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公开(公告)号：CN106573770B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201480079265.3
申请日：2014-06-27
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： B81B7/02
CPC分类号： B82B1/005 , B81B3/0016 , B81B7/02 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B82B1/002 , B82B3/0023 , B82Y15/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01H1/0094 , H01H1/54 , H01H59/0009 , H01L29/66227 , H01L29/82 , H01L29/84 , Y10S977/732 , Y10S977/838 , Y10S977/888 , Y10S977/938
摘要： 描述了用于操作电压的改进的范围和悬臂的尺寸的改进的控制的具有纳米磁铁的纳米机电(NEMS)器件。例如，在实施例中，纳米机电(NEMS)器件包括衬底层、设置在衬底层上方的第一磁性层、设置在第一磁性层上方的第一电介质层、设置在第一电介质层上方的第二电介质层、以及设置在第二电介质层上方的悬臂。当将电压施加到悬臂时，悬臂从第一位置朝着衬底层弯曲到第二位置。
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公开(公告)号：CN109678103A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811625626.6
申请日：2018-12-28
申请人： 杭州士兰集成电路有限公司 , 杭州士兰微电子股份有限公司
CPC分类号： B81B7/02 , B81B2201/0264 , B81C1/00158
摘要： 本申请公开了MEMS结构及其制造方法。所述方法包括：在半导体衬底中形成空腔；在所述半导体衬底的第一表面形成封闭所述空腔的敏感膜片；在所述空腔的内壁形成停止层；在所述半导体衬底的第二表面形成到达所述停止层的通道，所述第二表面与所述第一表面彼此相对；以及经由所述通道去除所述停止层。该方法在空腔内壁形成停止层，用于形成外部环境连通的通道，从而可以形成单芯片结构的压力传感器。
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公开(公告)号：CN109502537A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811083883.1
申请日：2018-09-17
申请人： 梅斯瑞士公司
发明人： P.德尔雅卡
CPC分类号： H04R19/00 , B81B2201/0214 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81C1/0023 , B81C1/00309 , B81C2203/019 , B81C2203/035 , H04R1/06 , H04R31/006 , H04R2499/10 , H05K1/181 , H05K2201/10151 , H05K2203/1147 , B81B3/00 , B81B3/0027 , B81B7/0032 , B81B7/02 , B81C1/00134 , B81C1/00261
摘要： 本发明涉及传感器组件、组装这样的传感器组件的对应方法、以及传感器系统。传感器组件包括至少一个换能器元件(106，106’，106”；206；306；406)，用于监测至少一个被测变量并生成与至少一个被测变量相关的电输出信号；以及传感器基板(112；312；406)，其包括换能器元件。传感器基板(112；312；406)可安装在电路载体(104；204；304；404)上，使得穿透电路载体的介质通道(124)允许至少一个被测变量到换能器元件的接取。电路载体具有导电的可焊接的第一密封图案(132；432)，其至少部分地围绕介质通道且与布置在传感器基板上的可焊接的第二密封图案(134；434)对齐，使得至少部分地围绕介质通道的焊接的密封连接形成在第一密封图案和第二密封图案之间。
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公开(公告)号：CN109485009A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201711248955.9
申请日：2017-12-01
发明人： 俞一善
CPC分类号： H04R19/04 , H04R1/025 , H04R17/02 , H04R19/005 , H04R31/00 , H04R2201/003 , H04R2499/11 , B81B7/02 , B81B2201/0257 , B81C1/00166
摘要： 本公开涉及麦克风及其制造方法。一种麦克风包括：振动电极，布置在具有声孔的基板的上部；固定电极，与振动电极的上部隔开基准距离并且在固定电极的上表面和下表面的每个上具有绝缘膜；以及压电电极，具有布置在从固定电极上部中心向外的径向方向上的多个杆并且根据输入电压通过在一个方向上弯曲固定电极来使振动电极和固定电极之间间隙保持一致。
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公开(公告)号：CN109065439A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810902315.3
申请日：2018-08-09
申请人： 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC分类号： H01L21/02041 , B81B7/02 , H01L21/02057
