从而获得较低的栅漏电容，以实现更快的开关速度。另外，制造方法也简单、稳定，易于实现。本发明公开的沟槽栅结构及其制造方法可广泛应用于沟槽MOSFET、沟槽IGBT等多种沟槽型功率器件中。
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公开(公告)号：CN108766997A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810463012.6
申请日：2018-05-15
申请人： 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/36 , H01L21/265 , H01L21/225
CPC分类号： H01L29/0684 , H01L21/225 , H01L21/265 , H01L29/36
摘要： 本发明公开了一种具有载流子存储区的沟槽栅器件结构及其制造方法，该沟槽栅器件结构，包括半导体衬底或外延层，所述半导体衬底或外延层表面向下延伸设置有一组沟槽栅，所述沟槽栅的外侧设置有第一掺杂区域，第一掺杂区域内掺杂形成与半导体衬底或外延层具有相同导电类型且呈横向与纵向梯度分布、具有载流子存储作用的第一类掺杂半导体，该结构有利于更多载流子在此处存储，从而可以降低导通电阻与饱和压降。还公开了该沟槽栅器件结构的制造方法，该方法能够改善现有方法加工难度大及造价高的问题。可广泛应用于功率器件的生产加工领域。
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公开(公告)号：CN205406525U
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201620164654.2
申请日：2016-03-03
申请人： 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司
IPC分类号： H01L29/423 , H01L21/28
摘要： 本实用新型公开了一种用于功率器件的沟槽栅结构，该沟槽栅结构为在沟槽内的下部形成由外往里分别为第一层氧化硅、第一层多晶硅和充满的第二层氧化硅的OPO结构；在沟槽内上部的外周有第二个第三层氧化硅，该第三层氧化硅与其中充满的第二层多晶硅构成上部的OP结构，同时该第三层氧化硅的底部将上部的第二层多晶硅与下部的第一层多晶硅隔离。该结构增加了栅极和漏极间氧化硅的厚度，从而获得较低的栅漏电容，以实现更快的开关速度。本实用新型公开的沟槽栅结构可广泛应用于沟槽MOSFET、沟槽IGBT等多种沟槽型功率器件中。
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公开(公告)号：CN210073861U
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201921253115.6
申请日：2019-08-05
申请人： 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/06
摘要： 本实用新型公开了一种具有高开关速度的平面栅器件结构及其制造方法，该平面栅器件结构，包括半导体衬底或外延层，所述半导体衬底或外延层上间隔设置有一组平面栅，所述平面栅包括设置在中间位置的第一栅电极绝缘层，从第一栅电极绝缘层向两侧延伸的第二栅电极绝缘层及设置在第一栅电极绝缘层和第二栅电极绝缘层上的栅电极，所述第一栅电极绝缘层的厚度大于第二栅电极绝缘层的厚度。该结构的平面栅加工方法简单且易于实现，具有该平面栅结构的器件具有更低的栅漏电容，更快的开关速度和更低的开关功耗，可广泛应用于MOSFET、IGBT和MCT等功率半导体器件领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208589449U
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201820719161.X
申请日：2018-05-15
申请人： 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/36 , H01L21/265 , H01L21/225
摘要： 本实用新型公开了一种具有载流子存储区的沟槽栅器件结构，包括半导体衬底或外延层，所述半导体衬底或外延层表面向下延伸设置有一组沟槽栅，所述沟槽栅的外侧设置有第一掺杂区域，第一掺杂区域内掺杂形成与半导体衬底或外延层具有相同导电类型且呈横向与纵向梯度分布、具有载流子存储作用的第一类掺杂半导体，该结构有利于更多载流子在此处存储，从而可以降低导通电阻与饱和压降。可广泛应用于功率器件的生产加工领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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