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公开(公告)号：CN113423872B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202080014052.8
申请日：2020-01-10
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够形成笔直的微孔的阳极氧化处理方法及抑制导电性材料的填充缺陷的各向异性导电性部件的制造方法。所述阳极氧化处理方法为对阀金属板的表面实施多次阳极氧化处理且在阀金属板的表面形成阳极氧化膜，所述阳极氧化膜具有存在于阀金属板的厚度方向上的微孔和存在于微孔的底部的阻挡层。在多次阳极氧化处理中，第2次以后的阳极氧化处理工序的电流增加期间和电流维持期间是连续的。电流增加期间为电流增加量超过每秒0安培每平方米且为每秒0.2安培每平方米以下、并且为10分钟以下的期间。在电流维持期间，电流维持恒定值，恒定值为电流增加期间的最大电流值以下。
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公开(公告)号：CN118382728A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202280081674.1
申请日：2022-12-20
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C25D1/00 , B22F1/054 , B22F1/0545 , B22F9/00 , C25D11/20 , C25D11/24 , H01B1/00 , H01B1/02 , H01B1/22 , H01B5/00 , H01B5/14 , H01B5/16 , H01B13/00
Abstract: 本发明的课题为提供一种能够得到连接电阻低的金属纳米线的金属纳米线的制造方法、金属纳米线、分散液及导电膜。本发明的金属纳米线的制造方法为如下金属纳米线的制造方法，其包括：阳极氧化工序，将具有多孔的阳极氧化膜形成于阀金属基板的表面；金属填充工序，向多孔中填充金属；铸模去除工序，去除阳极氧化膜及阀金属基板而得到针状金属；及保护层形成工序，对针状金属形成含有腐蚀抑制剂的保护层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107113984B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201580067306.1
申请日：2015-12-17
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L23/49838 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49866 , H01L23/49894 , H01R11/01 , H01R12/00 , H01R12/52 , H05K1/11 , H05K1/14 , H05K1/18 , H05K3/36
Abstract: 本发明提供一种能够实现优异的导通可靠性的多层配线基板。本发明的多层配线基板层叠有各向异性导电部件与具有基板及形成于基板上的一个以上的电极的配线基板，所述各向异性导电部件具备：包含无机材料的绝缘性基材；包含导电性部件的多个导通路，以在绝缘性基材的厚度方向上贯穿并相互绝缘的状态而设置；以及粘合层，设于绝缘性基材的表面，各导通路具有从绝缘性基材的表面突出的突出部分，所述多层配线基板中，多个导通路中，与电极接触的导通路变形，而相邻的导通路彼此接触。
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公开(公告)号：CN107113984A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580067306.1
申请日：2015-12-17
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L23/49838 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49866 , H01L23/49894 , H01R11/01 , H01R12/00 , H01R12/52 , H05K1/11 , H05K1/14 , H05K1/18 , H05K3/36
Abstract: 本发明提供一种能够实现优异的导通可靠性的多层配线基板。本发明的多层配线基板层叠有各向异性导电部件与具有基板及形成于基板上的一个以上的电极的配线基板，所述各向异性导电部件具备：包含无机材料的绝缘性基材；包含导电性部件的多个导通路，以在绝缘性基材的厚度方向上贯穿并相互绝缘的状态而设置；以及粘合层，设于绝缘性基材的表面，各导通路具有从绝缘性基材的表面突出的突出部分，所述多层配线基板中，多个导通路中，与电极接触的导通路变形，而相邻的导通路彼此接触。
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公开(公告)号：CN113423872A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202080014052.8
申请日：2020-01-10
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够形成笔直的微孔的阳极氧化处理方法及抑制导电性材料的填充缺陷的各向异性导电性部件的制造方法。所述阳极氧化处理方法为对阀金属板的表面实施多次阳极氧化处理且在阀金属板的表面形成阳极氧化膜，所述阳极氧化膜具有存在于阀金属板的厚度方向上的微孔和存在于微孔的底部的阻挡层。在多次阳极氧化处理中，第2次以后的阳极氧化处理工序的电流增加期间和电流维持期间是连续的。电流增加期间为电流增加量超过每秒0安培每平方米且为每秒0.2安培每平方米以下、并且为10分钟以下的期间。在电流维持期间，电流维持恒定值，恒定值为电流增加期间的最大电流值以下。
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公开(公告)号：CN111615745A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201980008551.3
申请日：2019-02-12
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种抑制导电性部件彼此的位置偏离并且抑制导电性部件彼此接合的阻碍的接合体的制造方法、用于制造接合体的临时固定部件及层叠体。接合体的制造方法包括：临时固定工序，通过在至少两个具有导电性的导电部件之间设置临时固定部件而使至少两个导电部件彼此临时固定；去除工序，去除临时固定部件；及接合工序，接合至少两个导电部件。临时固定部件用于接合体的制造方法。层叠体是在具有导电性的至少两个导电部件之间设置临时固定部件而层叠的层叠体。
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公开(公告)号：CN104032259A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410072392.2
申请日：2014-02-28
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 黑冈俊次
Abstract: 本发明的目的在于提供在反复蒸镀的情况下成膜材料的剥离防止效果也优异的真空成膜装置用防附着板及其制造方法、以及使用该防附着板的真空成膜装置及真空成膜方法。本发明的真空成膜装置用防附着板是用于防止成膜材料向真空成膜装置中的不需要的位置附着的防附着板，其为铝制，具有形成有包含平均开口径为0.01～9μm的凹部的凹凸结构的表面，在表面排列有平均高度为30～1000μm的多个突出部，突出部的平均密度为10个／10mm见方以上，突出部的底部面积的比率为在10mm见方的区域中超过90％。
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