公开(公告)号：CN106098766B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201610680376.0

申请日：2013-05-31

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： D.阿勒斯 ,  D.博纳特 ,  L.博鲁基 ,  M.聪德尔

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H02M7/00

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L23/051 ,  H01L23/24 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/861 ,  H01L2924/0002 ,  H02J7/14 ,  H02J7/242 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及栅控二极管、电池充电组件和发电机组件。一种栅控二极管可以包括均为第一导电类型的源极区域和漏极区域。源极区域直接毗邻半导体管芯的第一表面，并且漏极区域直接毗邻半导体管芯的相对的第二表面。漏极区域包括在半导体管芯的外延层中形成的漂移区域。第二导电类型的基极区域被提供在漏极区域和源极区域之间，该第二导电类型与第一导电类型相反。漂移区域还包括调节区域，该调节区域直接毗邻基极区域并且分布布置在相应基极区域和第二表面之间。调节区域中的净掺杂剂浓度为第二子区域中的净掺杂剂浓度的至少两倍。调节区域精确地定义反向击穿电压。

公开(公告)号：CN105932022B

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201610071920.1

申请日：2016-02-02

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 秀明土子

IPC分类号： H01L27/07 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/866 ,  H01L21/8249

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/36 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7838 ,  H01L29/808 ,  H01L29/866

摘要： 本发明涉及一种集成齐纳二极管的场效应晶体管。在相同的P‑型半导体衬底中通过多个掺杂区整体制成一个或多个齐纳二极管和一个场效应晶体管，被穿通阻挡区隔开，具有与一个或多个齐纳二极管串联的漏极。N‑型区形成在一个或多个齐纳二极管下方。

公开(公告)号：CN108807512A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710310685.3

申请日：2017-05-05

申请人： 世界先进积体电路股份有限公司

发明人： 林鑫成 ,  胡钰豪 ,  林文新 ,  吴政璁 ,  马洛宜·库马

IPC分类号： H01L29/36 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/063 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提出一种半导体装置及其形成方法，其中半导体装置包含具有第一导电类型的半导体基底，以及设置于半导体基底内的第一阱，其中第一阱具有与第一导电类型相反的第二导电类型。半导体装置也包含设置于半导体基底内和第一阱下的埋置层，其中埋置层具有第一导电类型且接触第一阱。半导体装置更包含设置于半导体基底上的源极电极、漏极电极和栅极结构，其中栅极结构位于源极电极和漏极电极之间。

公开(公告)号：CN108766997A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810463012.6

申请日：2018-05-15

申请人： 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司

发明人： 饶祖刚 ,  王民安 ,  项建辉 ,  郑科峰

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/265 ,  H01L21/225

CPC分类号： H01L29/0684 ,  H01L21/225 ,  H01L21/265 ,  H01L29/36

摘要： 本发明公开了一种具有载流子存储区的沟槽栅器件结构及其制造方法，该沟槽栅器件结构，包括半导体衬底或外延层，所述半导体衬底或外延层表面向下延伸设置有一组沟槽栅，所述沟槽栅的外侧设置有第一掺杂区域，第一掺杂区域内掺杂形成与半导体衬底或外延层具有相同导电类型且呈横向与纵向梯度分布、具有载流子存储作用的第一类掺杂半导体，该结构有利于更多载流子在此处存储，从而可以降低导通电阻与饱和压降。还公开了该沟槽栅器件结构的制造方法，该方法能够改善现有方法加工难度大及造价高的问题。可广泛应用于功率器件的生产加工领域。

公开(公告)号：CN108682694A

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201810252167.5

申请日：2018-03-26

申请人： 3-5电力电子有限责任公司

发明人： V·杜德克

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/30

CPC分类号： H01L29/8613 ,  H01L21/187 ,  H01L29/20 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66204 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/30

摘要： 堆叠状III‑V族半导体二极管，具有至少1019N/cm3掺杂剂浓度的n+层、1012‑1016掺杂剂浓度和10‑300μm厚的n‑层、5·1018‑5·1020掺杂剂浓度和大于2μm厚的p+层，它们以所提及的顺序依次跟随，包括GaAs化合物，n+层或p+层构造为衬底，n‑层下侧与n+层上侧材料锁合连接，n‑层与p+层之间布置掺杂中间层，其具有上侧和下侧，其下侧与n‑层上侧且其上侧与p+层下侧材料锁合连接，中间层与n‑层且与p+层材料锁合地连接且p掺杂，堆叠状III‑V族半导体二极管包括大于0.5μm层厚度的第一缺陷层，其布置在p‑层内且具有1·1013至5·1016N/cm3的缺陷浓度。

