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公开(公告)号：CN113394339B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202110184035.5
申请日：2021-02-10
申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
摘要： 本发明涉及霍尔效应感测器装置和形成霍尔效应感测器装置的方法，提供一种霍尔效应感测器装置，包括一个或多个感测器结构。各感测器结构可包括：具有第一导电类型的基层；设置在基层之上并具有与第一导电类型相反的第二导电类型的霍尔板区域；设置在霍尔板区域周围并邻接所述霍尔板区域且与基层接触的第一隔离区域；设置在所述霍尔板区域内的多个第二隔离区域；以及设置在霍尔板区域内的多个终端区域。第一隔离区域和第二隔离区域可以包括电性绝缘材料，并且各相邻对的终端区域可以通过多个第二隔离区域中的一个而彼此电性隔离。
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公开(公告)号：CN114563740A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202111132926.2
申请日：2021-09-27
申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
摘要： 本发明涉及磁场传感器和制造磁场传感器的方法，该磁场传感器可包含具有平坦表面的半导体结构以及第一、第二及第三感测装置。该半导体结构可包含其中具有二维电子气的半导体构件及设置在该半导体构件上的绝缘体构件。该第一感测装置可配置为感测沿平行于该平坦表面的第一轴的磁场。该第二感测装置可配置为感测沿着平行于该平坦表面且正交于该第一轴的第二轴的磁场。该第三感测装置可配置为感测沿与该平坦表面成直角的第三轴的磁场。该第一、第二及第三感测装置中的每个可形成于该半导体结构中，且可包含从该绝缘体构件延伸到该二维电子气的电极。
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公开(公告)号：CN118450790A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410015808.0
申请日：2024-01-05
申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
摘要： 本发明涉及用于电阻式存储器元件的层堆叠，揭示包括用于电阻式存储器元件的层堆叠的结构以及形成包括用于电阻式存储器元件的层堆叠的结构的方法。该结构包括电阻式存储器元件，该电阻式存储器元件包括第一电极、第二电极、以及设于该第二电极与该第一电极间的开关层。该第一电极包括第一层以及位于该第一层与该开关层间的第二层。该开关层具有第一厚度，且该第一电极的该第二层具有小于该开关层的该第一厚度的第二厚度。
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公开(公告)号：CN113394339A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110184035.5
申请日：2021-02-10
申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
摘要： 本发明涉及霍尔效应感测器装置和形成霍尔效应感测器装置的方法，提供一种霍尔效应感测器装置，包括一个或多个感测器结构。各感测器结构可包括：具有第一导电类型的基层；设置在基层之上并具有与第一导电类型相反的第二导电类型的霍尔板区域；设置在霍尔板区域周围并邻接所述霍尔板区域且与基层接触的第一隔离区域；设置在所述霍尔板区域内的多个第二隔离区域；以及设置在霍尔板区域内的多个终端区域。第一隔离区域和第二隔离区域可以包括电性绝缘材料，并且各相邻对的终端区域可以通过多个第二隔离区域中的一个而彼此电性隔离。
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