公开(公告)号：CN117836948A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202280056613.X

申请日：2022-08-29

申请人： 应用材料公司

发明人： 阿希什·派欧 ,  埃尔·迈赫迪·巴齐兹 ,  本杰明·科伦坡

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

摘要： 描述了半导体设备和其制造方法。该方法包括以下步骤：在基板上形成底部介电隔离(BDI)层，并且在源极/漏极沟槽中沉积模板材料。对该模板材料进行蚀刻，然后使其结晶。然后进行源极和漏极区域的外延生长，生长有利地发生在源极和漏极区域的底部和侧壁上。

公开(公告)号：CN118318307A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202280078547.6

申请日：2022-11-29

申请人： 应用材料公司

发明人： 阿希什·派欧 ,  本杰明·科伦坡 ,  埃尔·迈赫迪·巴齐兹 ,  B·普拉纳瑟提哈兰

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786

摘要： 本文描述半导体组件及其制造方法。所述方法包括正面处理以形成源极腔体/漏极腔体并以牺牲层填充所述腔体。接着在背侧的处理期间去除牺牲层，以形成填充有金属填充物的背侧电力轨过孔。

公开(公告)号：CN118872066A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202380022426.4

申请日：2023-02-15

申请人： 应用材料公司

发明人： 安德鲁·杨 ,  本杰明·科伦坡 ,  B·普拉纳瑟提哈兰 ,  阿希什·派欧 ,  埃尔·迈赫迪·巴齐兹

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L29/775 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

摘要： 描述半导体装置及制造所述半导体装置的方法。所述方法包括在源极/漏极下方及在全环绕栅极装置的栅极下方形成相异且单独的底部介电隔离层。选择性移除在源极/漏极下方的底部介电隔离层造成与源极/漏极外延更好的背侧电力轨(BPR)过孔对准并且减少可靠性及栅极短路问题。

公开(公告)号：CN117616582A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202280048506.2

申请日：2022-07-08

申请人： 应用材料公司

发明人： 阿希什·派欧 ,  郑毅 ,  埃尔·迈赫迪·巴齐兹

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

摘要： 本文提供了处理基板的实施方式。在一些实施方式中，一种处理基板的方法包括：经由第一外延生长工艺将n型掺杂硅材料沉积至基板上以形成n型掺杂层，同时调整掺杂剂前驱物与硅前驱物的比率，以使得n型掺杂层的掺杂剂浓度从n型掺杂层的底部至n型掺杂层的顶部增加；蚀刻n型掺杂层以形成具有渐缩侧壁的多个沟槽和其间的多个n型掺杂柱；以及经由第二外延生长工艺用p型掺杂材料填充多个沟槽以形成多个p型掺杂柱。

公开(公告)号：CN118661251A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202380020843.5

申请日：2023-02-15

申请人： 应用材料公司

发明人： 安德鲁·杨 ,  本杰明·科伦坡 ,  B·普拉纳瑟提哈兰 ,  埃尔·迈赫迪·巴齐兹 ,  阿希什·派欧

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L23/528 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66

摘要： 描述了半导体器件及其制造方法。所述方法包括在背侧上形成扩散中断开口并填充扩散中断材料以用作平坦化停止件。在一些实施例中，形成单扩散中断开口。在其他实施例中，形成混合扩散中断开口。

公开(公告)号：CN117941055A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202280059665.2

申请日：2022-09-01

申请人： 应用材料公司

发明人： 苏克图·阿伦·帕里克 ,  阿希什·派欧 ,  埃尔·迈赫迪·巴齐兹 ,  安德鲁·杨 ,  妮琴·K·英吉 ,  阿尔文·桑德拉扬 ,  徐源辉 ,  马蒂纳斯·玛丽亚·贝尔肯斯 ,  萨梅尔·A·德什潘德 ,  B·普拉纳瑟提哈兰 ,  杨雁筑

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/18 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L29/423

摘要： 描述了半导体装置和其制造方法。使用标准工艺流程制造晶体管。形成从基板的顶表面延伸至晶片装置的底表面的通孔开口，从而允许纳米TSV进行高密度封装，以及将装置连接至背侧电力轨。在通孔开口中沉积金属，并将晶片装置的底表面接合至接合晶片。任选地，薄化基板，并形成电连接至金属的触点。

公开(公告)号：CN118043955A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202280059677.5

申请日：2022-09-01

申请人： 应用材料公司

发明人： 苏克图·阿伦·帕里克 ,  阿希什·派欧 ,  埃尔·迈赫迪·巴齐兹 ,  安德鲁·杨 ,  妮琴·K·英吉 ,  阿尔文·桑德拉扬 ,  徐源辉 ,  马蒂纳斯·玛丽亚·贝尔肯斯 ,  萨梅尔·A·德什潘德 ,  B·普拉纳瑟提哈兰 ,  杨雁筑

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66

摘要： 描述了半导体装置和其制造方法。方法包括正面处理以形成深的源极/漏极空腔，并用牺牲材料填充空腔。然后在背侧处理过程中移除牺牲材料，以形成填充有金属填料的背侧电力轨通孔。

公开(公告)号：CN117916875A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202280059669.0

申请日：2022-09-01

申请人： 应用材料公司

发明人： 苏克图·阿伦·帕里克 ,  阿希什·派欧 ,  埃尔·迈赫迪·巴齐兹 ,  安德鲁·杨 ,  妮琴·K·英吉 ,  阿尔文·桑德拉扬 ,  徐源辉 ,  马蒂纳斯·玛丽亚·贝尔肯斯 ,  萨梅尔·A·德什潘德 ,  B·普拉纳瑟提哈兰 ,  杨雁筑

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/18 ,  H01L23/528 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66

摘要： 描述了半导体组件和其制造方法。提供硅晶片，并在硅晶片上形成埋入式蚀刻终止层。然后，使晶片接受组件和前端工艺。在前端工艺后，晶片经历了混合键结，然后晶片被薄化。为了薄化晶片，具有起始第一厚度的硅基板层被研磨成第二厚度，第二厚度比第一厚度小。在研磨之后，使硅晶片接受化学机械研磨(CMP)，然后进行蚀刻和CMP磨光，以将硅的厚度减少到第三厚度，第三厚度小于第二厚度。

公开(公告)号：CN116802816A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202280013183.3

申请日：2022-01-26

申请人： 应用材料公司

发明人： 阿希什·帕尔 ,  埃尔·迈赫迪·巴齐兹 ,  西达斯•克里希南 ,  陈星 ,  于澜 ,  泰勒·谢尔伍德

IPC分类号： H01L29/861

摘要： 形成半导体结构的多个示例性方法可包括在半导体基板上形成掺杂硅层。可以随距该半导体基板的距离增加而增加掺杂水平。这些方法可包括蚀刻该掺杂硅层，以界定延伸至该半导体基板的沟槽。该掺杂硅层可界定该沟槽的倾斜侧壁。该沟槽的特征可在于大于或约30μm的深度。这些方法可包括用第一氧化物材料给该沟槽加衬。这些方法可包括在该沟槽内沉积第二氧化物材料。这些方法可包括形成接触部以产生功率元件。