一种硅微桥压阻式MEMS温度传感器及其制作方法

    公开(公告)号:CN109399554B

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN201811428835.1

    申请日:2018-11-27

    IPC分类号: B81B7/02 B81C1/00

    摘要: 本发明公开了一种硅微桥压阻式MEMS温度传感器及其制作方法,所述传感器采用硅微桥双层膜结构,且制作在SOI器件上,下层为SOI器件的顶层硅,所述顶层硅上通过离子注入工艺形成压敏电阻;上层为通过溅射工艺形成的金属铝层;所述硅微桥下方悬空,且不与所述SOI器件的衬底硅相连接。该传感器结构相对稳定,且灵敏度高,硅微桥为可动结构,发生热膨胀时,压敏电阻值发生变化,通过电路的连接可以检测出电阻值的变化,基于电阻值的变化与温度变化呈现的数值关系,从而实现温度的测量。

    一种温度检测系统
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109405990A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201811428808.4

    申请日:2018-11-27

    IPC分类号: G01K7/20 G01K7/22

    摘要: 本发明公开了一种温度检测系统,所述系统包括传感模块、通信模块、数据模块、以及展示模块;其中,所述传感模块包括温度传感器以及与其连接的边缘计算模块,用于实现温度测量;所述通信模块,用于将所述传感模块的温度测量数据无线传输至所述数据模块;所述数据模块,用于接收温度测量数据;所述展示模块,用于所述温度测量数据的显示与处理。该温度检测系统实现了温度数据的精确测量,且采用无效传输,结构简单,易于布置,使得该系统的通用性更强。

    一种硅微桥压阻式MEMS温度传感器及其制作方法

    公开(公告)号:CN109399554A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201811428835.1

    申请日:2018-11-27

    IPC分类号: B81B7/02 B81C1/00

    摘要: 本发明公开了一种硅微桥压阻式MEMS温度传感器及其制作方法,所述传感器采用硅微桥双层膜结构,且制作在SOI器件上,下层为SOI器件的顶层硅,所述顶层硅上通过离子注入工艺形成压敏电阻;上层为通过溅射工艺形成的金属铝层;所述硅微桥下方悬空,且不与所述SOI器件的衬底硅相连接。该传感器结构相对稳定,且灵敏度高,硅微桥为可动结构,发生热膨胀时,压敏电阻值发生变化,通过电路的连接可以检测出电阻值的变化,基于电阻值的变化与温度变化呈现的数值关系,从而实现温度的测量。