公开(公告)号：CN117941055A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202280059665.2

申请日：2022-09-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 苏克图·阿伦·帕里克 ,  阿希什·派欧 ,  埃尔·迈赫迪·巴齐兹 ,  安德鲁·杨 ,  妮琴·K·英吉 ,  阿尔文·桑德拉扬 ,  徐源辉 ,  马蒂纳斯·玛丽亚·贝尔肯斯 ,  萨梅尔·A·德什潘德 ,  B·普拉纳瑟提哈兰 ,  杨雁筑

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/18 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L29/423

Abstract: 描述了半导体装置和其制造方法。使用标准工艺流程制造晶体管。形成从基板的顶表面延伸至晶片装置的底表面的通孔开口，从而允许纳米TSV进行高密度封装，以及将装置连接至背侧电力轨。在通孔开口中沉积金属，并将晶片装置的底表面接合至接合晶片。任选地，薄化基板，并形成电连接至金属的触点。

公开(公告)号：CN118043955A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202280059677.5

申请日：2022-09-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 苏克图·阿伦·帕里克 ,  阿希什·派欧 ,  埃尔·迈赫迪·巴齐兹 ,  安德鲁·杨 ,  妮琴·K·英吉 ,  阿尔文·桑德拉扬 ,  徐源辉 ,  马蒂纳斯·玛丽亚·贝尔肯斯 ,  萨梅尔·A·德什潘德 ,  B·普拉纳瑟提哈兰 ,  杨雁筑

IPC: H01L21/8234 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66

Abstract: 描述了半导体装置和其制造方法。方法包括正面处理以形成深的源极/漏极空腔，并用牺牲材料填充空腔。然后在背侧处理过程中移除牺牲材料，以形成填充有金属填料的背侧电力轨通孔。

公开(公告)号：CN117916875A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202280059669.0

申请日：2022-09-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 苏克图·阿伦·帕里克 ,  阿希什·派欧 ,  埃尔·迈赫迪·巴齐兹 ,  安德鲁·杨 ,  妮琴·K·英吉 ,  阿尔文·桑德拉扬 ,  徐源辉 ,  马蒂纳斯·玛丽亚·贝尔肯斯 ,  萨梅尔·A·德什潘德 ,  B·普拉纳瑟提哈兰 ,  杨雁筑

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/18 ,  H01L23/528 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66

Abstract: 描述了半导体组件和其制造方法。提供硅晶片，并在硅晶片上形成埋入式蚀刻终止层。然后，使晶片接受组件和前端工艺。在前端工艺后，晶片经历了混合键结，然后晶片被薄化。为了薄化晶片，具有起始第一厚度的硅基板层被研磨成第二厚度，第二厚度比第一厚度小。在研磨之后，使硅晶片接受化学机械研磨(CMP)，然后进行蚀刻和CMP磨光，以将硅的厚度减少到第三厚度，第三厚度小于第二厚度。