摘要： 本发明公开了一种MEMS晶圆表面颗粒去除设备，包括用于固定表面贴合有晶圆的薄膜的扩晶环和气体喷射装置；所述气体喷射装置的气体喷嘴朝向所述扩晶环中设置所述晶圆的区域，以使所述气体喷射装置向所述晶圆喷气。在工作状态时，气体喷射装置可以朝安装在扩晶环中的晶圆吹气，通过气流可以有效将MEMS晶圆表面的表面颗粒吹离晶圆表面，从而有效去除晶圆表面的表面颗粒；同时由于仅仅是向晶圆表面喷射气体，几乎不会对晶圆表面的MEMS结构产生破坏，从而可以提高MEMS芯片的产率。本发明还提供了一种去除MEMS晶圆表面颗粒的方法，同样具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN108996467A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810896093.9
申请日：2018-08-08
申请人： 宁波琻捷电子科技有限公司
CPC分类号： B81B7/0032 , B81B7/02 , B81B2201/0264
摘要： 本发明公开了一种传感器封装结构及方法，涉及传感器封装技术领域，该传感器封装结构包括线路基板、ASIC芯片、第一胶体、MEMS压力传感器和第二胶体，所述第一胶体包括首尾相接的四个侧墙和位于所述侧墙内的封装胶体，四个所述侧墙的高度大于所述封装胶体的高度，所述封装胶体包覆所述ASIC芯片，所述MEMS压力传感器包括MEMS芯片和芯片管脚，所述MEMS芯片位于所述封装胶体的上表面，所述芯片管脚电性连接至所述线路基板，所述第二胶体包覆所述MEMS芯片和所述芯片管脚与所述线路基板之间的引线。该传感器封装结构在采用本发明提供的传感器封装方法进行封装时封装工序简单，能够实现小型化封装，而且在封装时对ASIC芯片和MEMS压力传感器的大小没有特殊要求。
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公开(公告)号：CN108711587A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810208103.5
申请日：2018-03-14
申请人： 东南大学
摘要： 本发明的水平发散型纳米热电能量收集器，主要应用于收集计算机中央处理器的热能，实现对其周围小功耗元器件的供电。水平发散型纳米热电能量收集器收集到的计算机中央处理器的热能通过塞贝克效应转换成电能，然后通过DC‑DC转换模块将收集的电能转换成直流电信号，最终存储在充电电池中，充电电池中的电能可以实现给小功耗元器件的供电。所述的水平发散型纳米热电能量收集器制作在N型硅片衬底上，在衬底上行制作一层氮化硅和二氧化硅作为电学隔离层，在氮化硅层上制作纳米热电堆，纳米热电堆呈太阳发散结构，具有体积小的特点，同时与传统的热电能量收集器相比，纳米热电偶的热导率更小，具有较高的热电转化效率。
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公开(公告)号：CN108680703A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810313555.X
申请日：2018-04-10
申请人： 杭州电子科技大学
CPC分类号： G01N33/0027 , B81B7/0009 , B81B7/02 , B81B2201/02
摘要： 本发明公开了一种用于微气体传感器的MEMS缓冲器结构。本发明是在传感器薄膜上沉积氧化硅等绝热性较好的隔离层，通过光刻胶工艺和干法刻蚀工艺得到多个分离的长方体结构的阻挡器。其中五个长方体阻挡器看作一个小整体，每个小整体以梯形结构排列，五个长方体阻挡器分别排列在梯形结构的四个顶点和下底线中心位置。对于每个长方体，其底面为正方形，高度与长方体底面边长相等。当外部气体经过传感器薄膜时会受到各阻挡器的阻挡，使得气体在传感器薄膜附近运动速度降低，从而减小气体流动导致的薄膜表面温度的降低，使传感器的灵敏度和稳定性提高，并降低了传感器检测时所需的能耗。
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公开(公告)号：CN108540051A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810208105.4
申请日：2018-03-14
申请人： 东南大学
IPC分类号： H02S10/30 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L35/32 , B81B7/02
CPC分类号： H02S10/30 , B81B7/02 , H01L31/022441 , H01L31/035209 , H01L35/32
摘要： 本发明的基于垂直型热电偶和纳米PN结的热电光电集成微型发电机，衬底为N型硅片，光电池的受光面上制作有绒面结构、第二氮化硅薄膜和背电场结构，N型纳米注入区和P型纳米注入区交错排列，纳米注入区上淀积了一层二氧化硅层钝化层，并于特定的区域开了一系列的电极接触孔；热电式发电机与光电池之间隔有第一氮化硅薄膜，热电式发电机的主要功能单元为热电堆，热电堆下电极位于光电池电极上方，垂直衬底表面的N型多晶硅纳米线簇和P型多晶硅纳米线簇构成了热电偶的半导体臂，通过热电堆下电极和热电堆上电极串联成热电堆，金属板位于热电堆的正上方，与热电堆上电极之间隔有一层氮化硅薄膜。
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公开(公告)号：CN108529551A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201710120393.3
申请日：2017-03-02
申请人： 罗伯特·博世有限公司
CPC分类号： B81B7/02 , B81B2201/0264 , B81C1/00261 , B81C2203/01 , B81C2203/0771
摘要： 本发明揭露了一种气压传感器，包括：外壳、电路板、MEMS传感器芯片、ASIC芯片和薄膜；其中，所述MEMS传感器芯片和所述ASIC芯片设置在所述电路板上；以及，所述外壳包括至少一个开口端；所述外壳与所述电路板形成容纳所述MEMS传感器芯片和所述ASIC芯片的封装结构；所述封装结构包括空腔体以及设置在所述封装结构上的导通孔，所述导通孔连通所述空腔体和外界环境；所述薄膜设置于所述封装结构的表面上，覆盖所述导通孔。本发明还揭露了一种气压传感器的封装方法。根据本发明的气压传感器，避免了灰尘、水滴等杂质进入导通孔后可能发生的堵塞，或者进入到空腔体内影响各种电子元器件正常工作。
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