公开(公告)号：CN108630744A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810252132.1

申请日：2018-03-26

申请人： 3-5电力电子有限责任公司

发明人： V·杜德克

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/861

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/187 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/30625 ,  H01L29/20 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66204 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/861

摘要： 一种堆叠状的III-V族半导体二极管(10)，其具有至少1019N/cm3的掺杂剂浓度的n+层(12)和50-675μm的层厚度(D1)、具有1012-1016N/cm3的掺杂剂浓度的n-层(14)、10-300μm的层厚度(D2)、具有5·1018-5·1020N/cm3的掺杂剂浓度和大于2μm的层厚度(D3)的p+层(18)，其中，这些层以所提及的顺序依次、分别包括GaAs化合物或由GaAs化合物构成并且单片地构造，n+层(12)或p+层(18)构造为衬底，并且所述n-层(14)的下侧与所述n+层(12)的上侧材料锁合地连接，所述堆叠状的III-V族半导体二极管(10)包括具有大于0.5μm的层厚度(D4)的第一缺陷层(16)，缺陷层(16)布置在n-层内，并且缺陷层(16)具有1·1013N/cm3与5·1016N/cm3之间的范围内的缺陷浓度。

公开(公告)号：CN105493293B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201380079101.6

申请日：2013-09-09

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 望月和浩 ,  龟代典史

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/868

CPC分类号： H01L29/1608 ,  B60L50/51 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/36 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872 ,  H02M7/537 ,  H02P27/06

摘要： 本发明提供在具有碳化硅器件的半导体装置中，能够抑制耐压变动且实现终端结构的低面积化的技术。为了解决上述课题，本发明中，在具有碳化硅器件的半导体装置中，在结终端部设置p型的第一区域、以及比第一区域更靠近外周侧而设置的p型的第二区域，在第一区域设置第一浓度梯度，在第二区域设置比第一浓度梯度大的第二浓度梯度。

公开(公告)号：CN105390392B

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201510548480.X

申请日：2015-08-31

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： H-J·舒尔策 ,  H·奥弗纳

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/02008 ,  H01L21/0203 ,  H01L21/02436 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/324 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L22/26 ,  H01L29/16 ,  H01L29/36

摘要： 本发明公开了一种用于处理半导体主体的方法。在一实施例中，该方法包括通过第一热处理降低第一区中的硅晶片中的氧浓度，该第一区邻接该硅晶片的第一表面，通过经由第一表面向晶片中注入颗粒，至少在第二区中的晶片的晶格中生成空位，该第二区邻接该第一区，以及通过第二热处理在该第二区中形成氧沉淀。

公开(公告)号：CN105280660B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201510441369.0

申请日：2015-07-24

申请人： 佳能株式会社

发明人： 小林昌弘

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14605 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/36 ,  H01L29/94

摘要： 种成像设备,包括:像素,其中的每个像素包括:光电转换器,包括以第半导体区域和第二半导体区域形成的p‑n结;放大晶体管,被配置为放大基于信号载流子的信号;以及电容,包括以具有与第半导体区域相同导电类型的第三半导体区域和具有与第三半导体区域相反导电类型的第四半导体区域形成的p‑n结。在电容的p‑n结界面处的与第三半导体区域的导电类型相同导电类型的杂质的掺杂杂质浓度,高于在光电转换器的p‑n结界面处与第半导体区域的导电类型相同导电类型的杂质的掺杂杂质浓度。

公开(公告)号：CN103972281B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201410043926.9

申请日：2014-01-30

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： F.希尔勒 ,  A.毛德 ,  H-J.舒尔策

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/36 ,  H01L21/04 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8611

摘要： 本发明涉及包括边缘区域的半导体器件和制造半导体器件的方法。一种半导体器件的半导体部分包括：半导体层，具有第一导电类型的漂移区和第二相反导电类型的至少一个杂质区。杂质区与元件区域中的半导体部分的第一表面邻接。连接层与第一表面相对地与半导体层直接邻接。在相对于第一表面的一定距离，过补偿区形成在包围元件区域的边缘区域中。过补偿区和连接层具有相反的导电类型。沿垂直于第一表面的方向，漂移区的一部分布置在第一表面和过补偿区之间。在局部高电流密度的情况下，过补偿区将局部抵消电场强度的进一步增加并且降低雪崩击穿的风险的电荷载流子注入到半导体层中。